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K9F5608Q0C
K9F5608D0C
K9F5608U0C
K9F5616Q0C
K9F5616D0C
K9F5616U0C
FL灰内存
文档标题
32M ×8位, 16M x 16位NAND闪存
修订历史
修订历史号
0.0
1.0
首次发行。
的TBGA虚设球1.Pin分配改变。
(前) DNU --> (后) N.C
2.添加卢比VS TR , TF &卢比VS ibusy图的1.8V器件(第36页)
3.添加数据保护的Vcc guidence为1.8V器件 - 低于约
1.1V 。 (第37页)
4.添加块锁定机制的规范。 (页32 〜 35 )
的TBGA A3球5引脚分配发生变化。
(前) N.C --> (后) Vss的
的WSOP # 38引脚6引脚分配发生变化。
(前) LOCKPRE --> (后) N.C
2.0
1.最大工作电流改变。
程序: ICC2 20毫安 - >25毫安
删除: ICC3 20毫安 - >25毫安
最小。 VCC值1.8V器件被改变。
K9F56XXQ0C : Vcc的1.65V 〜 1.95V --> 1.70V 〜 1.95V
无铅封装添加。
K9F5608U0C-FCB0,FIB0
K9F5608Q0C-HCB0,HIB0
K9F5616U0C-HCB0,HIB0
K9F5616U0C-PCB0,PIB0
K9F5616Q0C-HCB0,HIB0
K9F5608U0C-HCB0,HIB0
K9F5608U0C-PCB0,PIB0
勘误加入。 (头版) -K9F56XXQ0C
规范
宽松价值
2.4
TWC亿千瓦时TWP的tRC tREH的激进党TREA TCEA
45 15 25 50 15 25 30
45
60 20 40 60 20 40 40
55
2003年4月4日
2003年6月30日
2003年1月17日
初步
草案日期
2002年4月25日
2002年Dec.14th
备注
ADVANCE
初步
2.1
2003年3月5日
初步
2.2
三月第13 2003
2.3
2003年3月26日
无效的块的数目的新定义加入。
(最低
1004块有效的保证了每个连续的128Mb
存储器空间)。
1. LOCKPRE引脚的使用与引导改变。
别离开它NC不使用锁机构& POWER- ON AUTO-
t
READ ,它连接Vss的。 (之前)
-->不使用锁机构&上电自动读取,连
它VSS或离开它N.C (后)
2. 2.65V设备添加。
3.Note加入。
( VIL可以下冲至-0.4V和VIH可以过冲至VCC + 0.4V的
20 ns以下的持续时间。 )
2.5
注:欲了解更多详细的功能以及规格,包括常见问题解答,请参考三星的Flash网站。
s
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 , LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问,请联系三星分支机构靠近你。
1
K9F5608Q0C
K9F5608D0C
K9F5608U0C
K9F5616Q0C
K9F5616D0C
K9F5616U0C
FL灰内存
文档标题
32M ×8位, 16M x 16位NAND闪存
修订历史
修订历史号
2.6
1.8V器件1. TREA值被改变。
K9F56XXQ0C : TREA 30ns的-->为35ns
2.勘误表被删除。
草案日期
2003年8月18日
备注
注:欲了解更多详细的功能以及规格,包括常见问题解答,请参考三星的Flash网站。
s
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 , LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问,请联系三星分支机构靠近你。
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K9F5608Q0C
K9F5608D0C
K9F5608U0C
K9F5616Q0C
K9F5616D0C
K9F5616U0C
FL灰内存
32M ×8位/ 16M x 16位NAND闪存
产品列表
产品型号
K9F5608Q0C-D,H
K9F5616Q0C-D,H
K9F5608D0C-Y,P
K9F5608D0C-D,H
K9F5616D0C-Y,P
K9F5616D0C-D,H
K9F5608U0C-Y,P
K9F5608U0C-D,H
K9F5608U0C-V,F
K9F5616U0C-Y,P
K9F5616U0C-D,H
2.7 ~ 3.6V
X16
X8
2.4 ~ 2.9V
X16
VCC范围
1.70 ~ 1.95V
组织
X8
X16
X8
TSOP1
TBGA
TSOP1
TBGA
TSOP1
TBGA
WSOP1
TSOP1
TBGA
PKG型
TBGA
特点
电源
- 1.8V器件( K9F56XXQ0C ) : 1.70 〜 1.95V
- 2.65V设备( K9F56XXD0C ) : 2.4 〜 2.9V
- 3.3V器件( K9F56XXU0C ) : 2.7 〜 3.6 V
组织
- 存储单元阵列
- X8设备( K9F5608X0C ) : ( 32M + 1024K )位×8位
- X16设备( K9F5616X0C ) : ( 16M + 512K )位x 16位
- 数据寄存器
- X8设备( K9F5608X0C ) : ( 512 + 16 )位x 8位
- X16装置( K9F5616X0C ):( 256 + 8)位x16bit
自动编程和擦除
- 页编程
- X8设备( K9F5608X0C ) : ( 512 + 16 )字节
- X16设备( K9F5616X0C ) : ( 256 + 8 )字
- 块擦除:
- X8设备( K9F5608X0C ) : ( 16K + 512 )字节
- X16设备( K9F5616X0C ) : ( 8K + 256 )字
页面读取操作
- 页面大小
- X8设备( K9F5608X0C ) : ( 512 + 16 )字节
- X16设备( K9F5616X0C ) : ( 256 + 8 )字
- 随机存取
:为10μs (最大值)
- 串行页面访问:为50ns (最小值)
快速写周期时间
- 计划时间:为200μs (典型值)
- 块擦除时间: 2毫秒(典型值)。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力
: 100K编程/擦除周期
- 数据保存: 10年
命令寄存器操作
智能拷贝回
独特的ID为版权保护
上电自动读取操作
安全锁机制
- K9F56XXX0C - YCB0 / YIB0
48 - 引脚TSOP I( 12 ×20 / 0.5 mm间距)
- K9F56XXX0C - DCB0 / DIB0
63-球TBGA ( 9× 11 /0.8mm间距,宽度1.0毫米)
- K9F5608U0C - VCB0 / VIB0
48 - 针WSOP I( 12X17X0.7mm )
- K9F56XXX0C - PCB0 / PIB0
48 - 引脚TSOP I( 12 ×20 / 0.5 mm间距) - 无铅封装
- K9F56XXX0C - HCB0 / HIB0
63-球TBGA ( 9× 11 /0.8mm间距,宽度1.0毫米)
- 无铅封装
- K9F5608U0C - FCB0 / FIB0
48 - 针WSOP I( 12X17X0.7mm ) - 无铅封装
* K9F5608U0C - V,F ( WSOPI )是相同的设备
K9F5608U0C -Y , P( TSOP1 )除了封装类型。
概述
提供在32Mx8bit或16Mx16bit的K9F56XXX0C是256M位有空余8M比特的容量。该器件采用1.8V , 2.65V ,
3.3V的Vcc 。它的NAND单元提供了最具成本效益的解决方案,为固态大容量存储市场。可以在程序运行
一个528字节(X8设备)上的典型的为200ps来执行,或者264字( X16设备)页和擦除操作可在执行
在16K字节的典型2ms的( X8设备)或8K字( X16器件)模块。在页面的数据可以在每个字50ns的周期时间被读出。
在I / O引脚作为地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。片上写控制全部实现自动化
编程和擦除功能,包括脉冲重复,在必要时,和内部验证和数据的裕度。即使是
写密集型系统可以采取K9F56XXX0C的扩展的100K计划的可靠性优势/提供擦除周期
ECC (纠错码)与实时映射出的算法。
该K9F56XXX0C为大的非易失性存储应用的诸如固态存储文件和其他便携的最佳解决方案
应用程序需要非易失性。
3
K9F5608Q0C
K9F5608D0C
K9F5608U0C
K9F5616Q0C
K9F5616D0C
K9F5616U0C
FL灰内存
引脚配置( TSOP1 )
K9F56XXU0C-YCB0,PCB0/YIB0,PIB0
X16
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
R / B
RE
CE
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
X8
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
R / B
RE
CE
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
X8
N.C
N.C
N.C
N.C
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
N.C
N.C
LOCKPRE
VCC
VSS
N.C
N.C
N.C
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
N.C
N.C
N.C
N.C
X16
VSS
I/O15
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
N.C
LOCKPRE
VCC
N.C
N.C
N.C
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
VSS
包装尺寸
48 -PIN铅/铅免费塑料轻薄小本OUT直插式封装类型(I )
48 - TSOP1 - 1220F
单位:毫米/英寸
0.10
最大
0.004
#48
( 0.25 )
0.010
12.40
0.488 MAX
0.50
0.0197
#24
#25
1.00
±0.05
0.039
±0.002
0.25
0.010 TYP
18.40
±0.10
0.724
±0.004
+0.075
20.00
±0.20
0.787
±0.008
0.008
-0.001
+0.07
+0.003
0.20
-0.03
#1
12.00
0.472
0.05
0.002 MIN
0.125
0.035
0~8°
0.45~0.75
0.018~0.030
( 0.50 )
0.020
4
0.005
-0.001
+0.003
1.20
0.047MAX
K9F5608Q0C
K9F5608D0C
K9F5608U0C
K9F5616Q0C
K9F5616D0C
K9F5616U0C
K9F56XXX0C-DCB0,HCB0/DIB0,HIB0
X8
1
2
3
4
5
6
N.C N.C
N.C N.C
/ WP
NC
ALE
/ RE
NC
NC
NC
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
CLE
NC
NC
NC
NC
NC
/ CE
NC
NC
NC
NC
NC
VCCQ
/ WE
NC
NC
NC
R / B
FL灰内存
X16
1
N.C N.C
N.C
/ WP
NC
ALE
/ RE
NC
NC
NC
VSS
CLE
NC
NC
NC
/ CE
NC
NC
NC
I/O5
/ WE
NC
NC
NC
R / B
NC
NC
NC
引脚配置( TBGA )
2
3
4
5
6
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
A
B
N.C
A
B
NC
C
NC
NC
NC
C
NC
D
NC
D
NC
E
NC
NC LOCKPRE
NC
I/O5
I/O6
VCC
I/O7
VSS
E
NC
I / O7 LOCKPRE
VCC
F
NC
F
I / O8 I / O1 I / O10 I / O12 IO14
G
H
NC
VSS
I / O3 I / O4
G
I/O0
I / O9 I / O3 VCCQ I / O6 I / O15
I / O2 I / O11 I / O4 I / O13 Vss的
H
VSS
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
顶视图
N.C N.C
顶视图
包装尺寸
63球TBGA (以毫米计)
顶视图
底部视图
9.00
±0.10
0.80 x 9= 7.20
0.80 x 5= 4.00
9.00
±0.10
( DATUM A)
A
6
5
0.80
4
3
2
1
B
#A1
A
B
0.80 x11= 8.80
0.90
±0.10
0.80 x7= 5.60
2.00
0.32
±0.05
0.45
±0.05
( DATUM B)
C
D
E
0.80
11.00
±0.10
2.80
F
G
H
63-∅0.45
±0.05
0.20
M
A B
SIDE VIEW
9.00
±0.10
0.08MAX
5
11.00
±0.10
相关元器件产品Datasheet PDF文档

K9F5616D0C-P

32M x 8 Bit 16M x 16 Bit NAND Flash Memory
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K9F5616D0C-Y

32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory
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