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KMM5368003BSWG 8M ×36的DRAM SIMM使用4Mx16及四CAS 4Mx4 , 4K刷新, 5V (8M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V)
.型号:   KMM5368003BSWG
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描述: 8M ×36的DRAM SIMM使用4Mx16及四CAS 4Mx4 , 4K刷新, 5V
8M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V
文件大小 :   359 K    
页数 : 18 页
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品牌   SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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100%
DRAM模块
KMM5368003BSW/BSWG
KMM5368003BSW / BSWG快速页面模式
8M ×36的DRAM SIMM使用4Mx16 &四CAS 4Mx4 , 4K刷新, 5V
概述
三星KMM5368003B是8Mx36bits动态RAM
高密度内存模块。三星KMM5368003B
由四个CMOS 4Mx16bits和两个​​CMOS四路CAS号
安装在一个72引脚4Mx4bits的TSOP封装的DRAM
玻璃环氧基板。一个0.1或0.22uF的去耦电容
安装在印刷电路板上为每个DRAM 。该
KMM5368003B是单列直插内存模块与优势
连接,适用于安装到72引脚的边缘
连接器插座。
特点
•零件识别
- KMM5368003BSW ( 4K周期/ 64ms的参考, TSOP ,焊接)
- KMM5368003BSWG ( 4K周期/ 64ms的参考, TSOP ,金)
•快速页模式操作
• CAS先于RAS &隐藏刷新功能
• RAS只刷新功能
• TTL兼容的输入和输出
•单+ 5V ± 10 %电源
• JEDEC标准PDpin &引出线
• PCB :身高( 1000mil ) ,双面组件
性能范围
速度
-5
-6
t
RAC
50ns
60ns
t
CAC
13ns
15ns
t
RC
90ns
110ns
t
PC
35ns
40ns
销刀豆网络gurations
1
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31
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33
34
35
36
符号
V
SS
DQ0
DQ18
DQ1
DQ19
DQ2
DQ20
DQ3
DQ21
VCC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A10
DQ4
DQ22
DQ5
DQ23
DQ6
DQ24
DQ7
DQ25
A7
A11
VCC
A8
A9
RAS3
RAS2
DQ26
DQ8
37
38
39
40
41
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70
71
72
符号
DQ17
DQ35
VSS
CAS0
CAS2
CAS3
CAS1
RAS0
RAS1
NC
W
NC
DQ9
DQ27
DQ10
DQ28
DQ11
DQ29
DQ12
DQ30
DQ13
DQ31
VCC
DQ32
DQ14
DQ33
DQ15
DQ34
DQ16
NC
PD1
PD2
PD3
PD4
NC
VSS
引脚名称
引脚名称
A0 - A11
DQ0 - 35
W
RAS0 - RAS3
CAS0 - CAS3
PD1 -PD4
VCC
VSS
NC
功能
地址输入
IN / OUT数据
读/写使能
行地址选通
列地址选通
设备检测
Power(+5V)
无连接
存在检测引脚(可选)
PD1
PD2
PD3
PD4
50NS
NC
VSS
VSS
VSS
60NS
NC
VSS
NC
NC
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