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AP4301AM-C  AP3012  AP34063S8A  AP40T03GJ  AP2E600SZBE  AP2N600SZBE  AP40T03GH_08  AP3S  AP3039M-G1  AP3606  
K4T56043QF 256Mb的F-死DDR2 SDRAM (256Mb F-die DDR2 SDRAM)
.型号:   K4T56043QF
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描述: 256Mb的F-死DDR2 SDRAM
256Mb F-die DDR2 SDRAM
文件大小 :   477 K    
页数 : 27 页
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品牌   SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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100%
256Mb的F-死DDR2 SDRAM
3.绝对最大额定直流电压
符号
VDD
VDDQ
VDDL
V
IN
,
V
OUT
T
英镑
1.
参数
在VDD引脚相对于VSS的电压
相对到Vss引脚VDDQ电压
在VDDL引脚相对于VSS的电压
任何引脚相对于VSS的电压
储存温度
等级
- 1.0 V ~ 2.3 V
- 0.5 V ~ 2.3 V
- 0.5 V ~ 2.3 V
- 0.5 V ~ 2.3 V
-55到+100
DDR2 SDRAM
单位
V
V
V
V
°C
笔记
1
1
1
1
1, 2
应力大于“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。这是一个
值仅为器件在这些或以上的任何其他条件的功能操作在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性
的能力。
2.储存温度是在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。为测量条件,请
参考JESD51-2标准。
4.交流&直流工作条件
建议的直流工作条件( SSTL - 1.8 )
符号
VDD
VDDL
VDDQ
VREF
VTT
参数
电源电压
电源电压为DLL
电源电压输出
输入参考电压
终止电压
等级
分钟。
1.7
1.7
1.7
0.49*VDDQ
V
REF
-0.04
典型值。
1.8
1.8
1.8
0.50*VDDQ
V
REF
马克斯。
1.9
1.9
1.9
0.51*VDDQ
V
REF
+0.04
单位
V
V
V
mV
V
4
4
1,2
3
笔记
有没有具体的器件VDD电源电压要求SSTL- 1.8合规性。但在所有条件必须VDDQ
小于或等于VDD以下。
1. VREF的值可以由用户进行选择,以提供最佳的噪声容限的系统。通常VREF值是
预计是约0.5× VDDQ传送设备的和VREF ,预计在VDDQ的跟踪变化。
2.峰值到峰值的VREF交流噪声不得超过+/- 2 % VREF ( DC) 。
3. VTT的发送装置的必须跟踪接收装置的VREF。
4. AC参数测量VDD , VDDQ和VDDDL绑在一起。
第9页的27
修订版1.5 2005年2月
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