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M464S1724DTS-L7C 16Mx64 SDRAM SODIMM基于8Mx16,4Banks , 4K刷新, 3.3V同步DRAM与SPD (16Mx64 SDRAM SODIMM based on 8Mx16,4Banks,4K Refresh,3.3V Synchronous DRAMs with SPD)
.型号:   M464S1724DTS-L7C
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描述: 16Mx64 SDRAM SODIMM基于8Mx16,4Banks , 4K刷新, 3.3V同步DRAM与SPD
16Mx64 SDRAM SODIMM based on 8Mx16,4Banks,4K Refresh,3.3V Synchronous DRAMs with SPD
文件大小 :   90 K    
页数 : 11 页
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品牌   SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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100%
M464S1724DTS
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在V电压
DD
供应相对于VSS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
I N
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
PC133 / PC100 SODIMM
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ +150
8
50
单位
V
V
°C
W
mA
注意:
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
DC操作条件和特点
推荐工作条件(电压参考V
SS
= 0V ,T
A
= 0 〜70℃ )
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
符号
V
DD
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-10
典型值
3.3
3.0
0
-
-
-
最大
3.6
V
DDQ
+0.3
0.8
-
0.4
10
单位
V
V
V
V
V
uA
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
注意事项:
1. V
IH
(最大值) = 5.6V AC.The过冲电压的持续时间是
3ns.
2. V
IL
(分钟) = -2.0V交流。下冲电压持续时间
3ns.
3.任何输入0V
V
IN
V
DDQ
.
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器,三态输出。
电容
(V
DD
= 3.3V ,T
A
= 23 ° C,F = 1MHz时, V
REF
= 1.4V
±
200毫伏)
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
IN5
C
IN6
C
OUT
25
25
15
15
15
10
10
最大
45
45
25
21
25
12
12
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
参数
输入电容(A
0
~ A
11
, BA0 〜 BA1 )
输入电容( RAS , CAS , WE)
输入电容( CKE0 〜 CKE1 )
输入电容( CLK0 〜 CLK1 )
输入电容( CS0 〜 CS1 )
输入电容( DQM0 〜 DQM7 )
数据输入/输出电容( DQ0 〜 DQ63 )
REV 。 2001年九月0.1
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