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K4T56043QF 256Mb的F-死DDR2 SDRAM (256Mb F-die DDR2 SDRAM)
.型号:   K4T56043QF
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描述: 256Mb的F-死DDR2 SDRAM
256Mb F-die DDR2 SDRAM
文件大小 :   477 K    
页数 : 27 页
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品牌   SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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100%
256Mb的F-死DDR2 SDRAM
工作温度条件
符号
豪饮者
参数
工作温度
等级
0至95
单位
°C
DDR2 SDRAM
笔记
1, 2
1.工作温度是在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。为测量条件,
请参阅JESD51.2标准。
2.在85 - 95
°C
工作温度范围内,在倍频刷新命令为32ms的周期( tREFI = 3.9美元)是必须的,
并进入到自刷新模式,在该温度范围内,一个EMRS命令需要改变内部的刷新率。
直流输入逻辑电平
符号
V
IH
(DC)的
V
IL
(DC)的
参数
DC输入逻辑高
DC输入逻辑低
分钟。
V
REF
+ 0.125
- 0.3
马克斯。
V
DDQ
+ 0.3
V
REF
- 0.125
单位
V
V
笔记
AC输入逻辑电平
符号
V
IH
(AC)的
V
IL
(AC)的
参数
AC输入逻辑高
AC输入逻辑低
DDR2-400 , DDR2-533
分钟。
V
REF
+ 0.250
-
马克斯。
-
V
REF
- 0.250
分钟。
V
REF
+ 0.200
V
REF
- 0.200
DDR2-667
马克斯。
AC输入测试条件
符号
V
REF
V
SWING ( MAX)
SLEW
条件
输入参考电压
输入信号的最大峰 - 峰摆幅
输入信号的最小转换速率
价值
0.5 * V
DDQ
1.0
1.0
V
V
V / ns的
单位
1
1
2, 3
笔记
注意事项:
1.输入波形时序参考输入信号交叉通过V
IH / IL
下测试(AC)的电平​​施加到该设备。
2.输入信号的最小压摆率要保持在从V的范围内
REF
到V
IH
交流(AC) min的上升沿和范围
从V
REF
到V
IL
(AC)的最大值为如图所示的下面图下降沿。
3. AC时序与来自V输入波形切换引用
IL
(交流)到V
IH
交流(AC)上的正跳变和V
IH
交流(AC)到
V
IL
交流(AC)上的负跳变。
V
DDQ
V
IH
( AC )分
V
SWING ( MAX)
V
IH
( DC )分
V
REF
V
IL
(DC)的最大
V
IL
(AC)的最大
三角洲TF
落摆=
V
REF
- V
IL
(AC)的最大
三角洲TF
TR增量
瑞星杀=
V
SS
V
IH
( AC )分 - V
REF
TR增量
<交流输入测试信号波形>
第10页27
修订版1.5 2005年2月
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