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SMAJ15A  SMJ320C6713GGP20EP  B32560J1335C000  RM515A106JAZ650  STE330CC5  FMX-325DE20C1  STE550FS10  FMX-532BB20A1  VBC315027ATDCA  RM515C106JAP650  
K4Y50044UC 512Mbit的XDR DRAM TM ( C-模) (512Mbit XDR TM DRAM(C-die))
.型号:   K4Y50044UC
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描述: 512Mbit的XDR DRAM TM ( C-模)
512Mbit XDR TM DRAM(C-die)
文件大小 :   3447 K    
页数 : 76 页
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品牌   SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
K4Y50164UC
K4Y50084UC
K4Y50044UC
K4Y50024UC
XDR
TM
DRAM
0.0概述
的XDR DRAM设备是一个通用的高性能存储装置适用于广泛的应用范围,
包括计算机存储器,图形,视频,并且其中高带宽和低延迟的所需的任何其它应用程序。
512MB的XDR DRAM器件是CMOS DRAM组织为32M的话由16位。利用差分RAMBUS信号的
级( DRSL )技术允许4000/3200/2400 Mb / s的传输速率,而使用传统的系统和电路板设计技术。
XDR DRAM器件能够持续数据传输速度高达8000 MB /秒。
XDR DRAM装置结构允许的最高持续带宽为多,交错随机寻址的存储器交易
系统蒸发散。超过95 %的利用率高,有效的协议收益率,同时允许精细的访问granuarity 。该器件的八家银行支持最多
四个交错的交易。
1.0功能
最高引脚可用带宽
- 4000/3200/2400 Mb / s的八通道数据速率( ODR )信令
双向差分RSL ( DRSL )
- 灵活的读/写带宽分配
- 最少引脚数
片内匹配
- 自适应阻抗匹配
- 降低系统成本和复杂性的路由
每个DRAM器件的最高持续带宽
- 高达8000 MB / s的持续数据传输率
- 八家银行:全带宽银行交织的交易
- 动态请求调度
- 早期阅读后写,效率最高的支持
- 零刷新占用
低延迟
- 2.0 / 2.5 / 3.33ns请求数据包
- 点 - 点的最快飞行时间数据互连
- 支持低等待时间,快速循环芯
低功耗
- 1.8V V
DD
- 可编程的小摆幅I / O信号( DRSL )
- 低功耗PLL / DLL的设计
- 掉电自刷新支持
- 每个引脚的I / O断电的窄幅运行
0.49us刷新间隔( 32K / 16ms的刷新)
符合RoHS
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修订版1.1 2006年8月
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