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描述:
IMISC410ACK  IMISC403AXB  IMISC402AXB  IMI145152YB  IMI145152028ST  IMH3  IMIC9850A  IMIB9948  IMF4  IMDP-67205L-45  
K9F5616D0C-H 32M ×8位16M x 16位NAND闪存 (32M x 8 Bit 16M x 16 Bit NAND Flash Memory)
.型号:   K9F5616D0C-H
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描述: 32M ×8位16M x 16位NAND闪存
32M x 8 Bit 16M x 16 Bit NAND Flash Memory
文件大小 :   675 K    
页数 : 41 页
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品牌   SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
K9F5608Q0C
K9F5608D0C
K9F5608U0C
K9F5616Q0C
K9F5616D0C
K9F5616U0C
FL灰内存
文档标题
32M ×8位, 16M x 16位NAND闪存
修订历史
修订历史号
0.0
1.0
首次发行。
的TBGA虚设球1.Pin分配改变。
(前) DNU --> (后) N.C
2.添加卢比VS TR , TF &卢比VS ibusy图的1.8V器件(第36页)
3.添加数据保护的Vcc guidence为1.8V器件 - 低于约
1.1V 。 (第37页)
4.添加块锁定机制的规范。 (页32 〜 35 )
的TBGA A3球5引脚分配发生变化。
(前) N.C --> (后) Vss的
的WSOP # 38引脚6引脚分配发生变化。
(前) LOCKPRE --> (后) N.C
2.0
1.最大工作电流改变。
程序: ICC2 20毫安 - >25毫安
删除: ICC3 20毫安 - >25毫安
最小。 VCC值1.8V器件被改变。
K9F56XXQ0C : Vcc的1.65V 〜 1.95V --> 1.70V 〜 1.95V
无铅封装添加。
K9F5608U0C-FCB0,FIB0
K9F5608Q0C-HCB0,HIB0
K9F5616U0C-HCB0,HIB0
K9F5616U0C-PCB0,PIB0
K9F5616Q0C-HCB0,HIB0
K9F5608U0C-HCB0,HIB0
K9F5608U0C-PCB0,PIB0
勘误加入。 (头版) -K9F56XXQ0C
规范
宽松价值
2.4
TWC亿千瓦时TWP的tRC tREH的激进党TREA TCEA
45 15 25 50 15 25 30
45
60 20 40 60 20 40 40
55
2003年4月4日
2003年6月30日
2003年1月17日
初步
草案日期
2002年4月25日
2002年Dec.14th
备注
ADVANCE
初步
2.1
2003年3月5日
初步
2.2
三月第13 2003
2.3
2003年3月26日
无效的块的数目的新定义加入。
(最低
1004块有效的保证了每个连续的128Mb
存储器空间)。
1. LOCKPRE引脚的使用与引导改变。
别离开它NC不使用锁机构& POWER- ON AUTO-
t
READ ,它连接Vss的。 (之前)
-->不使用锁机构&上电自动读取,连
它VSS或离开它N.C (后)
2. 2.65V设备添加。
3.Note加入。
( VIL可以下冲至-0.4V和VIH可以过冲至VCC + 0.4V的
20 ns以下的持续时间。 )
2.5
注:欲了解更多详细的功能以及规格,包括常见问题解答,请参考三星的Flash网站。
s
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 , LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问,请联系三星分支机构靠近你。
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