MR18R1624EG0-CM8 [SAMSUNG]

Key Timing Parameters; 关键时序参数
MR18R1624EG0-CM8
元器件型号: MR18R1624EG0-CM8
生产厂家: SAMSUNG SEMICONDUCTOR    SAMSUNG SEMICONDUCTOR
描述和应用:

Key Timing Parameters
关键时序参数

存储 内存集成电路 动态存储器 时钟
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型号参数:MR18R1624EG0-CM8参数
是否Rohs认证 符合
生命周期Obsolete
零件包装代码DMA
包装说明DIMM, DIMM184,40
针数184
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.36
风险等级5.84
访问模式BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间40 ns
其他特性SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)800 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N184
内存密度1207959552 bit
内存集成电路类型RAMBUS DRAM MODULE
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量1
端子数量184
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织64MX18
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM184,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8/2.5,2.5 V
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
子类别DRAMs
最大供电电压 (Vsup)2.63 V
最小供电电压 (Vsup)2.37 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
端子形式NO LEAD
端子节距1 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1