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2SK3742  2SK3726-01MR  2SK3748  2SK3711_07  2SK3725-01  2SK3753-01R  2SK3737  2SK3748  2SK3746  2SK3742_09  
K4Y50044UC 512Mbit的XDR DRAM TM ( C-模) (512Mbit XDR TM DRAM(C-die))
.型号:   K4Y50044UC
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描述: 512Mbit的XDR DRAM TM ( C-模)
512Mbit XDR TM DRAM(C-die)
文件大小 :   3447 K    
页数 : 76 页
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品牌   SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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100%
K4Y50164UC
K4Y50084UC
K4Y50044UC
K4Y50024UC
XDR
TM
DRAM
6.0框图
的XDR DRAM器件的框图如图2所示。它显示所有接口引脚和主要内部模块。
的CFM与CFMN时钟信号被接收和使用的时钟信号产生逻辑产生三个虚拟时钟信号: 1 /吨
周期
,
2/t
周期
和16 /吨
CC
。这些信号的频率是1X,2X和8x的CFM和CFMN信号。这些虚拟信号显示
逻辑块到它们所连接的有效数据速率;它们不一定存在于实际存储器组件。
该RQ11 ... RQ0引脚接收到请求包。 2个12位字的1吨收到
周期
间隔。这是由2 /吨表示
周期
时钟连接到信号1 : 2解复用模块的组装24位请求数据包。这些24位数据被加载到一个寄存器
之三(由1 / T主频
周期
时钟信号),并通过译码块解码。在V
REF
针供给用的一个参考电压
RQ接收器。
三组控制信号由译码块产生的。这些措施包括为激活( ACT ) ,银行( BA)和行(R )地址
命令,用于刷新激活( REFA )命令银行(BR)和行( REFR )地址,银行(BP)的地址为一个预充电(PRE)
命令,该行(BR) adddress要刷新预充电( REFP )的命令,并在银行( BC)和列(C和SC)的地址为一
读( RD )或写( WR或WRM )命令。此外,掩模(M),用于掩蔽写( WRM)命令。
这些命令都可以任意延迟吨的增量
周期
根据在请求延迟字段的控制。的控制信号
这些命令被装入寄存器并提交给存储芯。这些寄存器的时钟频率决定的最大速率
由核心定时参数,在这种情况下的1 /吨
RR
, 1/t
PP
和1 /吨
CC
(1/4 ,1/4,和1/2的CFM中-3200分量的频率)。这些
寄存器可以在任意t装
周期
上升沿。一旦加载,他们不应该被改变,直到一吨
RR
, t
PP
或T
CC
后来因为时间
内存核心的时序路径需要时间来解决。
银行地址译码为ACT命令。选定的存储区所指示的行被检测并放置到相关的读出
放大器阵列为银行。感测排也被称为“打开一个网页”为银行。
另一家银行的地址译码的PRE命令。指示的银行,相关的读出放大器阵列预充电到一个状态
其后续的ACT命令可以应用。预充电银行也被称为“关闭页面”的银行。
之后,银行给出的ACT命令,它被赋予了PRE命令之前,它可能会接收读取( RD )和写( WR )列命令。
这些指令允许被访问的行的相关的读出放大器阵列中的数据。
对于一个写命令,该行地址解码。选择银行的相关检测放大器阵列的显示列写
与来自DQ15 ... DQ0管脚接收到的数据。
该行地址解码为RD命令。选择银行的相关检测放大器阵列的显示列读出。该
数据被发送到DQ15 ... DQ0引脚。
该DQ15 ... DQ0引脚接收的写数据分组(D)的一个写事务处理。 16 16位字的1吨收到
CC
间隔。这
由16 /吨表示
CC
时钟连接到1:16解复用模块的组装16×16位的写入数据包信号。写
然后数据被驱动到所选择的检测放大器阵列行。
16 16位字,在选择检测放大器阵列银行存取的读事务。在DQ15 ... DQ0传输引脚读
数据包在一吨( Q)的
CC
间隔。这是由16 /吨表示
CC
时钟连接到16个信号: 1 Mux模块。在V
TERM
销用品
终止电压为DQ管脚。
在RST ,SCK和CMD引脚连接到控制寄存器块。这些引脚提供所需写入的数据,地址和conrol
控制寄存器。对于这些寄存器读出的数据是通过将SDO / SDI引脚访问。这些引脚还用于初始化该设备。
控制寄存器用于功率模式间的转换,并且还用于校准高速的发送和接收
该装置的电路。控制寄存器还提供银行( REFB )和行( REFR )地址刷新操作。
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修订版1.1 2006年8月
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