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描述:
MC2DU064HBVA-0QC00  HF68F/024-1HBXXX  MC56U256HBYA-0QC00  HF68F/006-1HBXXX  CXOHV8-HBY-25.000  HBU610  MC28U032HBYA-0QC00  MC56U032HBVA-0QC00  HF68F/060-1HBXXX  MC2DU032HBYA-0QC00  
M378T3354CZ3-CE7 基于512MB DDR2无缓冲SDRAM内存条240PIN无缓冲模块的C-模具64 /72-位非ECC / ECC (DDR2 Unbuffered SDRAM MODULE 240pin Unbuffered Module based on 512Mb C-die 64/72-bit Non-ECC/ECC)
.型号:   M378T3354CZ3-CE7
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描述: 基于512MB DDR2无缓冲SDRAM内存条240PIN无缓冲模块的C-模具64 /72-位非ECC / ECC
DDR2 Unbuffered SDRAM MODULE 240pin Unbuffered Module based on 512Mb C-die 64/72-bit Non-ECC/ECC
文件大小 :   437 K    
页数 : 22 页
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品牌   SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
256MB , 512MB , 1GB无缓冲的DIMM
DDR2无缓冲DIMM订购信息
产品型号
M378T3354CZ3-CE7/E6/D5/CC
M378T3354CZ0-CE7/E6/D5/CC
M378T6553CZ3-CE7/E6/D5/CC
M378T6553CZ0-CE7/E6/D5/CC
M378T2953CZ3-CE7/E6/D5/CC
M378T2953CZ0-CE7/E6/D5/CC
M391T6553CZ3-CE7/E6/D5/CC
M391T6553CZ0-CE7/E6/D5/CC
M391T2953CZ3-CE7/E6/D5/CC
M391T2953CZ0-CE7/E6/D5/CC
密度
256MB
256MB
512MB
512MB
1GB
1GB
512MB
512MB
1GB
1GB
组织
32Mx64
32Mx64
64Mx64
64Mx64
128Mx64
128Mx64
X72 ECC
64Mx72
64Mx72
128Mx72
128Mx72
64Mx8(K4T51083QC)*9
64Mx8(K4T51083QC)*9
64Mx8(K4T51083QC)*18
64Mx8(K4T51083QC)*18
部件组成
32Mx16(K4T51163QC)*4
32Mx16(K4T51163QC)*4
64Mx8(K4T51083QC)*8
64Mx8(K4T51083QC)*8
64Mx8(K4T51083QC)*16
64Mx8(K4T51083QC)*16
DDR2 SDRAM
等级数
1
1
1
1
2
2
1
1
2
2
高度
30mm
30mm
30mm
30mm
30mm
30mm
30mm
30mm
30mm
30mm
64非ECC
注:部件号(第11位)的“Z ”代表无铅产品。
注: “3”部分的数量(第12位)代表虚设焊盘PCB产品。
特点
•性能范围
E7 ( DDR2-800 )
Speed@CL3
Speed@CL4
Speed@CL5
CL- tRCD的-TRP
400
533
800
5-5-5
E6 ( DDR2-667 )
400
533
667
5-5-5
D5 ( DDR2-533 )
400
533
533
4-4-4
CC ( DDR2-400 )
400
400
-
3-3-3
单位
Mbps的
Mbps的
Mbps的
CK
• JEDEC标准的1.8V ± 0.1V电源
• V
DDQ
= 1.8V ± 0.1V
• 200 MHz的˚F
CK
为400MB /秒/针, 267MHz ˚F
CK
为533MB /秒/针, 333MHz的˚F
CK
为667Mb /秒/针, 400MHz的˚F
CK
为800MB /秒/针
• 4银行
•中科院发布
•可编程CAS延时: 3 , 4 , 5
•可编程附加延迟:0, 1 ,2,3和4中
•写延迟( WL ) =读延时( RL ) -1
•突发长度: 4,8 (隔行/半字节顺序)
•可编程顺序/交错突发模式
•双向差分数据选通(单端数据选通是一个可选功能)
•片外驱动器( OCD )阻抗调整
•片上终端与可选值( 50/75/150欧姆或禁用)
• PASR (部分阵列自刷新)
•平均更新周期7.8us在比一件T低
85°C , 3.9us在85°C <牛逼
< 95
°C
-
支持高温度自刷新速率使得功能
•包装: 60ball FBGA - 64Mx8 , 84ball FBGA - 32Mx16
•所有无铅产品符合RoHS指令的
注:有关详细DDR2 SDRAM操作,请参考三星的设备操作&时序图。
地址配置
组织
64Mx8 (512MB )的基础模块
32Mx16 (512MB )的基础模块
行地址
A0-A13
A0-A12
列地址
A0-A9
A0-A9
银行地址
BA0-BA1
BA0-BA1
自动预充电
A10
A10
修订版1.2 2005年08月
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