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HLMP-7000-D0031  HLMP-AL01  HLMP-AL16-PS0DD  HLMP-6720-F0031  HLMP-7040-D0011  HLMP-7040-D0021  HLMP-6700-G0021  HLMP-7019-D0021  HLMP-6720-F0012  HLMP-BG01  
M464S1724DTS-L7C 16Mx64 SDRAM SODIMM基于8Mx16,4Banks , 4K刷新, 3.3V同步DRAM与SPD (16Mx64 SDRAM SODIMM based on 8Mx16,4Banks,4K Refresh,3.3V Synchronous DRAMs with SPD)
.型号:   M464S1724DTS-L7C
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描述: 16Mx64 SDRAM SODIMM基于8Mx16,4Banks , 4K刷新, 3.3V同步DRAM与SPD
16Mx64 SDRAM SODIMM based on 8Mx16,4Banks,4K Refresh,3.3V Synchronous DRAMs with SPD
文件大小 :   90 K    
页数 : 11 页
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品牌   SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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100%
M464S1724DTS
引脚配置说明
CLK
CS
名字
系统时钟
芯片选择
PC133 / PC100 SODIMM
输入功能
活跃在正边沿采样所有输入。
禁用或启用的设备操作,除了用屏蔽或使所有输入
CLK , CKE和DQM
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE应该启用的至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
CKE应该启用1CLK + T
SS
前有效的命令。
行/列地址被复用在相同的针。
行地址: RA0 〜 RA11 ,列地址: CA0 〜 CA8
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
锁存器与RAS低CLK的正边沿行地址。
让行存取&预充电。
闩锁与中科院低CLK的正边沿列地址。
启用列的访问。
允许写操作和行预充电。
锁存来自中科院,我们开始积极的数据。
使得数据输出高阻,T
SHZ
后的时钟和掩模的输出。
块中的数据输入时, DQM活跃。 (字节屏蔽)
数据输入/输出复用在相同的针。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
CKE
时钟使能
A0 ~ A11
地址
BA0 〜 BA1
RAS
银行选择地址
行地址选通
CAS
列地址选通
WE
写使能
DQM0 〜 7
ð Q
0
~
63
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源/接地
V
DD
/V
SS
REV 。 2001年九月0.1
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