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K4T56043QF 256Mb的F-死DDR2 SDRAM (256Mb F-die DDR2 SDRAM)
.型号:   K4T56043QF
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描述: 256Mb的F-死DDR2 SDRAM
256Mb F-die DDR2 SDRAM
文件大小 :   477 K    
页数 : 27 页
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品牌   SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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100%
256Mb的F-死DDR2 SDRAM
差分输入AC逻辑电平
符号
V
ID
(AC)的
V
IX
(AC)的
注意事项:
参数
AC差分输入电压
AC差分交叉点电压
分钟。
0.5
0.5 * VDDQ - 0.175
马克斯。
V
DDQ
+ 0.6
0.5 * VDDQ + 0.175
单位
V
V
DDR2 SDRAM
笔记
1
2
1. V
ID
(AC)的指定输入差动电压|
TR
-V
CP
|所需的开关,其中V
TR
是真正的输入信号(如CK , DQS ,
LDQS或UDQS )和V
CP
是互补的输入信号(如CK , DQS , LDQS或UDQS ) 。的最小值等于V
IH
(AC)的
- V
IL
交流(AC) 。
2. V的典型值
IX
交流(AC)预计是约0.5 * VDDQ传送设备和V的
IX
(AC)的预期跟踪变化
在VDDQ 。 V
IX
( AC)表示在该差分输入信号必须跨越的电压。
V
DDQ
V
TR
V
CP
V
SSQ
<差分信号电平>
V
ID
交叉点
V
IX或
V
OX
差分交流输出参数
符号
V
OX
(AC)的
参数
AC差分交叉点电压
分钟。
0.5 * VDDQ - 0.125
马克斯。
0.5 * VDDQ + 0.125
单位
V
1
注意:
1. V的典型值
OX
交流(AC)预计是约0.5 * VDDQ传送设备和V的
OX
(AC)的预期跟踪变化
在VDDQ 。 V
OX
( AC)表示在该差分输出信号必须跨越的电压。
第11页共27
修订版1.5 2005年2月
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