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M464S1724DTS-L7C 16Mx64 SDRAM SODIMM基于8Mx16,4Banks , 4K刷新, 3.3V同步DRAM与SPD (16Mx64 SDRAM SODIMM based on 8Mx16,4Banks,4K Refresh,3.3V Synchronous DRAMs with SPD)
.型号:   M464S1724DTS-L7C
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描述: 16Mx64 SDRAM SODIMM基于8Mx16,4Banks , 4K刷新, 3.3V同步DRAM与SPD
16Mx64 SDRAM SODIMM based on 8Mx16,4Banks,4K Refresh,3.3V Synchronous DRAMs with SPD
文件大小 :   90 K    
页数 : 11 页
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品牌   SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
M464S1724DTS
简化的真值表
命令
注册
模式寄存器设置
自动刷新
刷新
条目
刷新
出口
L
H
H
CKEn-1
CKEN
CS
RAS
CAS
PC133 / PC100 SODIMM
(V =有效,X =无关,H =逻辑高电平, L =逻辑低)
WE
DQM
BA
0,1
A
10
/ AP
A
11,
A
9
~ A
0
H
H
X
H
L
H
X
X
L
L
L
H
L
L
H
X
L
H
L
L
H
X
H
L
L
H
H
X
H
H
X
X
操作码
X
1,2
3
3
X
X
X
V
V
X
行地址
L
H
COLUMN
地址
(A
0
~ A
8
)
COLUMN
地址
(A
0
~ A
8
)
3
3
银行主动&行地址。
阅读&
列地址
写&
列地址
突发停止
预充电
银行的选择
所有银行
时钟暂停或
主动关机
条目
出口
条目
预充电掉电模式
出口
DQM
没有操作命令
自动预充电禁用
自动预充电启动
自动预充电禁用
自动预充电启动
L
L
4
4,5
4
4,5
6
H
H
H
X
X
X
L
L
L
H
L
H
H
L
X
V
X
X
H
X
V
X
L
H
H
X
V
X
X
H
X
V
L
L
L
X
V
X
X
H
X
V
X
X
X
V
L
H
X
V
X
L
H
X
H
L
H
L
H
L
X
X
X
X
X
X
V
X
X
7
X
H
L
L
H
H
H
H
L
X
H
L
X
H
X
H
X
H
X
注意事项:
1. OP代码:操作数代码
A
0
~ A
11
& BA
0
〜 BA
1
:程序键。 ( @太太)
只能在所有银行预充电状态下发出2.黄。
一个新的命令后,刘健的2个时钟周期发出。
3.自动刷新功能有相同的DRAM CBR刷新。
无行预充电命令预充电自然而然被"Auto"意思。
只能在所有银行预充电状态下发出的自动/自刷新。
4. BA
0
〜 BA
1
:银行选择地址。
如果两个BA
0
和BA
1
是"Low"在读,写,行积极和预充电,银行A被选中。
如果两个BA
0
是"Low"和BA
1
是"High"在读,写,行积极和预充电,银行B的选择。
如果两个BA
0
是"High"和BA
1
是"Low"在读,写,行积极和预充电, C银行被选中。
如果两个BA
0
和BA
1
是"High"在读,写,行积极和预充电,银行D被选中。
如果一个
10
/ AP是"High"于行预充电, BA
0
和BA
1
被忽略,所有的银行都被选中。
5.在突发读取或者自动预充电,无法发出新的读/写命令写。
另一家银行的读/写命令脉冲结束后发出。
新行活动的相关银行可以在t发行
RP
脉冲串的结束之后。
6.突发停止命令是在每一个突发长度有效。
7. DQM采样一个CLK和掩模数据输入在很CLK的正边沿(写入DQM延迟为0) ,
但数据超出2 CLK周期后,使Hi-Z状态。 (读DQM延迟2 )
REV 。 2001年九月0.1
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