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P83C524EFP  X28C64EI-15  P83C654EFPN  DDA144EH-7  M38274EF-XXXHP  P83C557E4EFB  VI-24VIU  MB84VD22194EH-90  VI-2TVIU  MR18R1624EG0-CT9  
M470L3223DT0-CLB0 256MB DDR SDRAM模块 (256MB DDR SDRAM MODULE)
.型号:   M470L3223DT0-CLB0
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描述: 256MB DDR SDRAM模块
256MB DDR SDRAM MODULE
文件大小 :   174 K    
页数 : 16 页
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品牌   SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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100%
M470L3223DT0
AC运行试验条件
(V
DD
=2.5V, V
DDQ
= 2.5V ,T
A
= 0至70
°C
)
参数
输入参考电压的时钟
输入信号的最大峰值摆幅
输入电平(V
IH
/V
IL
)
输入定时测量参考电平
输出定时测量参考电平
输出负载条件
价值
0.5 * V
DDQ
1.5
V
REF
+0.31/V
REF
-0.31
V
REF
V
tt
请参阅负载电路
单位
V
V
V
V
V
V
tt
=0.5*V
DDQ
R
T
=50Ω
产量
Z0=50Ω
C
负载
=30pF
V
REF
=0.5*V
DDQ
输出负载电路( SSTL_2 )
输入/输出电容
(V
DD
=2.5V, V
DDQ
= 2.5V ,T
A
= 25
°C
, F = 1MHz的)
参数
输入电容(A
0
~ A
11
, BA
0
〜 BA
1
, RAS , CAS , WE)
输入电容( CKE
0
)
输入电容( CS
0
)
输入电容( CLK
0
, CLK
1
)
数据& DQS输入/输出电容( DQ
0
-DQ
63
)
输入电容(DM
0
DM 〜
8
)
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
OUT
C
IN5
36
36
34
34
8
8
最大
44
44
42
38
9
9
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
修订版0.0 2001年12月
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