元器件型号: | MR18R1624EG0-CM8 |
生产厂家: | SAMSUNG SEMICONDUCTOR |
描述和应用: | Key Timing Parameters |
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型号参数:MR18R1624EG0-CM8参数 | |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Obsolete |
零件包装代码 | DMA |
包装说明 | DIMM, DIMM184,40 |
针数 | 184 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.32.00.36 |
风险等级 | 5.84 |
访问模式 | BLOCK ORIENTED PROTOCOL |
最长访问时间 | 40 ns |
其他特性 | SELF CONTAINED REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 800 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XDMA-N184 |
内存密度 | 1207959552 bit |
内存集成电路类型 | RAMBUS DRAM MODULE |
内存宽度 | 18 |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 184 |
字数 | 67108864 words |
字数代码 | 64000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
组织 | 64MX18 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIMM |
封装等效代码 | DIMM184,40 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 1.8/2.5,2.5 V |
认证状态 | Not Qualified |
自我刷新 | YES |
子类别 | DRAMs |
最大供电电压 (Vsup) | 2.63 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.37 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 1 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 |
Key Timing Parameters
关键时序参数