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CDNBS08-PLC03-3.3_10  SMAJ110  SMAJ110  SMAJ110  CDNBS08-PLC03-6  CDNBS08-PLC03-6_09  SMAJ11  SMAJ10CA  SMAJ11  CDNBS08-PLC03-3.3  
K9K1208U0M-YCB0 64M ×8位NAND闪存 (64M x 8 Bit NAND Flash Memory)
.型号:   K9K1208U0M-YCB0
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描述: 64M ×8位NAND闪存
64M x 8 Bit NAND Flash Memory
文件大小 :   353 K    
页数 : 26 页
Logo:   
品牌   SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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K9K1208U0M - YCB0 , K9K1208U0M , YIB0
文档标题
64M ×8位NAND闪存
修订历史
版本号
0.0
FL灰内存
历史
1.初始发行
- 以下是K9K5608U0M (256间disprepancy项目
DDP)和K9K1208U0M (512MB DDP ) 。
AC特性
读周期时间( TRC)
写周期时间( TWC )
WE高保持时间(亿千瓦时)
数据保持时间( TDH )
稀土高保持时间( tREH定义)
K9K5608U0M
分钟。为50ns
分钟。为50ns
分钟。 15ns的
分钟。为10ns
分钟。 15ns的
K9K1208U0M
分钟。为60ns
分钟。为60ns
分钟。 25ns的
分钟。 15ns的
分钟。 25ns的
草案日期
2000年6月19日
备注
初步
0.1
1.更改输入/输出电容
- 输入/输出电容(最大) : 20 pF的--> 30pF的
- 输入电容(最大) : 20 pF的--> 30pF的
1.改变SE引脚说明
- SE建议耦接到GND或Vcc和不应该
读或编程过程中切换。
1.不要更改“护理模式在地址周期
t
- * X可以是"High"或"Low" = > * L必须设置为"Low"
2.解释如何指针操作的工作细节。
3.更名为GND输入(引脚# 6 )代的SE (引脚# 6 )
- 该SE的输入控制所述备用区的访问。当SE是高的,
备用区不进行读取或编程访问。 SE是REC
ommended要被连接到GND或Vcc和不应该进行切换
在读取或编程。
= >连接该输入引脚连接到GND或设置为静态低状态,除非
连续读取模式不包括备用区使用。
4.更新tRST时间计时操作
- 如果复位指令( FFH )写在就绪状态下,器件进入
繁忙的最大5us的。
2000年6月24日
初步
0.2
2000年7月17日
最终科幻
0.3
二〇〇〇年十一月二十日
注:欲了解更多详细的功能以及规格,包括常见问题解答,请参考三星的Flash网站。
s
http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 , LTD 。保留
右来改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您
有任何问题,请联系三星分公司附近的办公室。
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