电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
M470L3223DT0-CLB0 256MB DDR SDRAM模块 (256MB DDR SDRAM MODULE)
.型号:   M470L3223DT0-CLB0
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: 256MB DDR SDRAM模块
256MB DDR SDRAM MODULE
文件大小 :   174 K    
页数 : 16 页
Logo:   
品牌   SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
  浏览型号M470L3223DT0-CLB0的Datasheet PDF文件第3页 浏览型号M470L3223DT0-CLB0的Datasheet PDF文件第4页 浏览型号M470L3223DT0-CLB0的Datasheet PDF文件第5页 浏览型号M470L3223DT0-CLB0的Datasheet PDF文件第6页 浏览型号M470L3223DT0-CLB0的Datasheet PDF文件第8页 浏览型号M470L3223DT0-CLB0的Datasheet PDF文件第9页 浏览型号M470L3223DT0-CLB0的Datasheet PDF文件第10页 浏览型号M470L3223DT0-CLB0的Datasheet PDF文件第11页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
M470L3223DT0
DDR SDRAM我
DD
规格表
符号
IDD0
IDD1
IDD2P
IDD2F
IDD2Q
IDD3P
IDD3N
IDD4R
IDD4W
IDD5
IDD6
正常
低功耗
IDD7A
*模块
B3(DDR333@CL=2.5)
720
960
24
200
160
280
440
1360
1360
1440
24
12
2600
A2(DDR266@CL=2)
B0(DDR266@CL=2.5)
640
880
24
160
144
240
360
1120
1120
1320
24
12
2240
A0(DDR200@CL=2)
600
800
24
144
128
200
320
960
920
1200
24
12
1880
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
可选
笔记
I
DD
计算组件的基础上
I
DD
根据DQ加载帽可以不同地进行测定。
<详细的测试条件为DDR SDRAM IDD1 & IDD7A >
IDD1 :工作电流:一家银行的操作
1.只有一个银行存取真相与和解委员会(分钟) ,连拍模式,地址和控制对NOP边输入一次改变
每个时钟周期。糊涂人= 0毫安
2.定时模式
- DDR200 ( 100MHz时CL = 2 ) : TCK = 10ns的, CL2 , BL = 4的tRCD = 2 * TCK, tRAS的= 5 * TCK
阅读: A0 ñ R0 NN P0 ñ A0 N - 随机地址变更重复同样的时间
*数据的50 %,改变在每个爆
- DDR266B ( 133Mhz的, CL = 2.5 ) : TCK = 7.5ns , CL = 2.5 , BL = 4的tRCD = 3 * TCK,的tRC = 9 * TCK, tRAS的= 5 * TCK
阅读: A0 NN R0 ñ P0 NNN A0 N - 随机地址变更重复同样的时间
*数据的50 %,改变在每个爆
- DDR266A ( 133Mhz的, CL = 2 ) : TCK = 7.5ns , CL = 2 , BL = 4的tRCD = 3 * TCK,的tRC = 9 * TCK, tRAS的= 5 * TCK
阅读: A0 NN R0 ñ P0 NNN A0 N - 随机地址变更重复同样的时间
*数据的50 %,改变在每个爆
- DDR333 ( 166MHz的, CL = 2.5 ) : TCK = 6ns的, CL = 2.5 , BL = 4的tRCD = 10 * TCK, tRAS的= 7 * TCK
阅读: A0 NN R0 ñ P0 NNN A0 N - 随机地址变更重复同样的时间
*数据的50 %,改变在每个爆
注: A =激活, R =读取,W =写, P =预充电, N = NOP
修订版0.0 2001年12月
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7