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1N4746A  1N4741A  1N4747A  1N4742A  1N4742A  1N4743A  1N4742A  1N4741A  1N4743A  1N4746A  
K4Y50044UC 512Mbit的XDR DRAM TM ( C-模) (512Mbit XDR TM DRAM(C-die))
.型号:   K4Y50044UC
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描述: 512Mbit的XDR DRAM TM ( C-模)
512Mbit XDR TM DRAM(C-die)
文件大小 :   3447 K    
页数 : 76 页
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品牌   SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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100%
K4Y50164UC
K4Y50084UC
K4Y50044UC
K4Y50024UC
XDR
TM
DRAM
3.0概述
在图1中的时序图说明的XDR DRAM器件的写入和读取数据。有三组管脚用于正常
存储器存取交易: CFM / CFMN时钟引脚, RQ11..0请求引脚和DQ15..0 / DQN15..0数据引脚。第“N ”附加到
信号名称表示一个差分对的互补信号。
事务是完成一个内存访问所需的数据包的集合。数据包是在总线的信号的一组位Windows 。
有两辆公交车携带的包:在RQ总线和DQ总线。该RQ总线上的每个数据包使用一组2位窗户上的每个信号,
而DQ总线使用一组的每个信号16位的窗口。
在时钟边沿T IN图1中,请求分组(对RQ总线上)中所示的写事务处理
0
包含激活( ACT )的命令。这
导致银行的Ba行Ra位于存储器组件被加载到所述读出放大器阵列,用于银行。在第二个请求包
时钟边沿牛逼
1
包含一个写(WR)命令。这会导致数据分组D( a1)的在边缘Ť
4
要写入的意义栏Ca1的
放大器阵列银行巴。在时钟边沿T A第三个请求包
3
包含另一个写( WR )命令。这会导致数据包
D( A2 )的边缘牛逼
6
也被写入到列钙。在时钟边沿T A最后一个请求数据包
13
包含一个预充电(PRE)命令。
该请求数据包之间的间隔被限制在图中下面的时间参数:吨
RCD -W
, t
CC
和叔
WRP
。在
此外,该请求包和数据包之间的间隔是通过将n约束
CWD
参数。在CFM /间距
CFMN时钟边沿为t受限
周期
.
图1 : XDR DRAM器件的写入和读取交易
T
0
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
T
7
T
8
T
9
T
10
T
11
T
12
T
13
T
14
T
15
T
16
T
17
T
18
T
19
T
20
T
21
T
22
T
23
CFM
CFMN
WR
RQ11..0 ACT WR
a0 a1
a2
t
RCD -W
t
CC
DQ15..0
t
CWD
DQN15..0
t
WRP
D(a1)
D(a2)
A0 = {钡,镭}
A1 = { BA, Ca1的}
A2 = {钡,钙}
A3 = { }霸
写事务
T
0
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
T
7
T
8
T
9
T
10
T
11
T
12
T
13
T
14
T
15
T
16
T
17
T
18
T
19
T
20
T
21
T
22
T
23
CFM
CFMN
RQ11..0 ACT
a0
DQ15..0
DQN15..0
t
RCD -R
RD
a1
t
CC
RD
a2
t
RDP
PRE
a3
Q(a1)
Q(a2)
A2 = {钡,钙}
A3 = { }霸
读事务
读出的交易显示了在时钟边沿T A请求数据包
0
包含ACT命令。这将导致银行巴中MEM-的行RA
储器组件加载到所述读出放大器阵列,用于银行。在时钟边沿T A第二个请求包
5
包含读( RD )命令。
这导致在边缘T中的数据包Q( a1)的
11
可以从读出放大器阵列,用于银行的Ba柱Ca1的读取。第三个请求包
在时钟边沿牛逼
7
包含另一个RD命令。这导致在边缘T中的数据包Q( a2)的
13
也可以从塔的Ca2读取。最后一个
在时钟边沿牛逼请求包
10
包含PRE命令。
该请求数据包之间的间隔被限制在图中下面的时间参数:吨
RCD -R
, t
CC
和叔
RDP
。在
此外,请求和数据分组之间的间隔是通过将n约束
CAC
参数。
*任何系统或应用程序结合随机存取记忆体产品应合理设计,测试和验证,以确保
正确使用或这些产品的内存访问。不成比例的,过度的和/或重复访问一个特定的地址或
地址可能会导致降低产品的使用寿命。
t
周期
PRE
a3
t
周期
交易一: WR
t
CAC
交易一: RD
A0 = {钡,镭}
A1 = { BA, Ca1的}
5 76
修订版1.1 2006年8月
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