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M470L3223DT0-CLB0 256MB DDR SDRAM模块 (256MB DDR SDRAM MODULE)
.型号:   M470L3223DT0-CLB0
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描述: 256MB DDR SDRAM模块
256MB DDR SDRAM MODULE
文件大小 :   174 K    
页数 : 16 页
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品牌   SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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100%
M470L3223DT0
DDR SDRAM SPEC项目和测试条件
推荐工作条件,除非另有说明,T
A
= 0至70
°C
)
条件
工作电流 - 一家银行主动预充电;
的tRC = tRCmin ;
DQ , DM和DQS输入每个时钟周期改变的两倍;
地址和控制输入,每个时钟周期改变一次
工作电流 - 一家银行的操作;
一家银行开放, BL = 4 ,读
- 请参阅以下页面进行详细的测试条件
Percharge掉电待机电流;
所有银行闲置;电源 - 省电模式;
CKE = <VIL (最大值) ; VIN = VREF为DQ , DQS和DM
预充电浮动待机电流;
CS # > = VIH (MIN) ;所有的银行闲置;
CKE > = VIH (MIN) ;地址和其它控制输入每个时钟周期改变一次;
VIN = VREF为DQ , DQS和DM
预充电安静的待机电流;
CS # > = VIH (MIN) ;所有银行闲置;
CKE > = VIH (MIN) ;
地址和其它控制输入稳定,保持> = VIH (MIN)或= <VIL (最大值) ;
VIN = VREF为DQ , DQS和DM
有功功率 - 下待机电流;
一家银行主动;掉电模式;
CKE = < VIL (最大值) ; VIN = VREF为DQ , DQS和DM
当前待机电流;
CS # > = VIH (MIN) ; CKE> = VIH (MIN) ;
一家银行主动;主动 - 预充电;的tRC = tRASmax ;
DQ , DQS和DM输入每个时钟周期改变的两倍;
地址和其它控制输入每个时钟周期改变一次
工作电流 - 突发读取;
突发长度= 2 ;读取; continguous爆裂;
一家银行主动;地址和控制输入,每个时钟周期改变一次;
50 %的数据在每一个突发的变化;糊涂人= 0为m的
工作电流 - 突发写入;
突发长度= 2 ;写;连拍;
一家银行主动的地址和控制输入每个时钟周期改变一次;
DQ , DM和DQS输入两次转变
每个时钟周期,输入数据的50%变化在每一个突发
自动刷新电流;
的tRC = tRFC (分钟) - 8 * TCK的DDR200在100MHz ,
10 * TCK的DDR266A & DDR266B在133Mhz的12 * TCK的DDR333 ;分布式刷新
自刷新电流;
CKE = < 0.2V ;外部时钟应该是;
TCK = 100Mhz的为DDR200 , 133Mhz的为DDR266A & DDR266B和166MHz的DDR333为
Orerating电流 - 四大银行的操作;
四大银行, BL = 4的交织
- 参照下页的详细的测试条件
符号
IDD0
IDD1
IDD2P
IDD2F
IDD2Q
IDD3P
IDD3N
IDD4R
IDD4W
IDD5
IDD6
IDD7A
修订版0.0 2001年12月
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