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K4B1G04(08/16)46C
1GB DDR3 SDRAM
1GB C-死DDR3 SDRAM规格
修订版1.0
2007年6月
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1.0版2007年6月
K4B1G04(08/16)46C
1GB DDR3 SDRAM
历史
- 修订版0.0发布
- 删除800Mbps的速度5-5-5
- 定时速率等级的参数( 13.0 )
- 输入/输出电容( 11.0 )
- 修订版1.0规范发布。
修订历史
调整
0.0
0.1
1.0
MONTH
一月
六月
六月
YEAR
2007
2007
2007
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1.0版2007年6月
K4B1G04(08/16)46C
1GB DDR3 SDRAM
目录
1.0订购信息....................................................................................................................................................4
2.0主要特点.................................................................................................................................................................4
3.0封装引脚/机械尺寸&地址.......................................... .................................................. 0.5
3.1 X4封装引脚(顶视图) : 94ball FBGA封装( 78balls +支持球16球)
..........................................5
3.2 X8封装引脚(顶视图) : 94ball FBGA封装( 78balls +支持球16球)
..........................................6
3.3 X16封装引脚(顶视图) : 112ball FBGA封装( 96balls +支持球16球)
......................................7
3.4 FBGA封装尺寸( X4)
...................................................................................................................................8
3.5 FBGA封装尺寸( X8 )
...................................................................................................................................9
3.6 FBGA封装尺寸( X16 )
...............................................................................................................................10
4.0输入/输出功能描述........................................................................................................................11
5.0 DDR3 SDRAM地址.........................................................................................................................................12
6.0绝对最大额定值.......................................................................................................................................14
6.1绝对最大额定直流电压
................................................................................................................................14
6.2 DRAM元件工作温度范围
....................................................................................................14
7.0交流&直流工作条件.................................................................................................................................14
7.1建议的直流工作条件( SSTL_1.5 )
.................................................................................................14
8.0交流&直流输入电平测量.........................................................................................................................15
8.1交流和直流逻辑输入电平为单端信号
.............................................................................................15
8.2差分摆幅要求differntial信号
................................................................................................16
差分信号8.2.1单端的要求
............................................................................................17
8.3交流和直流逻辑电平输入差分信号
.................................................................................................18
8.4差分输入交叉点电压
.......................................................................................................................18
8.5压摆率的定义为单端输入信号
...................................................................................................19
8.5.1输入转换率的输入建立时间( TIS)和数据建立时间( TDS )
...............................................................19
8.5.2输入转换率的输入保持时间( TIH )和数据保持时间( TDH )
..................................................................19
对于差分输入信号8.6压摆率的定义
......................................................................................................19
9.0交流和直流输出电平测量.................................................................................................................. 20
9.1单端交流和直流输出电平
....................................................................................................................20
9.2差分交流和直流输出电平
.......................................................................................................................20
9.3.Single端输出压摆率
................................................................................................................................ 21
9.4差分输出摆率
....................................................................................................................................21
9.5参考负载的AC时序和输出摆率
................................................................................................22
9.6过冲/下冲规格
........................................................................................................................23
9.6.1地址和控制过冲和下冲规格
.......................................................................23
9.6.2时钟,数据,选通和面具过冲和下冲规格
..........................................................23
9.7 34欧姆输出驱动器的直流电气特性
..................................................................................................24
9.7.1输出驱动温度和电压灵敏度
............................................................................................25
9.8片上端接( ODT)水平和IV特性
..........................................................................................25
9.8.1 ODT DC电气特性
.....................................................................................................................26
9.8.2 ODT温度和电压灵敏度
......................................................................................................... 27
9.9 ODT时序定义
............................................................................................................................................ 28
9.9.1测试负载的ODT计时
............................................................................................................................... 28
9.9.2 ODT时序定义
......................................................................................................................................28
10.0独立同规格参数和测试条件........................................... .................................................. ..31
10.1 IDD测量条件
.................................................................................................................................31
10.2 IDD规格
..................................................................................................................................................41
11.0输入/输出电容........................................................................................................................................43
12.0电气特性和AC时序DDR3-800到DDR3-1600 .................................... ............................ 44
12.1时钟规格
.................................................................................................................................................44
12.2时钟抖动规格
........................................................................................................................................45
通过器件密度12.3刷新参数
...................................................................................................................46
12.4标准箱的速度
..............................................................................................................................................46
由速度等级13.0时序参数....................................................................................................................... 48
第63 3
1.0版2007年6月
K4B1G04(08/16)46C
1.0订购信息
【表1】三星​​DDR3订购信息表
组织
256Mx4
128Mx8
64Mx16
DDR3-800 ( 6-6-6 )
K4B1G0446C-ZCF7
K4B1G0846C-ZCF7
K4B1G1646C-ZCF7
DDR3-1066 ( 7-7-7 / 8-8-8 )
K4B1G0446C-CF8/G8
K4B1G0846C-CF8/G8
K4B1G1646C-CF8/G8
1GB DDR3 SDRAM
DDR3-1333 ( 8-8-8 / 9-9-9 )
K4B1G0446C-ZCG9/H9
K4B1G0846C-ZCG9/H9
K4B1G1646C-ZCG9/H9
94 FBGA
94 FBGA
112 FBGA
注意:
1.速度斌是为了CL- tRCD的-TRP的。
2. X4 / X8 / X16包 - 包括16支球
2.0主要特点
[表2 ] 1GB DDR3 C-模速度垃圾桶
速度
TCK (分钟)
CAS延迟
的tRCD (MIN)
激进党(分钟)
tRAS的(分)
的tRC (分钟)
DDR3-800
6-6-6
2.5
6
15
15
37.5
52.5
7
13.125
13.125
37.5
50.625
7-7-7
1.875
8
15
15
37.5
52.5
8
12
12
36
48
DDR3-1066
8-8-8
8-8-8
1.5
9
13.5
13.5
36
49.5
DDR3-1333
9-9-9
单位
ns
TCK
ns
ns
ns
ns
• JEDEC标准的1.5V ± 0.075V电源
• VDDQ = 1.5V ± 0.075V
• 400 MHz的˚F
CK
为800MB /秒/针, 533 ˚F
CK
为1066MB /秒/针,
667 ˚F
CK
为1333Mb /秒/针
• 8银行
•中科院发布
•可编程CAS延时: 5,6, 7,8, 9,10, ( 11,用于高密度
只)
•可编程的附加延迟: 0 , CL -2或CL- 1的时钟
•可编程CAS延迟写入(CWL ) = 5 ( DDR3-800 ) , 6
( DDR3-1066 ) , 7 ( DDR3-1333 )
•8位预取
•突发长度: 8 (交错,没有任何限制,顺序与出发
地址为“ 000”只) , 4 TCCD = 4不允许无缝
读或写[无论是在使用A12或MRS飞]
•双向差分数据选通
•内部(个体经营)校准:通过ZQ引脚内部自校准
( RZQ :240欧姆± 1%)的
•片上终端使用ODT引脚
•平均更新周期7.8us时于T低
85°C ,在3.9us
85°C <牛逼
< 95 ×C
•异步复位
•封装: 94球FBGA - X4 / X8 (含16支球)
112球FBGA - X16 (有16支球)
•所有无铅产品符合RoHS指令的
注: 1,功能描述包含了时序规范
本数据手册对操作的DLL启用模式。
2. 1066Mbps CL7不具有与背病房兼容性
800Mbps的CL5
1GB的DDR3 SDRAM C-模具的结构为32兆×4 / 16Mbit的×8 /
的8Mbit ×16个I / O X 8banks设备。该同步装置实现高
高达1333Mb /秒/针的速度双倍数据率传输速率( DDR3-
1333 )的一般应用。
该芯片的设计符合以下关键DDR3 SDRAM为特色的
Tures的,如贴CAS ,可编程CWL ,内部(自我)的校准
化,在使用ODT引脚和异步复位片内终结。
所有的控制和地址输入端的一对克斯特同步
应受供应差分时钟。输入被锁定在昼夜温差的交叉点
髓鞘时钟( CK上升沿和CK下降) 。所有的I / O与同步
对双向选通(DQS和DQS )在源同步fash-
离子。地址总线用于传送行,列和行地址
在一个RAS / CAS复样式的信息。在DDR3器件工作
用单1.5V ± 0.075V电源和1.5V ± 0.075V VDDQ 。
1GB的DDR3器件在94ball FBGAs ( X4 / X8)和112ball可用
FBGA(x16)
注:本数据手册是全DDR3规格的抽象,并不包括在“ DDR3 SDRAM器件的描述的共同特征
操作&时序图“ 。
第63 4
1.0版2007年6月
K4B1G04(08/16)46C
3.0封装引脚/机械尺寸&地址
1GB DDR3 SDRAM
3.1 X4封装引脚(顶视图) : 94ball FBGA封装
( 78balls + 16球支持球)
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
W
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
VSS
VSS
VDDQ
VSSQ
VREFDQ
NC
ODT
NC
VSS
VDD
VSS
VDD
VSS
VDD
VSSQ
DQ2
NC
VDDQ
VSS
VDD
CS
BA0
A3
A5
A7
RESET
NC
DQ0
的DQ
的DQ
NC
RAS
CAS
WE
BA2
A0
A2
A9
A13
NC
DM
DQ1
VDD
NC
CK
CK
A10/AP
A15
A12/BC
A1
A11
NC
VSS
VSSQ
DQ3
VSS
NC
VSS
VDD
ZQ
VREFCA
BA1
A4
A6
A8
VDD
VDDQ
VSSQ
VSSQ
VDDQ
NC
CKE
NC
VSS
VDD
VSS
VDD
VSS
NC
NC
D
E
F
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M
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P
R
T
NC
2
NC
3
4
NC
5
6
7
8
NC
9
10
NC
11
NC
注1 : A1,A2, A4,A8, A10,A11, D1, D11 ,T1, T11, W1,W2 ,W4, W8, W10和W11球表示的机械支撑的球没有内部连接
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11
球的位置( X4)
A
B
C
填充球
球未填充
D
E
F
G
H
顶视图
(参阅通过包球)
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
W
第63 5
1.0版2007年6月
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K4B1G1646D

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