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TC74  
M378T3354CZ3-CE7 基于512MB DDR2无缓冲SDRAM内存条240PIN无缓冲模块的C-模具64 /72-位非ECC / ECC (DDR2 Unbuffered SDRAM MODULE 240pin Unbuffered Module based on 512Mb C-die 64/72-bit Non-ECC/ECC)
.型号:   M378T3354CZ3-CE7
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描述: 基于512MB DDR2无缓冲SDRAM内存条240PIN无缓冲模块的C-模具64 /72-位非ECC / ECC
DDR2 Unbuffered SDRAM MODULE 240pin Unbuffered Module based on 512Mb C-die 64/72-bit Non-ECC/ECC
文件大小 :   437 K    
页数 : 22 页
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品牌   SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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100%
256MB , 512MB , 1GB无缓冲的DIMM
输入/输出功能描述
符号
CK0-CK2
CK0-CK2
CKE0-CKE1
S0-S1
RAS , CAS , WE
ODT0-ODT1
V
REF
V
DDQ
BA0-BA1
TYPE
输入
输入
输入
输入
输入
供应
供应
输入
功能
DDR2 SDRAM
CK和CK是差分时钟输入。所有的SDRAM地址/ CNTL输入采样正面边缘的交叉
CK和CK的下降沿。输出(读取)数据参考CK和CK (交叉的两个方向)的交叉
激活SDRAM CK信号时高,停用CK信号为低电平时。通过取消激活时钟, CKE
低启动鲍威掉电模式,或自刷新模式
使相关的SDRAM命令解码器时低,禁用命令时,解码器高。当
命令解码器disbled ,新的命令将被忽略,但以前的行动仍在继续。此信号为克斯特
在具有多个级别的系统最终排名选择
RAS ,CAS和WE (
随着
CS )定义所输入的命令。
当高,端接电阻启用所有DQ , DQ和DM引脚,假设函数中被启用
扩展模式寄存器设置( EMRS ) 。
参考电压为SSTL 18的投入。
电源为DDR II SDRAM输出缓冲器,以提供更好的抗噪声性能。对于目前所有的DDR2无缓冲
DIMM设计, VDDQ共享相同的电源层与VDD引脚。
这四个SDRAM银行被激活选择。
在一个银行激活指令周期,地址输入定义的行地址( RA0 - RA13 )
在读或写命令的周期,地址输入定义科拉姆地址,除了列地址, AP
用于调用autoprecharge操作在突发读或写周期的结束。如果AP处于高, autoprecharge是
选择和BA0 , BA1定义要预充电的银行。如果AP处于低, autoprecharge被disbled 。在预充电
指令周期中, AP可与BA0结合, BA1到银行(多个)控制预充电。如果AP高,所有银行
无论BA0 , BA1的状态将被预充电。如果AP低, BA0 , BA1are用于定义预哪家银行
费。
数据和校验位输入/输出引脚。
DM为输入掩码信号为写入数据。当DM采样的高重合与输入数据输入数据被屏蔽
在写访问。 DM进行采样DQS的两边。虽然DM引脚的输入而已, DM负载匹配
DQ和DQS装载。
电源线和地线的DDR2 SDRAM输入缓冲器和核心逻辑。 VDD和VDDQ引脚连接到V
DD
/V
DDQ
飞机上
这些模块。
数据选通信号的输入和输出数据。对于使用X16 Rawcards orginized的DRAM DQ0-7连接的的LDQS销
DRAM和DQ8-17连接到DRAM的UDQS销
这些信号并连接在系统平面在V
SS
或V
DD
配置串行SPD EERPOM地址范围。
这种双向引脚用于数据传输移入或移出SPD EEPROM中。电阻必须从连接
SDA总线连接到VDD作为系统板上的上拉。
这个信号被用于时钟数据移入和移出该SPD EEPROM中的。电阻可以从SCL总线连接时
至VDD作为上拉onthe系统板。
电源的SPD EEPROM 。这种供应是单独从V
DD
/V
DDQ
电源层。 EEPROM供应可操作
从1.7V到3.6V 。
A0-A13
输入
DQ0-DQ63
CB0-CB7
DM0-DM8
IN / OUT
输入
V
DD
,V
SS
DQS0-DQS8
DQS0-DQS8
SA0-SA2
SDA
SCL
V
DD
SPD
供应
IN / OUT
输入
IN / OUT
输入
供应
修订版1.2 2005年08月
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