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K4H510438G
K4H510838G
K4H511638G
DDR SDRAM
512MB的G-死DDR SDRAM规格
66 TSOP -II
无铅和无卤素
(符合RoHS )
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修订版1.1 2009年11月
K4H510438G
K4H510838G
K4H511638G
目录
DDR SDRAM
1.0主要特点...............................................................................................................................4
2.0订购信息...................................................................................................................4
3.0工作Frequencies................................................................................................................4
4.0引脚说明............................................................................................................................5
5.0包装物理尺寸.....................................................................................................6
6.0块图( 32兆×4 / 16Mbit的X8 / X16 8Mbit的I / O X4银行) ............................... ............. 7
7.0输入/输出功能说明............................................ ................................................ 8
8.0指挥真相Table.................................................................................................................9
9.0一般Description...................................................................................................................10
10.0绝对最大额定值.....................................................................................................10
11.0直流工作条件........................................................................................................10
12.0 DDR SDRAM IDD规格产品&测试条件......................................... ......................... 11
13.0输入/输出电容......................................................................................................11
14.0详细的测试条件为DDR SDRAM IDD1 & IDD7A ........................................ .............. 12
15.0 DDR SDRAM IDD规格表............................................ .................................................. .... 13
16.0 AC工作条件.......................................................................................................14
17.0
18.0
19.0
20.0
21.0
AC过冲/下冲规范地址和控制引脚............................ 14
过冲/下冲规范数据,频闪和口罩销............................... 15
AC Timming参数&规格............................................. .............................. 16
系统特点的DDR SDRAM ............................................. ................................. 17
成分说明....................................................................................................................18
22.0系统注意事项...........................................................................................................................20
23.0 IBIS : I / V特性的输入和输出缓冲器...................................... .................. 21
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修订版1.1 2009年11月
K4H510438G
K4H510838G
K4H511638G
修订历史
调整
1.0
1.1
MONTH
九月
十一月
YEAR
2009
2009
- 初始版本
- -BO ( 266Mbps )的第16页上更改tRAS的最大数据
历史
DDR SDRAM
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修订版1.1 2009年11月
K4H510438G
K4H510838G
K4H511638G
1.0主要特点
• V
DD
: 2.5V ± 0.2V, V
DDQ
: 2.5V ± 0.2V为DDR266 , 333
• V
DD
: 2.6V ± 0.1V, V
DDQ
: 2.6V ± 0.1V的DDR400
•双数据速率体系结构;每个时钟周期2的数据传输
•双向数据选通[ DQS ] ( X4,X8 ), & [L ( U) DQS ] ( X16 )
•四家银行的操作
•差分时钟输入( CK和CK )
• DLL对齐DQ和DQS与CK过渡转型
• MRS循环地址重点项目
- 。读取延迟: DDR266 ( 2.5时钟) , DDR333 ( 2.5时钟) , DDR400 ( 3时钟)
- 。突发长度( 2,4, 8)
- 。突发类型(顺序&交错)
•除数据& DM所有输入进行采样,系统时钟的正边沿(CK)
•数据I /数据选通信号的两边O事务
•边沿对齐的数据输出,居中对齐数据输入
• LDM , UDM为只写屏蔽( X16 )
• DM为只写屏蔽( X4,X8 )
•自动&自我刷新
• 7.8us刷新间隔( 8K / 64ms的刷新)
•最大连拍数量刷新周期: 8
• 66pin TSOP II
无铅&无卤
符合RoHS
DDR SDRAM
2.0订购信息
产品型号
K4H510438G-LC/LB0
K4H510438G-LC/LB3
K4H510838G-LC/LCC
K4H510838G-LC/LB3
K4H511638G-LC/LCC
K4H511638G-LC/LB3
组织。
128M ×4
64M ×8
32M ×16
最大频率。
B0(DDR266@CL=2.5)
B3(DDR333@CL=2.5)
CC(DDR400@CL=3)
B3(DDR333@CL=2.5)
CC(DDR400@CL=3)
B3(DDR333@CL=2.5)
接口
SSTL_2
SSTL_2
SSTL_2
66pin TSOP II
无铅&无卤
66pin TSOP II
无铅&无卤
66pin TSOP II
无铅&无卤
1
1, 2
1
1, 2
1
1, 2
注意:
1.部件号(第12位) "L"表示符合RoHS标准,无卤素产品。
2. " - B3" ( DDR333 , CL = 2.5 ),可以支持" - B0" ( DDR266 , CL = 2.5 )
3.0工作频率
CC(DDR400@CL=3)
速度@ CL2
速度@ CL2.5
速度@ CL3
CL- tRCD的-TRP
166MHz
200MHz
3-3-3
B3(DDR333@CL=2.5)
133MHz
166MHz
-
2.5-3-3
B0(DDR266@CL=2.5)
100MHz
133MHz
-
2.5-3-3
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修订版1.1 2009年11月
K4H510438G
K4H510838G
K4H511638G
4.0引脚说明
DDR SDRAM
32MB ×16
64MB ×8
128MB ×4
V
DD
DQ
0
V
DDQ
DQ
1
DQ
2
V
SSQ
DQ
3
DQ
4
V
DDQ
DQ
5
DQ
6
V
SSQ
DQ
7
NC
V
DDQ
LDQS
NC
V
DD
NC
LDM
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA
0
BA
1
AP / A
10
A
0
A
1
A
2
A
3
V
DD
V
DD
DQ
0
V
DDQ
NC
DQ
1
V
SSQ
NC
DQ
2
V
DDQ
NC
DQ
3
V
SSQ
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
V
DD
NC
NC
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA
0
BA
1
AP / A
10
A
0
A
1
A
2
A
3
V
DD
V
DD
NC
V
DDQ
NC
DQ
0
V
SSQ
NC
NC
V
DDQ
NC
DQ
1
V
SSQ
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
V
DD
NC
NC
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA
0
BA
1
AP / A
10
A
0
A
1
A
2
A
3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
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15
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20
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26
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28
29
30
31
32
33
66
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64
63
62
61
60
59
58
V
SS
NC
V
SSQ
NC
DQ
3
V
DDQ
NC
NC
V
SSQ
NC
DQ
2
V
DDQ
NC
NC
V
SSQ
的DQ
NC
V
REF
V
SS
DM
CK
CK
CKE
NC
A
12
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
V
SS
DQ
7
V
SSQ
NC
DQ
6
V
DDQ
NC
DQ
5
V
SSQ
NC
DQ
4
V
DDQ
NC
NC
V
SSQ
的DQ
NC
V
REF
V
SS
DM
CK
CK
CKE
NC
A
12
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
V
SS
DQ
15
V
SSQ
DQ
14
DQ
13
V
DDQ
DQ
12
DQ
11
V
SSQ
DQ
10
DQ
9
V
DDQ
DQ
8
NC
V
SSQ
UDQS
NC
V
REF
V
SS
UDM
CK
CK
CKE
NC
A
12
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
66Pin TSOPII
( 400mil X 875mil )
( 0.65毫米引脚间距)
银行地址
BA0~BA1
自动预充电
A10
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
512MB TSOP -II封装引脚
组织
128Mx4
64Mx8
32Mx16
行地址
A0~A12
A0~A12
A0~A12
列地址
A0~A9, A11, A12
A0-A9, A11
A0-A9
DM在内部装载匹配DQ和DQS相同。
行&列地址的配置
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修订版1.1 2009年11月
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