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GMM7321000CSG-70  GMM7321010CSG-80  NM24C16TEMT8  GMM7321000BS-80  GMM7321000ANS-60  GMM7321000DS-80  NM24C16LEM  GMM7321000DS-60  NM24C16TLMT8  GMM2739230ETG-8  
M378T3354CZ3-CE7 基于512MB DDR2无缓冲SDRAM内存条240PIN无缓冲模块的C-模具64 /72-位非ECC / ECC (DDR2 Unbuffered SDRAM MODULE 240pin Unbuffered Module based on 512Mb C-die 64/72-bit Non-ECC/ECC)
.型号:   M378T3354CZ3-CE7
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描述: 基于512MB DDR2无缓冲SDRAM内存条240PIN无缓冲模块的C-模具64 /72-位非ECC / ECC
DDR2 Unbuffered SDRAM MODULE 240pin Unbuffered Module based on 512Mb C-die 64/72-bit Non-ECC/ECC
文件大小 :   437 K    
页数 : 22 页
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品牌   SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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100%
256MB , 512MB , 1GB无缓冲的DIMM
绝对最大额定直流电压
符号
V
DD
V
DDQ
V
DDL
V
IN,
V
OUT
T
英镑
参数
在V电压
DD
引脚相对于V
SS
在V电压
DDQ
引脚相对于V
SS
在V电压
DDL
引脚相对于V
SS
任何引脚相对于V电压
SS
储存温度
等级
- 1.0 V ~ 2.3 V
- 0.5 V ~ 2.3 V
- 0.5 V ~ 2.3 V
- 0.5 V ~ 2.3 V
-55到+100
DDR2 SDRAM
单位
V
V
V
V
°C
笔记
1
1
1
1
1, 2
注意:
1.强调高于“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的功能操作,是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
2.储存温度是在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。为测量条件,请参阅JESD51-2
标准。
AC &直流工作条件
建议的直流工作条件( SSTL - 1.8 )
符号
V
DD
V
DDL
V
DDQ
V
REF
V
TT
参数
电源电压
电源电压为DLL
电源电压输出
输入参考电压
终止电压
等级
分钟。
1.7
1.7
1.7
0.49*V
DDQ
V
REF
-0.04
典型值。
1.8
1.8
1.8
0.50*V
DDQ
V
REF
马克斯。
1.9
1.9
1.9
0.51*V
DDQ
V
REF
+0.04
单位
V
V
V
mV
V
4
4
1,2
3
笔记
注:有没有具体的设备V
DD
电源电压要求SSTL- 1.8合规性。但在所有条件下V
DDQ
必须小于或等于
到V
DD
.
1. V的值
REF
可以由用户进行选择,以提供最佳的噪声容限的系统。 V典型值
REF
预计是约0.5
X V
DDQ
发送设备和V的
REF
预计跟踪变化为V
DDQ
.
2.峰值到峰值的V AC噪音
REF
不得超过+/- 2 %的V
REF
(直流) 。
3. V
TT
发射装置必须跟踪V
REF
的接收装置。
4. AC参数测量V
DD
, V
DDQ
和V
DDL
绑在一起。
修订版1.2 2005年08月
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