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DBMC13C3SNK87  DBMD13C3PJK87  DANGE15S-P1  DBG15PWBT  DBMD13C3PNK87  DBMD13C3SNF225  DBMC17C2P-JK87  DAM7X2P-JNMB  DBMC13C3SNF225  DBMD13C3PVA197  
M470L3223DT0-CLB0 256MB DDR SDRAM模块 (256MB DDR SDRAM MODULE)
.型号:   M470L3223DT0-CLB0
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描述: 256MB DDR SDRAM模块
256MB DDR SDRAM MODULE
文件大小 :   174 K    
页数 : 16 页
Logo:   
品牌   SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
M470L3223DT0
绝对最大速率
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
DD
&放大器; V
DDQ
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-0.5 ~ 3.6
-1.0 ~ 3.6
-55 ~ +150
12
50
单位
V
V
°C
W
mA
注意:
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
电源&直流工作条件( SSTL_2 IN / OUT)
推荐工作条件(电压参考V
SS
= 0V ,T
A
= 0 〜70℃ )
参数
电源电压(为设备标称V
DD
2.5V的)
I / O电源电压
I / O参考电压
I / O端子电压(系统)
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输入的电压电平, CK和CK输入
输入差分电压, CK和CK输入
输入交叉点电压, CK和CK输入
输入漏电流
输出漏电流
输出高电流(普通strengh驱动程序)
;V
OUT
= V
TT
+ 0.84V
输出高电流(普通strengh驱动程序)
;V
OUT
= V
TT
- 0.84V
输出高电流(半strengh驱动程序)
;V
OUT
= V
TT
+ 0.45V
输出高电流(半strengh驱动程序)
;V
OUT
= V
TT
- 0.45V
符号
V
DD
V
DDQ
V
REF
V
TT
V
IH
(DC)的
V
IL
(DC)的
V
IN
(DC)的
V
ID
(DC)的
V
IX
(DC)的
I
I
I
OZ
I
OH
I
OL
I
OH
I
OL
2.3
2.3
VDDQ/2-50mV
V
REF
-0.04
V
REF
+0.15
-0.3
-0.3
0.3
1.15
-2
-5
-16.8
16.8
-9
9
最大
2.7
2.7
VDDQ/2+50mV
V
REF
+0.04
V
DDQ
+0.3
V
REF
-0.15
V
DDQ
+0.3
V
DDQ
+0.6
1.35
2
5
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
uA
uA
mA
mA
mA
mA
3
5
1
2
4
4
笔记
1.包括
±
25mV的保证金DC上的V偏置
REF
的,和组合的总
±
50mV的保证金为所有交流噪声和DC上的V偏置
REF
,
带宽限制到20MHz 。在DRAM必须适应于V DRAM的电流尖峰
REF
和内部DRAM耦合噪声
到V
REF
这两者都可能导致V
REF
噪声。 V
REF
应去耦用的电感
3nH.
2.V
TT
不直接向设备施加。 V
TT
是预期的系统供给的信号终止电阻器,被设置为等于
V
REF
的,必须跟踪变化为V的DC电平
REF
3. V
ID
是在CK上的输入电平,并在CK上的输入电平之间的差的量值。
4.这些参数应在实际组件的引脚进行测试,并且可以在任一销或垫被检查
模拟。交流和直流输入规格相对于VREF信封已带宽限制到200MHz 。
5 V的值
IX
预计相当于0.5 * V
DDQ
发送设备的,并且必须跟踪变化的相同的DC电平。
6.这些charactericteristics服从SSTL - 2的II类标准。
修订版0.0 2001年12月
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