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M464S1724DTS-L7C 16Mx64 SDRAM SODIMM基于8Mx16,4Banks , 4K刷新, 3.3V同步DRAM与SPD (16Mx64 SDRAM SODIMM based on 8Mx16,4Banks,4K Refresh,3.3V Synchronous DRAMs with SPD)
.型号:   M464S1724DTS-L7C
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描述: 16Mx64 SDRAM SODIMM基于8Mx16,4Banks , 4K刷新, 3.3V同步DRAM与SPD
16Mx64 SDRAM SODIMM based on 8Mx16,4Banks,4K Refresh,3.3V Synchronous DRAMs with SPD
文件大小 :   90 K    
页数 : 11 页
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品牌   SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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100%
M464S1724DTS
PC133 / PC100 SODIMM
AC特性
(交流工作条件,除非另有说明)
请参阅各组元,而不是整个模块。
参数
CAS延时= 3
CAS延时= 2
CAS延时= 3
CAS延时= 2
CAS延时= 3
CAS延时= 2
t
CH
t
CL
t
SS
t
SH
t
SLZ
t
SHZ
t
Ø ħ
3
3
2.5
2.5
1.5
0.8
1
5.4
5.4
t
SAC
符号
CLK周期
时间
CLK为有效
输出延迟
输出数据
保持时间
t
CC
7.5
7.5
5.4
5.4
3
3
2.5
2.5
1.5
0.8
1
5.4
6
- 7C
最大
1000
7.5
10
5.4
6
3
3
3
3
2
1
1
6
6
- 7A
最大
1000
10
10
6
6
3
3
3
3
2
1
1
6
7
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3
3
3
3
2
- 1H
最大
1000
10
12
6
7
ns
2
ns
1,2
- 1L
最大
1000
ns
1
单位
CLK高脉冲宽度
CLK低脉冲宽度
输入建立时间
输入保持时间
CLK到输出中低Z
CLK到输出
在高阻
CAS延时= 3
CAS延时= 2
注意事项:
1.参数取决于编程CAS延迟。
2.如果时钟上升时间长于1ns的, (文/ 2-0.5 )纳秒应该被添加到该参数。
3.假设输入的上升和下降时间(tr & TF) = 1ns的。
如果TR & TF长于1ns的,短暂的时间补偿应该考虑,
即, [ (文+ TF) / 2-1]纳秒应该被添加到该参数。
REV 。 2001年九月0.1
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