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D048C033T020M1N  D048C030T020M2N  D048C050T014M2N  D048C030T018M2N  D048C030T016M1N  D048C030T014M1N  D048C018T010M1N  D048C025T012M1N  D048C018T016M1N  D048C015T016M1N  
K4T56043QF 256Mb的F-死DDR2 SDRAM (256Mb F-die DDR2 SDRAM)
.型号:   K4T56043QF
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描述: 256Mb的F-死DDR2 SDRAM
256Mb F-die DDR2 SDRAM
文件大小 :   477 K    
页数 : 27 页
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品牌   SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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100%
256Mb的F-死DDR2 SDRAM
2.2输入/输出功能描述
符号
CK , CK
TYPE
输入
功能
DDR2 SDRAM
时钟:
CK和CK是差分时钟输入。所有地址和控制输入信号进行采样
在CK和CK的下降沿的正沿的通道。输出(读出)的数据是参考
转制为CK和CK的交叉(交叉的两个方向) 。
时钟使能:
CKE高激活,并且CKE低停用,内部时钟信号和设备
输入缓冲器和输出驱动器。以CKE低提供预充电掉电和自
刷新操作(所有银行闲置) ,或Active掉电(行活动在任何一家银行) 。 CKE是同步
异步的对断电的入口和出口,以及用于自刷新进入。 CKE是异步的自我
刷新退出。 V后
REF
电源和初始化swquence中趋于稳定,这
必须保持所述CKE接收机的正常操作。对于正确的自我更新和录入
退出,V
REF
必须保持到该输入端。 CKE必须保持高通量和读
写访问。输入缓冲器,但不包括CK , CK , ODT和CKE是在断电期间禁用。
输入缓冲器,除CKE ,是在自刷新无效。
片选:
当CS为高注册的所有命令被屏蔽。 CS提供了外部
在具有多个秩秩系统选择。 CS被认为是命令代码的一部分。
片上终端:
ODT (注册HIGH )使终端电阻内部的DDR2
SDRAM 。当启用时, ODT仅施加到每个DQ , DQS , DQS , RDQS , RDQS ,和DM
信号X4 / X8配置。该ODT引脚如果扩展模式寄存器被忽略
置( EMRS )被编程为禁用的ODT 。
输入命令:
RAS , CAS和WE (连同CS )被定义输入的命令。
输入数据掩码:
DM为输入掩码信号为写入数据。当DM是输入数据被屏蔽
在写访问取样与输入数据的高重合。 DM采样上都
DQS的边缘。虽然DM引脚的输入而已, DM加载的DQ和DQS负载匹配
ING 。对于x8的设备,糖尿病或RDQS / RDQS的功能由EMRS命令启用。
银行地址输入:
BA0和BA1确定哪个银行的积极,读,写或预充电
命令被应用。银行地址也确定了模式寄存器和扩展模式
注册是在一个MRS或EMRS周期进行访问。
地址输入:
所提供的行地址为有效的命令和列地址和
自动预充电位读/写命令,选择一个位置,在该存储器阵列的
各银行。一个预充电命令中的A10进行采样,以确定是否预
收费适用于一家银行( A10 LOW)或所有银行( A10 HIGH ) 。如果只有一个存储体是成为预
充电时,该银行被选中BA0 , BA1 。地址输入期间也提供了操作码
模式寄存器设置命令。
数据输入/输出:
双向数据总线。
数据选通:
输出读取数据,输入与写入数据。边沿对齐的读数据,集中在
写入数据。对于x8的,使用的DM销的RDQS选项可以通过EMRS被启用(1) ,以简化
读时序。该数据选通信号DQS和RDQS ,可以使用在单端模式或配对
可选的互补信号DQS和RDQS ,以提供差分对信号发送给系统
在读取和写入操作。一个EMRS ( 1 )控制位使能或禁止所有补充数据
选通信号。
无连接:
无内部电气连接是否存在。
CKE
输入
CS
输入
ODT
RAS , CAS , WE
DM
输入
输入
输入
BA0 - BA1
输入
A0 - A12
输入
DQ
输入/输出
DQS ( DQS )
( RDQS ),( RDQS )
输入/输出
NC
V
DD
/V
DDQ
V
SS
/V
SSQ
V
DDL
V
SSDL
V
REF
供应
供应
供应
供应
供应
电源:
1.8V +/- 0.1V,
DQ电源:
1.8V +/- 0.1V
地面上,地面DQ
DLL电源:
1.8V +/- 0.1V
DLL地面
参考电压
本数据手册, "differential DQS signals"是指任何与A10 = 0 EMRS以下的( 1 )
X4 DQS / DQS
X8 DQS / DQS
如果EMRS (1)[ A 11 ] = 0
X8 DQS / DQS , RDQS / RDQS ,
如果EMRS (1)[ A 11 ] = 1
"single端DQS signals"是指任何与A10 = 1 EMRS的下述(1)
X4 DQS
X8 DQS
如果EMRS (1)[ A 11 ] = 0
x8的DQS , RDQS ,如果EMRS (1)[ A 11 ] = 1
第27 7
修订版1.5 2005年2月
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