电子元器件数据表 IC PDF查询
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CD54HC138M  UPD78C14GF-XXX-3BE  CD54HC132M  CD54HC139M  UPD78C18CW-XXX  UPD78F0058Y  CD54HC109M  CD54HC109EN  UPD78F0058  CD54HC126F  
K9F5608U0C-YCB0 512MB / 256MB 1.8V NAND闪存勘误表 (512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata)
.型号:   K9F5608U0C-YCB0
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描述: 512MB / 256MB 1.8V NAND闪存勘误表
512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
文件大小 :   654 K    
页数 : 39 页
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品牌   SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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100%
电子
三月。 2003
圣16半月里
泰安邑Hwasung-市
京畿待办事项,韩国
联系电话), 82 - 31 - 208 - 6463
传真) 82 - 31 -208 - 6799
512MB / 256MB 1.8V NAND闪存勘误表
说明:有些交流特性不符合规范
.
>交流特性:请参考表
受影响的产品: K9F1208Q0A - XXB0 , K9F1216Q0A , XXB0
K9F5608Q0C - XXB0 , K9F5616Q0C , XXB0
K9K1208Q0C - XXB0 , K9K1216Q0C , XXB0
改进计划:如果没有这个限制,这些部件将
可从工作周23或之后。
解决方法:根据上表放宽有关时序参数。
参数
规范
宽松的条件
TWC
45
80
亿千瓦时
15
20
TWP
25
60
TRC
50
80
tREH定义
15
20
激进党
25
60
单位: NS
TREA
30
60
TCEA
45
75
此致,
chwoosun@sec.samsung.com
产品规划&应用工程。
存储事业部
三星电子有限公司
1
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