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SN65C3221  SI9986CY-T1-E3  SLTS061A  SIM1-1505-SIL4  SM5262BS  SM16GZ47  SL2610LH1N  SIM1-1205-SIL4  SIM1-1215-SIL4  SI9986DY-T1  
M470L3223DT0-CLB0 256MB DDR SDRAM模块 (256MB DDR SDRAM MODULE)
.型号:   M470L3223DT0-CLB0
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描述: 256MB DDR SDRAM模块
256MB DDR SDRAM MODULE
文件大小 :   174 K    
页数 : 16 页
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品牌   SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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100%
M470L3223DT0
-TCA2(DDR266A)
15
0.5
0.5
1.75
7.5
75
200
15.6
7.8
tQH
THP
TQHS
tWPST
tDAL
0.4
( tWR的/ TCK )
+
(TRP / TCK )
THP
-tQHS
tCLmin
或tCHmin
-
-
0.75
0.6
0.4
( tWR的/ TCK )
+
(TRP / TCK )
最大
-TCB0(DDR266B)
15
0.5
0.5
1.75
7.5
75
200
15.6
7.8
THP
-tQHS
tCLmin
或tCHmin
-
-
0.75
0.6
0.4
( tWR的/ TCK )
+
(TRP / TCK )
最大
-TCA0 ( DDR200 )
16
0.6
0.6
2
10
80
200
15.6
7.8
THP
-tQHS
tCLmin
或tCHmin
-
-
0.8
0.6
最大
参数
模式寄存器设置循环时间
DQ & DM设置时间DQS
DQ & DM保持时间DQS
DQ & DM输入脉冲宽度
掉电退出时间
退出自刷新非读命令
退出自刷新,以读取命令
刷新间隔时间
64兆, 128兆
256Mb
符号
超过tMRD
TDS
TDH
tDIPW
tPDEX
tXSNR
tXSRD
tREFI
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TCK
us
us
ns
ns
ns
TCK
TCK
7,8,9
7,8,9
4
1
1
5
输出DQS有效窗口
时钟半周期
数据保持倾斜因子
DQS写后记的时间
Autoprecharge写恢复+
预充电时间
3
11
8 1.最大连拍数量刷新
2.具体要求是, DQS有效(高或低)或本CK边缘之前。所示的情况下( DQS从去
High_Z为逻辑低电平)适用时,没有写以前在总线上的进步。如果先前写在进步,
DQS可以在此时是高,这取决于tDQSS 。
3.最大限制这个参数不是一个设备的限制。该设备将具有巨大的价值经营此参数,
但系统的性能(总线周转)将相应降低。
4.写命令可以与T应用
RCD
该命令后满意。
5.对于已注册的DIMM ,T
CL
和T
CH
包括两个半周期抖动的期间(t 45%的
JIT ( HP )
)的PLL和半周期的
由于串扰(T抖动
JIT
(串扰)
)的DIMM 。
修订版0.0 2001年12月
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