K7N321801M-QC20 [SAMSUNG]

1Mx36 & 2Mx18 Flow-Through NtRAM; 1Mx36及2Mx18流通型NtRAM
K7N321801M-QC20
元器件型号: K7N321801M-QC20
生产厂家: SAMSUNG SEMICONDUCTOR    SAMSUNG SEMICONDUCTOR
描述和应用:

1Mx36 & 2Mx18 Flow-Through NtRAM
1Mx36及2Mx18流通型NtRAM

内存集成电路 静态存储器
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型号参数:K7N321801M-QC20参数
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
零件包装代码QFP
包装说明LQFP,
针数100
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.89
Is SamacsysN
最长访问时间3.2 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度37748736 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量100
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm
Base Number Matches1