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M366S1723DTS
M366S1723DTS SDRAM DIMM
PC133 / PC100无缓冲DIMM
基于16Mx8 , 4Banks , 4K刷新, 3.3V同步DRAM与SPD 16Mx64 SDRAM DIMM
概述
三星M366S1723DTS是16M位x 64同步
动态RAM的高密度内存模块。三星
M366S1723DTS由八个CMOS 16M ×8位与
4banks的TSOP- II封装400mil和同步DRAM
2K在168针的玻璃环氧树脂EEPROM采用8引脚TSSOP封装
基材。一个0.1uF的电容和一个0.22 uF的电容去耦
被安装在所述印刷电路板在平行于各
SDRAM 。
该M366S1723DTS是双列直插式内存模块,并
用于安装到168针边缘连接器插座。
同步设计允许使用精确的周期控制
系统时钟。 I / O事务处理可在每个时钟周期。
工作频率范围,可编程延迟允许
相同的设备,以对各种高带宽有用
高性能存储系统的应用程序。
特征
•性能范围
产品型号
M366S1723DTS-C/L7C
M366S1723DTS-C/L7A
M366S1723DTS-C/L1H
M366S1723DTS-C/L1L
最大频率。 (速度)
为133MHz ( 7.5ns @ CL = 2 )
为133MHz ( 7.5ns @ CL = 3 )
为100MHz ( 10ns的@ CL = 2 )
为100MHz ( 10ns的@ CL = 3 )
突发模式工作
自动&自我刷新能力( 4096周期/ 64ms的)
LVTTL兼容的输入和输出
3.3V单电源
±
0.3V电源
MRS周期与解决关键程序
潜伏期(从地址栏访问)
突发长度(1, 2,4, 8 &全页)
数据加扰(顺序&交错)
•所有输入进行采样的正边沿
系统时钟
??串行存在检测与EEPROM
• PCB :
高度( 1,375mil )
单面组件
引脚配置(正面/背面)
销前销
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
DD
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
V
SS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
V
DD
DQ14
DQ15
*CB0
*CB1
V
SS
NC
NC
V
DD
WE
DQM0
销前销
V
SS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
V
DD
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
V
SS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
V
DD
DQ46
DQ47
*CB4
*CB5
V
SS
NC
NC
V
DD
CAS
DQM4
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
DQM5
*CS1
RAS
V
SS
A1
A3
A5
A7
A9
BA0
A11
V
DD
*CLK1
*A12
V
SS
CKE0
*CS3
DQM6
DQM7
*A13
V
DD
NC
NC
*CB6
*CB7
V
SS
DQ48
DQ49
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
DQ50
DQ51
V
DD
DQ52
NC
*V
REF
NC
V
SS
DQ53
DQ54
DQ55
V
SS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
V
DD
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
*CLK3
NC
**SA0
**SA1
**SA2
V
DD
29 DQM1 57 DQ18 85
58 DQ19 86
CS0
30
59
87
V
DD
31
DU
60 DQ20 88
32
V
SS
61
89
33
A0
NC
62 *V
REF
90
34
A2
63 * 91 CKE1
35
A4
64
92
V
SS
36
A6
65 DQ21 93
37
A8
38 A10 / AP 66 DQ22 94
67 DQ23 95
39
BA1
68
96
V
SS
40
V
DD
69 DQ24 97
41
V
DD
42 CLK0 70 DQ25 98
71 DQ26 99
43
V
SS
72 DQ27 100
44
DU
73
V
DD
101
45
CS2
46 DQM2 74 DQ28 102
47 DQM3 75 DQ29 103
76 DQ30 104
48
DU
77 DQ31 105
49
V
DD
78
50
V
SS
106
NC
79 CLK2 107
51
NC
NC 108
52 * 80 CB2
NC 109
53 * 81 CB3
82 ** SDA 110
54
V
SS
55 DQ16 83 ** 111 SCL
V
DD
112
56 DQ17 84
引脚名称
引脚名称
A0 ~ A11
BA0 〜 BA1
DQ0 〜 DQ63
CLK0 , CLK2
CKE0
CS0 , CS2
RAS
CAS
WE
DQM0 〜 7
V
DD
V
SS
*V
REF
SDA
SCL
SA0 〜 2
DU
NC
功能
地址输入(复用)
选择银行
数据输入/输出
时钟输入
时钟使能输入
片选输入
行地址选通
列地址选通
写使能
DQM
电源( 3.3V )
电源为参考
串行数据I / O
串行时钟
地址在EEPROM
不使用
无连接
*这些引脚没有这个模块中使用。
**
这些引脚应数控系统
不支持SPD 。
三星电子有限公司保留变更产品规格,恕不另行通知。
REV 。 2001年九月0.1
M366S1723DTS
引脚配置说明
CLK
CS
名字
系统时钟
芯片选择
PC133 / PC100无缓冲DIMM
输入功能
活跃在正边沿采样所有输入。
禁用或启用的设备操作,除了用屏蔽或使所有输入
CLK , CKE和DQM
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE应该启用的至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
CKE应该启用1CLK + T
SS
前有效的命令。
行/列地址被复用在相同的针。
行地址: RA0 〜 RA11 ,列地址: CA0 〜 CA9
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
锁存器与RAS低CLK的正边沿行地址。
让行存取&预充电。
闩锁与中科院低CLK的正边沿列地址。
启用列的访问。
允许写操作和行预充电。
锁存来自中科院,我们开始积极的数据。
使得数据输出高阻,T
SHZ
后的时钟和掩模的输出。
块中的数据输入时, DQM活跃。 (字节屏蔽)
数据输入/输出复用在相同的针。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
CKE
时钟使能
A0 ~ A11
BA0 〜 BA1
RAS
CAS
WE
DQM0 〜 7
DQ0 〜 63
V
DD
/V
SS
地址
银行选择地址
行地址选通
列地址选通
写使能
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源/接地
REV 。 2001年九月0.1
M366S1723DTS
功能框图
CS0
DQM0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQM1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
CS2
DQM2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQM3
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS
DQM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS
DQM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
PC133 / PC100无缓冲DIMM
DQM4
CS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQM5
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQM CS
DQ0
DQ1
DQ2
U5
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS
U0
U4
U1
DQM6
CS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQM7
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DQM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS
DQM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS
U2
U6
U3
U7
串行PD
A0 〜安, BA0 & 1
RAS
CAS
WE
CKE0
10Ω
DQN
V
DD
VSS
SDRAM U0 〜 U7
SDRAM U0 〜 U7
SDRAM U0 〜 U7
SDRAM U0 〜 U7
SDRAM U0 〜 U7
SCL
47KΩ
WP
A0
SDA
A1
A2
SA0 SA1 SA2
10Ω
CLK0/2
U0/U2
U4/U6
U1/U3
U5/U7
SDRAM的每个DQpin
10Ω
CLK1/3
一个0.1uF的电容和一个0.22 uF的上限。
所有的SDRAM
按每个SDRAM
3.3pF
10pF
REV 。 2001年九月0.1
M366S1723DTS
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在V电压
DD
供应相对于VSS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
PC133 / PC100无缓冲DIMM
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ +150
8
50
单位
V
V
°C
W
mA
注意:
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
DC操作条件和特点
推荐工作条件(电压参考V
SS
= 0V ,T
A
= 0 〜70℃ )
参数
电源电压
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输出逻辑高电平
输出逻辑低电压
输入漏电流
符号
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-10
典型值
3.3
3.0
0
-
-
-
最大
3.6
V
DDQ
+0.3
0.8
-
0.4
10
单位
V
V
V
V
V
uA
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
注意事项:
1. V
IH
(最大)= 5.6伏交流电。过冲电压的持续时间
3ns.
2. V
IL
(分钟) = -2.0V交流。下冲电压持续时间
3ns.
3.任何输入0V
V
IN
V
DDQ 。
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器,三态输出。
电容
(V
DD
= 3.3V ,T
A
= 23 ° C,F = 1MHz时, V
REF
= 1.4V
±
200毫伏)
符号
C
添加
C
IN
C
CKE
C
CLK
C
CS
C
DQM
C
OUT
25
25
25
15
15
8
9
最大
45
45
45
21
25
12
12
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
地址( A0 〜 A11 , BA0 〜 BA1 )
RAS , CAS , WE
CKE ( CKE0 )
时钟( CLK0 , CLK2 )
CS ( CS0 , CS2 )
DQM ( DQM0 〜 DQM7 )
DQ ( DQ0 〜 DQ63 )
REV 。 2001年九月0.1
M366S1723DTS
DC特性
PC133 / PC100无缓冲DIMM
(推荐的工作条件,除非另有说明,T
A
= 0 〜70℃ )
参数
符号
突发长度= 1
t
RC
t
RC
(分钟)
I
O
= 0毫安
CKE
V
IL
(最大值),叔
CC
= 10ns的
CKE & CLK
V
IL
(最大值),叔
CC
=
CKE
V
IH
(分钟) , CS
V
IH
(分钟) ,T
CC
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
CKE
V
IH
(分钟) , CLK
V
IL
(最大值),叔
CC
=
输入信号是稳定的
CKE
V
IL
(最大值),叔
CC
= 10ns的
CKE & CLK
V
IL
(最大值),叔
CC
=
CKE
V
IH
(分钟) , CS
V
IH
(分钟) ,T
CC
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
CKE
V
IH
(分钟) , CLK
V
IL
(最大值),叔
CC
=
输入信号是稳定的
I
O
= 0毫安
第一阵
4Banks激活
t
CCD
= 2CLKs
t
RC
t
RC
(分钟)
CKE
0.2V
C
L
注意事项:
1.测量与产出开放。
2.刷新周期是64毫秒。
3.除非另有说明,输入摆动电平为CMOS (Ⅴ
IH
/V
IL
=V
DDQ
/V
SSQ
)
测试条件
- 7C
工作电流
(一银行活动)
预充电待机电流
在掉电模式
I
CC1
I
CC2
P
I
CC2
PS
I
CC2
N
预充电待机电流
在非掉电模式
I
CC2
NS
在活动待机电流
掉电模式
I
CC3
P
I
CC3
PS
I
CC3
N
I
CC3
NS
800
VERSION
-7A
720
16
16
160
mA
80
40
40
240
200
mA
mA
-1H
720
-1L
720
mA
1
单位
mA
mA
在活动待机电流
非掉电模式
(一银行活动)
工作电流
(突发模式)
刷新当前
自刷新电流
I
CC4
880
880
800
800
mA
1
I
CC5
I
CC6
1760
1600
16
1520
1520
mA
mA
2
6.4
REV 。 2001年九月0.1
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