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MR16R1624(8/G)EG0
MR18R1624(8/G)EG0
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*基于1.0版本。 ( 2002年7月), 256 / 288Mbit D- RIMM模
模块数据表
1.0版( 2004年5月)
*消除"Preliminary"
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1.0版2004年5月
MR16R1624(8/G)EG0
MR18R1624(8/G)EG0
( 16Mx16 ) * 4 ( 8/16 )个RIMM
模块的基础上256Mb的电子芯片, 32S银行, 16K / 32ms的参考, 2.5V
( 16Mx18 ) * 4 ( 8/16 )个RIMM
模块基于288MB E-模具, 32S银行, 16K / 32ms的参考, 2.5V
概观
该RIMM
模块是一个通用的高性能
适用于宽范围的应用使用存储器模块
系统蒸发散包括计算机存储器,个人计算机
工作站和其它应用中的高带宽
和低延时是必需的。
该RIMM模块由256 / 288MB RDRAM
设备。这些是非常高速的CMOS的DRAM
由16或18位的组织为16M的话。利用
RAMBUS信号级( RSL )技术,允许最多
而使用传统的系统1066 MHz的传输速率
和电路板设计技术。 RDRAM
设备
能够持续数据传输,每两个字节0.94纳秒
(每个16字节7.5ns ) 。
在RDRAM架构,可实现最高持续
带宽为多,同时,随机解决,
存储器事务。单独的控制总线和数据总线
具有独立的行和列控收益率超过95 %
总线效率。在RDRAM设备的32银行架构
高达每器件四个并发事务支持。
关键时序参数/部件号
下面的表列出了频率和延迟箱
适用于RIMM模块。
表1:按频率型号。 &延迟
速度
组织
箱子
t
RAC
I / O
(行
频率。
ACCESS
(兆赫)
时间) NS
1066
800
800
1066
800
800
1066
800
800
32P
40
45
32P
40
45
32P
40
45
产品型号
-CT9
64M X 16/18
-CM8
-CK8
-CT9
128M X 16/18
-CM8
-CK8
-CT9
256M X 16/18
-CM8
-CK8
MR16/18R1624EG0-CT9
MR16/18R1624EG0-CM8
MR16/18R1624EG0-CK8
MR16/18R1628EG0-CT9
MR16/18R1628EG0-CM8
MR16/18R1628EG0-CK8
MR16/18R162GEG0-CT9
MR16/18R162GEG0-CM8
MR16/18R162GEG0-CK8
特点
高速高达1066 MHz的RDRAM存储
184边缘连接器垫1mm厚的焊盘间距
模块的PCB尺寸: 133.35毫米X 31.75毫米X 1.27毫米
外形
该RIMM模块均提供184 -垫1毫米边缘
适用于184接触RIMM连接器连接焊盘间距
器。下面的图1显示了一个16设备RIMM模块。
( 5.25“ ×1.25 ” ×0.05 “) - 的256Mb和288MB PC800基地
RIMM模块
模块的PCB尺寸: 133.35毫米X 34.93毫米X 1.27毫米
( 5.25 “× 1.375 ” ×0.05 “) - 的256Mb和288MB基地
PC1066 RIMM模块
每RDRAM器件具有32组,总共512 ,256,
128银行各512 / 576MB , 256 / 288MB , 128 / 144MB
分别模块
镀金边缘连接器触点垫
串行存在检测( SPD )的支持
从2.5伏电源供电( ± 5 % )
掉电自刷新模式
单独的行和列客车提高效率
WBGA无铅封装(八十四分之九十二球)
注:在双面模块, RDRAM设备也安装在PCB板的底部。
图1 : RIMM模块显示与散热片去掉
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1.0版2004年5月
MR16R1624(8/G)EG0
MR18R1624(8/G)EG0
表2 :模块垫编号和信号名称
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
A18
A19
A20
A21
A22
A23
A24
A25
A26
A27
A28
A29
A30
A31
A32
A33
A34
A35
A36
A37
A38
A39
A40
A41
A42
A43
A44
A45
A46
引脚名称
GND
LDQA8
GND
LDQA6
GND
LDQA4
GND
LDQA2
GND
LDQA0
GND
LCTMN
GND
LCTM
GND
NC
GND
LROW1
GND
LCOL4
GND
LCOL2
GND
LCOL0
GND
LDQB1
GND
LDQB3
GND
LDQB5
GND
LDQB7
GND
LSCK
Vcmos
SOUT
Vcmos
NC
GND
NC
VDD
VDD
NC
NC
NC
NC
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
B9
B10
B11
B12
B13
B14
B15
B16
B17
B18
B19
B20
B21
B22
B23
B24
B25
B26
B27
B28
B29
B30
B31
B32
B33
B34
B35
B36
B37
B38
B39
B40
B41
B42
B43
B44
B45
B46
引脚名称
GND
LDQA7
GND
LDQA5
GND
LDQA3
GND
LDQA1
GND
LCFM
GND
LCFMN
GND
NC
GND
LROW2
GND
LROW0
GND
LCOL3
GND
LCOL1
GND
LDQB0
GND
LDQB2
GND
LDQB4
GND
LDQB6
GND
LDQB8
GND
LCMD
Vcmos
Vcmos
NC
GND
NC
VDD
VDD
NC
NC
NC
NC
A47
A48
A49
A50
A51
A52
A53
A54
A55
A56
A57
A58
A59
A60
A61
A62
A63
A64
A65
A66
A67
A68
A69
A70
A71
A72
A73
A74
A75
A76
A77
A78
A79
A80
A81
A82
A83
A84
A85
A86
A87
A88
A89
A90
A91
A92
引脚名称
NC
NC
NC
NC
VREF
GND
SCL
VDD
SDA
SVDD
SWP
VDD
RSCK
GND
RDQB7
GND
RDQB5
GND
RDQB3
GND
RDQB1
GND
RCOL0
GND
RCOL2
GND
RCOL4
GND
RROW1
GND
NC
GND
RCTM
GND
RCTMN
GND
RDQA0
GND
RDQA2
GND
RDQA4
GND
RDQA6
GND
RDQA8
GND
B47
B48
B49
B50
B51
B52
B53
B54
B55
B56
B57
B58
B59
B60
B61
B62
B63
B64
B65
B66
B67
B68
B69
B70
B71
B72
B73
B74
B75
B76
B77
B78
B79
B80
B81
B82
B83
B84
B85
B86
B87
B88
B89
B90
B91
B92
引脚名称
NC
NC
NC
NC
VREF
GND
SA0
VDD
SA1
SVDD
SA2
VDD
RCMD
GND
RDQB8
GND
RDQB6
GND
RDQB4
GND
RDQB2
GND
RDQB0
GND
RCOL1
GND
RCOL3
GND
RROW0
GND
RROW2
GND
NC
GND
RCFMN
GND
RCFM
GND
RDQA1
GND
RDQA3
GND
RDQA5
GND
RDQA7
GND
第2页
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MR16R1624(8/G)EG0
MR18R1624(8/G)EG0
表3 :模块连接器垫说明
信号
引脚
A1, A3, A5, A7, A9, A11, A13, A15,
A17, A19, A21, A23, A25, A27, A29,
A31, A33, A39, A52, A60, A62, A64,
A66, A68, A70, A72, A74, A76, A78,
A80, A82, A84, A86, A88, A90, A92,
B1, B3, B5, B7, B9, B11, B13, B15,
B17, B19, B21, B23, B25, B27, B29,
B31, B33, B39, B52, B60, B62, B64,
B66, B68, B70, B72, B74, B76, B78,
B80, B82, B84, B86, B88, B90, B92
B10
B12
B34
A20 , B20 , A22 , B22 , A24
A14
A12
I
I
I
I
I
I
RSL
RSL
V
CMOS
RSL
RSL
RSL
I / O
TYPE
描述
GND
对RDRAM的核心和接口的参考地。 72 PCB
接口垫。
LCFM
LCFMN
LCMD
LCOL4..
LCOL0
LCTM
LCTMN
LDQA8..
LDQA0
LDQB8..
LDQB0
LROW2..
LROW0
LSCK
时钟的主。接口时钟用于接收RSL
从通道的信号。正极性。
时钟的主。接口时钟用于接收RSL
从通道的信号。负极性。
serial命令用来读取和写入控制
寄存器。也可用于电源管理。
列巴。含有控制和地址Infor公司5位总线
息列的访问。
时钟掌握。接口时钟用于传输RSL
信号通道。正极性。
时钟掌握。接口时钟用于传输RSL
信号通道。负极性。
数据总线A. 9位一辆载有读或写数据的字节
通道和RDRAM设备之间。 LDQA8是
在采用x16 RDRAM设备模块不起作用
数据总线B. 9位一辆载有读或写数据的字节
通道和RDRAM设备之间。 LDQB8是非
功能上采用x16 RDRAM设备模块。
行总线。含有控制和地址信息的3位总线
为行访问。
串行时钟输入。时钟源用于读取和写入
到RDRAM的控制寄存器。
这些焊盘是不连接。这24连接器垫
留作将来使用。
时钟的主。接口时钟用于接收RSL
从通道的信号。正极性。
时钟的主。接口时钟用于接收RSL
从通道的信号。负极性。
串行指令输入。引脚用于读取和写入
控制寄存器。也可用于电源管理。
A2,B2, A4,B4 ,A6 ,B6, A8 ,B8, A10
I / O
RSL
B32 , A32 , B30 , A30 , B28 , A28 , B26 ,
A26 , B24
B16 , A18 , B18
A34
A16 , B14 , A38 , B38 , A40 , B40 , A43 ,
B43 , A44 , B44 , A45 , B45 , A46 , B46 ,
A47 , B47 , A48 , B48 , A49 , B49 , A50 ,
B50 , A77 , B79
B83
B81
B59
I / O
RSL
I
I
RSL
V
CMOS
NC
RCFM
RCFMN
RCMD
I
I
I
RSL
RSL
V
CMOS
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MR16R1624(8/G)EG0
MR18R1624(8/G)EG0
信号
RCOL4..
RCOL0
RCTM
RCTMN
RDQA8..
RDQA0
RDQB8..
RDQB0
RROW2..
RROW0
RSCK
SA0
SA1
SA2
SCL
SDA
SOUT
SV
DD
SWP
V
CMOS
VDD
VREF
引脚
A73 , B73 , A71 , B71 , A69
A79
A81
A91 , B91 , A89 , B89 , A87 , B87 , A85 ,
B85 , A83
B61 , A61 , B63 , A63 , B65 , A65 , B67 ,
A67 , B69
B77 , A75 , B75
A59
B53
B55
B57
A53
A55
B36
A36
A56 , B56
A57
A35 , B35 , A37 , B37
A41 , A42 , A54 , A58 , B41 , B42 , B54 ,
B58
A51 , B51
I / O
I
I
I
TYPE
RSL
RSL
RSL
描述
列巴。含有控制和地址Infor公司5位总线
息列的访问。
时钟掌握。接口时钟用于传输RSL
信号通道。正极性。
时钟掌握。接口时钟用于传输RSL
信号通道。负极性。
数据总线A. 9位一辆载有读或写数据的字节
通道和RDRAM设备之间。 RDQA8是
在模块X16 RDRAM设备不起作用。
数据总线B. 9位一辆载有读或写数据的字节
通道和RDRAM设备之间。 RDQB8是
在模块X16 RDRAM设备不起作用。
行总线。含有控制和地址信息的3位总线
为行访问。
串行时钟输入。时钟源用于读取和写入
到RDRAM的控制寄存器。
串行存在检测地址0 。
串行存在检测地址1 。
串行存在检测报告2 。
串行存在检测时钟。
串行存在检测数据(集电极开路I / O) 。
串行I / O的读取和写入控制寄存器。
附着到模块上的第一RDRAM设备的SIO0 。
串行I / O的读取和写入控制寄存器。
附着到模块上的最后的RDRAM装置的SIO1 。
SPD的电压。用于信号SCL , SDA ,瑞典, SA0 , SA1
和SA2 。
I / O
RSL
I / O
RSL
I
I
I
I
I
I
I / O
I / O
I / O
RSL
V
CMOS
SV
DD
SV
DD
SV
DD
SV
DD
SV
DD
V
CMOS
V
CMOS
I
SV
DD
串行存在检测写保护(高电平有效) 。当低,
该SPD可以写入以及读出。
CMOS I / O电压。用于信号CMD , SCK , SIN , SOUT 。
电源电压的RDRAM芯和接口逻辑。
逻辑阈值参考电压为RSL的信号。
第4页
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MR18R1624GEG0

Key Timing Parameters
暂无信息
4 SAMSUNG

MR18R1624GEG0

Key Timing Parameters
暂无信息
26 SAMSUNG