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KM416C1004C , KM416C1204C
KM416V1004C , KM416V1204C
CMOS DRAM
1米x 16Bit的CMOS动态随机存储器与扩充数据输出
描述
这是一个家庭的1,048,576 ×16位扩展数据输出CMOS DRAM的。扩展数据输出模式提供了高速随机存取
同一行内的存储单元,即所谓的超级页面模式。电源电压( + 5.0V或+ 3.3V ) ,刷新周期( 1K参考或4K
参考) ,访问时间(-45 ,-5或-6) ,功耗(普通或低功率)以及包类型( SOJ或TSOP- II)中的任选的特征
这个家庭。所有这些家庭都有CAS先于RAS的刷新, RAS只刷新和隐藏刷新功能。此外,自刷新
操作是在L型版本。这1Mx16 EDO DRAM模式系列采用了三星先进的CMOS工艺制造
实现高带宽,低功耗和高可靠性。它也可以用作用于微型计算机图形存储器单元,个人
计算机和便携式计算机。
特点
部分鉴定
- KM416C1004C / C -L ( 5V , 4K REF)
- KM416C1204C / C -L ( 5V , 1K参考)
- KM416V1004C / C -L ( 3.3V , 4K REF)
- KM416V1204C / C -L ( 3.3V , 1K参考)
有源功率耗散
速度
4K
-45
-5
-6
-
324
288
3.3V
1K
-
504
468
4K
550
495
440
单位:毫瓦
5V
1K
825
770
715
•扩展数据输出模式操作
(带扩展数据输出快速页面模式)
• 2 CAS字节/字的读/写操作
• CAS先于RAS的刷新功能
• RAS-只和隐藏刷新功能
•自刷新功能(L -版本只)
• TTL ( 5V ) / LVTTL ( 3.3V )兼容的输入和输出
•早期写或输出使能控制的写
?? JEDEC标准引脚
•提供塑料SOJ 400mil和TSOP ( II )包
•单+ 5V ± 10 %电源( 5V产品)
•单+ 3.3V ± 0.3V电源( 3.3V产品)
刷新周期
部分
C1004C
V1004C
C1204C
V1204C
V
CC
5V
3.3V
5V
3.3V
1K
16ms
刷新
周期
4K
刷新周期
正常
64ms
128ms
L-版本
RAS
UCAS
LCAS
W
功能框图
控制
VCC
VSS
DATA IN
卜FF器
读出放大器& I / O
数据输出
卜FF器
DATA IN
卜FF器
数据输出
卜FF器
VBB发生器
刷新计时器
刷新控制
行解码器
DQ0
to
DQ7
性能范围
速度
-45
-5
-6
刷新计数器
存储阵列
1,048,576 x16
细胞
OE
DQ8
to
DQ15
t
RAC
45ns
50ns
60ns
t
CAC
13ns
15ns
17ns
t
RC
69ns
84ns
104ns
t
HPC
16ns
20ns
25ns
备注
5V/3.3V
5V/3.3V
5V/3.3V
A0-A11
(A0 - A9)
*1
A0 - A7
(A0 - A9)
*1
行地址缓冲器
上校地址缓冲器
列解码器
注)
*1
: 1K刷新
三星电子有限公司
保留的权利
改变产品规格,恕不另行通知。
KM416C1004C , KM416C1204C
KM416V1004C , KM416V1204C
CMOS DRAM
引脚配置
(俯视图)
•KM416C/V10(2)04CJ
•KM416C/V10(2)04CT
V
CC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
N.C
N.C
W
RAS
*A11(N.C)
*A10(N.C)
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
V
SS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
V
SS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
N.C
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
V
CC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
N.C
N.C
N.C
W
RAS
*A11(N.C)
*A10(N.C)
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
V
SS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
V
SS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
N.C
N.C
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
* A10和A11是NC的KM416C / V1204C ( 5V / 3.3V , 1K参考品)
记者: 400mil 42 SOJ
T: 400mil 50 ( 44 ) TSOP II
引脚名称
A0 - A11
A0 - A9
DQ0 - 15
V
SS
RAS
UCAS
LCAS
W
OE
V
CC
N.C
引脚功能
地址输入( 4K产品)
地址输入( 1K产品)
IN / OUT数据
行地址选通
上部列地址选通
下列地址选通
读/写输入
数据输出使能
Power(+5V)
Power(+3.3V)
无连接
KM416C1004C , KM416C1204C
KM416V1004C , KM416V1204C
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路输出电流
符号
3.3V
V
IN,
V
OUT
V
CC
TSTG
P
D
I
OS
-0.5到+4.6
-0.5到+4.6
-55到+150
1
50
等级
CMOS DRAM
单位
5V
-1.0到+7.0
-1.0到+7.0
-55到+150
1
50
V
V
°C
W
mA
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能出现*永久性设备损坏。功能操作应限制
在条件详见本数据表的业务部门。暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
(参考电压到Vss ,T
A
= 0 〜70℃ )
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
3.0
0
2.0
-0.3
*2
3.3V
典型值
3.3
0
-
-
最大
3.6
0
V
CC
+0.3
*1
0.8
4.5
0
2.4
-1.0
*2
5V
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+1.0
*1
0.8
V
V
V
V
单位
*1 : V
CC
+ 1.3V /为15ns ( 3.3V ) ,V
CC
+ 2.0V /为20ns ( 5V ) ,脉冲宽度测量V
CC
* 2 : -1.3V /为15ns ( 3.3V ) , -2.0V /为20ns ( 5V ) ,脉冲宽度测量V
SS
DC和工作特性
(推荐工作条件,除非另有说明。 )
最大
参数
输入漏电流(任何输入0≤V
IN
≤V
IN
+0.3V,
其他所有输入引脚不能被测= 0伏)
3.3V
输出漏电流
(数据输出被禁用, 0V≤V
OUT
≤V
CC
)
输出高电压电平(I
OH
=-2mA)
输出低电压电平(I
OL
=2mA)
输入漏电流(任何输入0≤V
IN
≤V
IN
+0.5V,
其他所有输入引脚不能被测= 0伏)
5V
输出漏电流
(数据输出被禁用, 0V≤V
OUT
≤V
CC
)
输出高电压电平(I
OH
=-5mA)
输出低电压电平(I
OL
=4.2mA)
符号
I
I(L)
I
O( L)
V
OH
V
OL
I
I(L)
I
O( L)
V
OH
V
OL
-5
-5
2.4
-
-5
-5
2.4
-
最大
5
5
-
0.4
5
5
-
0.4
单位
uA
uA
V
V
uA
uA
V
V
KM416C1004C , KM416C1204C
KM416V1004C , KM416V1204C
DC和工作特性
(续)
符号
动力
速度
-45
-5
-6
不在乎
-45
-5
-6
-45
-5
-6
不在乎
-45
-5
-6
不在乎
不在乎
最大
KM416V1004C
100
90
80
1
1
100
90
80
110
100
90
0.5
200
100
90
80
300
150
KM416V1204C
150
140
130
1
1
150
140
130
110
100
90
0.5
200
150
140
130
200
150
KM416C1004C
100
90
80
2
1
100
90
80
110
100
90
1
200
110
90
80
350
200
CMOS DRAM
KM416C1204C
150
140
130
2
1
150
140
130
110
100
90
1
200
150
140
130
250
200
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
uA
mA
mA
mA
uA
uA
I
CC1
不在乎
正常
L
不在乎
I
CC2
I
CC3
I
CC4
不在乎
正常
L
不在乎
L
L
I
CC5
I
CC6
I
CC7
I
CCS
I
CC1
*:工作电流( RAS和UCAS , LCAS ,地址单车@t
RC
=分钟)
I
CC2
:待机电流( RAS = = UCAS LCAS = W = V
IH
)
I
CC3
*: RAS只刷新电流( UCAS LCAS = = V
IH
, RAS ,地址单车@t
RC
=分钟)
I
CC4
* :超页模式电流( RAS = V
IL
, UCAS或LCAS ,地址单车@t
HPC
=分钟)
I
CC5
:待机电流( RAS = = UCAS LCAS = W = V
CC
-0.2V)
I
CC6
*: CAS先于RAS的刷新电流( RAS , UCAS或LCAS骑自行车@t
RC
=分钟)
I
CC7
:电池后备电流,平均电源电流,电池备份模式
输入高电压(V
IH
)=V
CC
-0.2V ,低输入电压(V
IL
) = 0.2V , UCAS , LCAS = 0.2V ,
DQ =不关心,T
RC
= 31.25us ( 4K / L -VER ) , 125us ( 1K / L -VER )
T
RAS
=T
RAS
min~300ns
I
CCS
:自刷新电流
RAS = UCAS LCAS = = V
IL
, W = OE = A0 〜 A11 = V
CC
-0.2V和0.2V ,
DQ0 〜 DQ15 = V
CC
-0.2V , 0.2V或打开
*注意:
I
CC1
, I
CC3
, I
CC4
CC6
依赖于输出负载和循环率。指定的值与输出开路获得。
I
CC
被指定为一个平均电流。在我
CC1
, I
CC3
CC6,
地址可以被改变最多一次,而RAS = V
IL
。在我
CC4
,
地址可以一次一台Hyper页面模式的周期时间内变化最大,T
HPC
.
KM416C1004C , KM416C1204C
KM416V1004C , KM416V1204C
电容
(T
A
= 25 ° C,V
CC
= 5V或3.3V , F = 1MHz的)
参数
输入电容[ A0 〜 A11 ]
输入电容[ RAS , UCAS , LCAS ,W , OE ]
输出电容[ DQ0 - DQ15 ]
符号
C
IN1
C
IN2
C
DQ
-
-
-
CMOS DRAM
最大
5
7
7
单位
pF
pF
pF
AC特性
(0°C≤T
A
≤70°C,
见注1,2 )
测试条件( 5V器件) : V
CC
= 5.0V ± 10 % , VIH /德维尔= 2.4 / 0.8V ,的Voh /卷= 2.0 / 0.8V
测试条件( 3.3V器件) : V
CC
= 3.3V ± 0.3V , VIH /德维尔= 2.2 / 0.7V ,的Voh /卷= 2.0 / 0.8V
参数
随机读或写周期时间
读 - 修改 - 写周期时间
从RAS访问时间
从CAS访问时间
从列地址访问时间
CAS到输出中低Z
中国科学院输出缓冲关断延迟
OE为输出低Z
转换时间(上升和下降)
RAS预充电时间
RAS脉冲宽度
RAS保持时间
CAS保持时间
CAS脉冲宽度
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟时间
CAS到RAS预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
列地址到RAS交货时间
读命令设置时间
阅读参考CAS命令保持时间
阅读参考RAS命令保持时间
写命令保持时间
WRITE命令的脉冲宽度
写命令到RAS交货期
写命令到CAS交货期
符号
-45
最大
84
115
45
14
23
3
3
3
2
30
45
13
36
7
19
14
5
0
9
0
7
23
0
0
0
8
8
10
7
10K
31
22
10K
50
13
3
3
3
2
30
50
13
40
8
20
15
5
0
10
0
8
25
0
0
0
10
10
13
8
10K
35
25
10K
50
13
50
15
25
3
3
3
2
40
60
17
50
10
20
15
5
0
10
0
10
30
0
0
0
10
10
15
10
10K
43
30
10K
50
15
-5
最大
104
140
60
17
30
-6
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
14
8
8
11
11
18
4
10
3,4,10
3,4,5
3,10
3
6,19
3
2
单位
笔记
t
RC
t
RWC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
CLZ
t
CEZ
t
OLZ
t
T
t
RP
t
RAS
t
RSH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
拉德
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
拉尔
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
WCH
t
WP
t
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t
CWL
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