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PC33S61A26  PC33S51C36  PC33S52C31  PC33S61A10  PC33S61A45  PC33S61A40  PC33S61B14  PC33S51C43  PC33S61B10  PC33S61C25  
M378T3354CZ3-CE7 基于512MB DDR2无缓冲SDRAM内存条240PIN无缓冲模块的C-模具64 /72-位非ECC / ECC (DDR2 Unbuffered SDRAM MODULE 240pin Unbuffered Module based on 512Mb C-die 64/72-bit Non-ECC/ECC)
.型号:   M378T3354CZ3-CE7
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描述: 基于512MB DDR2无缓冲SDRAM内存条240PIN无缓冲模块的C-模具64 /72-位非ECC / ECC
DDR2 Unbuffered SDRAM MODULE 240pin Unbuffered Module based on 512Mb C-die 64/72-bit Non-ECC/ECC
文件大小 :   437 K    
页数 : 22 页
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品牌   SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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100%
256MB , 512MB , 1GB无缓冲的DIMM
DDR2 SDRAM
功能框图: 256MB , 32Mx64模块
(填充的是1级X16的DDR2 SDRAM的)
M378T3354CZ3 / M378T3354CZ0
S0
CS
CS
DQS1
DQS1
DM1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQS0
DQS0
DM0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
LDQS
LDO的
LDM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
UDQS
UDOS
UDM
I / O 8
I / O 9
I / O 10
I / O 11
I / O 12
I / O 13
I / O 14
I / O 15
DQS5
DQS5
DM5
D0
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQS4
DQS4
DM4
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
LDQS
LDO的
LDM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
UDQS
UDOS
UDM
I / O 8
I / O 9
I / O 10
I / O 11
I / O 12
I / O 13
I / O 14
I / O 15
D2
CS
CS
DQS3
DQS3
DM3
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQS2
DQS2
DM2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
LDQS
LDO的
LDM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
UDQS
UDOS
UDM
I / O 8
I / O 9
I / O 10
I / O 11
I / O 12
I / O 13
I / O 14
I / O 15
DQS7
DQS7
DM7
D1
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DQS6
DQS6
DM6
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
LDQS
LDO的
LDM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
UDQS
UDOS
UDM
I / O 8
I / O 9
I / O 10
I / O 11
I / O 12
I / O 13
I / O 14
I / O 15
D3
V
DDSPD
串行PD
D0 - D3
D0 - D3
D0 - D3
*时钟布线
时钟输入
DDR2 SDRAM芯片
NC
2的DDR2 SDRAM
2的DDR2 SDRAM
串行PD
SCL
WP
A0
SA0
A1
SA1
A2
SA2
SDA
V
DD
/V
DDQ
VREF
V
SS
*CK0/
CK0
*CK1/
CK1
*CK2/
CK2
*每个时钟加载线
表/接线图
BA0 - BA1
A0 - A12
CKE0
RAS
CAS
WE
ODT0
BA0 - BA1 : DDR2 SDRAM芯片D0 - D3
A0 - A12 : DDR2 SDRAM芯片D0 - D3
CKE : DDR2 SDRAM芯片D0 - D3
RAS : DDR2 SDRAM芯片D0 - D3
CAS : DDR2 SDRAM芯片D0 - D3
WE: DDR2 SDRAM芯片D0 - D3
ODT : DDR2 SDRAM芯片D0 - D3
注意事项:
1. DQ , DM , DQS / DQS电阻: 22欧姆
±
5%.
4. BAX ,斧, RAS , CAS,WE电阻: 10欧姆
±
5%.
修订版1.2 2005年08月
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