KMM594000-10 [SAMSUNG]

4M x 9 CMOS DRAM Memory Module; 4M ×9的CMOS DRAM内存模块
KMM594000-10
元器件型号: KMM594000-10
生产厂家: SAMSUNG SEMICONDUCTOR    SAMSUNG SEMICONDUCTOR
描述和应用:

4M x 9 CMOS DRAM Memory Module
4M ×9的CMOS DRAM内存模块

内存集成电路 动态存储器
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型号参数:KMM594000-10参数
生命周期Obsolete
IHS 制造商SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
零件包装代码SIMM
包装说明SIMM, SIM30
针数30
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.02
风险等级5.83
Is SamacsysN
访问模式FAST PAGE
最长访问时间100 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XSMA-N30
内存密度37748736 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度9
功能数量1
端口数量1
端子数量30
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX9
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码SIMM
封装等效代码SIM30
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度24.13 mm
最大待机电流0.009 A
子类别DRAMs
最大压摆率0.765 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距2.54 mm
端子位置SINGLE
Base Number Matches1