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SMD型
多层陶瓷电容器
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4
多层陶瓷电容器
介绍
SAMWHA的系列多层陶瓷（ MLC ）贴片电容的设计，以满足各种需要。
多层陶瓷片式电容器在两个I类和II类剂型。温度
补偿配方I类和温度稳定，一般应用配方
归为Ⅱ类。我多层陶瓷电容器类COG是可以忽略不计的依赖
电性能上的温度，电压，频率。最常用的二类电介质是
X7R ， X5R和Y5V 。该X7R提供了各不相同的中间电容值
±15%
在该
温度范围为-55℃至125 ℃ 。该X5R提供了各不相同的中间电容值
±15%
在-55 ℃至85℃的温度范围内。该Y5V提供了最高的电容值发生变化
从22 ％到-30 ℃至85℃的温度范围-82 ％ 。所有II级电容变化的电容
温度，工作电压和频率的影响下的值。我们提供的完整产品线
产品为I类和II 。
SMD型
SHAPE &尺寸
（单位：毫米）
尺寸
代码（英寸）
L
0603(0201)
1005(0402)
1608(0603)
2012(0805)
3216(1206)
3225(1210)
4520(1808)
4532(1812)
5750(2300)
0.60
1.00
1.60
2.00
3.20
3.20
4.50
4.50
5.70
长
容差（±）
0.03
0.05
0.15
0.20
0.30
0.40
0.40
0.40
0.50
宽度
W
0.30
0.50
0.80
1.25
1.60
2.50
2.00
3.20
5.00
T1(min)
容差（±）
0.03
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.25
0.30
0.40
0.05
0.05
0.10
0.10
0.15
0.15
0.20
0.20
0.30
特点
三和公司的高密度陶瓷体提供了卓越的性能和可靠性
SAMWHA提供各种温度特性，额定电压和包装方法
材料具有高的介电常数和优异的制造技术允许非常高的值
在小尺寸
焊锡涂终端提供卓越的可焊性
* 1608大小
≥
10㎌
⇒
W： 0.8 ± 0.15 ，T ： 0.8 ± 0.15
如何订购（产品
Identi科幻阳离子）
CS 1608 X7R 104 ķ 160 n个R B
应用
广泛的应用在整个商用和工业市场。
通信产品，如移动电话，寻呼机，无绳电话
多媒体产品，如DVD ， CD - ROM ，软驱，硬盘，游戏机，电脑，笔记本，
数码相机，液晶显示器
视听产品，如电视机，摄像机，微型盘， MP3播放器
通信产品，如电子调谐器，双工器， VCXO ， TCXO ，调制解调器
办公自动化设备产品，如打印机，复印机，传真机
TYPE
CS ： SMD
SA ： ARRAY
尺寸代码
这表现在几十毫米。
前两个数字是长度，最后两个数字是宽度。
尺寸（mm ）
0603
1005
1608
2012
3216
3225
4520
4532
5750
温度系数代码
温度
特征初探
C0G
X7R
X5R
Y5V
温度
范围
-55
至125 ℃
-55
至125 ℃
-55
至85 ℃
-30
至85 ℃
静电容量变化或
温度COEF网络cient
0±30ppm/℃
±15%
±15%
+22, -82%
操作
温度范围
-55
至125 ℃
-55
至125 ℃
-55
至85 ℃
-30
至85 ℃
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SMD型
多层陶瓷电容器
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电容代码（微微法拉）
在pF的标称电容值由3位数字表示。
前两位数字代表了显著的数字和最后一个数字表示的零数
例） 104 = 100000pF
R表示十进制
8R2 = 8.2pF
典型性能特性
COG
应用
适用于精密电路，需要稳定的介电特性，可以忽略不计电容的依赖，
耗散因子对时间，电压和频率。
电容公差代号
CODE
B
C
D
F
G
J
K
公差
±0.1pF
±0.25pF
±0.5pF
±1.0%
±2.0%
±5%
±10%
CODE
M
P
Z
H
I
U
V
公差
±20%
+100, -0%
+80, -20%
+0.25/-0pF
+0/-0.25pF
+5/-0%
+0/-5%
介电特性
温度特性
工作温度
电容容差
耗散因数& Q
绝缘电阻
0±30ppm/℃
-55~125℃
10pF的：
±5%, ±10%,
(±1%,
±2%, ±20%)
≤10pF
:
± 0.1pF ， ±电容是0.25 pF ，±在0.5pF
≥30pF
： DF≤0.1 ％ ， Q≥1000
30pF的：
Q≥400+20×C
F
超过10,000MΩor 500Ω
（以较小者为准）
3×RVDC
0.5- 5VRMS （ ≤1000pF ） ， 1± 0.2Vrms （ >1000pF ）
1± 0.1M㎐ （ ≤1000pF ） ， 1± 0.1k㎐ （ >1000pF ）
电压编码
CODE
卷。
6R3
DC 6.3V
100
DC 10V
160
DC 16V
250
DC 25V
500
DC 50V
101
DC 100V
201
DC 200V
251
DC 250V
631
DC 630V
302
直流3000V
介电强度
测试电压
测试频率
终止代码
防爆）N ：镍锡（镍 - 锡板）
X7R
应用
稳定类
■介质
性能，适合于通过通和耦合而言，滤波，鉴频，直流
堵塞，并作为电压的瞬态抑制的元素。
包装CODE
例） R：卷轴式
B：散装类型
（单位：毫米）
厚度OPTION
CODE
空白
空白
A
B
B
E
E
E
E
介电特性
温度特性
工作温度
电容容差
耗散因数& Q
±15%
-55~125℃
±10%, ±20%,
(±5%,
+80~-20%)
50V最小。 ： 2.5 ％最大。 25V最小。 ： 3.0 ％最大。
16V最小。 ： 3.5 ％最大。 10V最小。 ： 5.0 ％最大。
6.3V最小。 ：5.0 ％ MAX（ \u003c 3.3㎌ ） ， 10 ％最大（ ≥3.3㎌ ）
照薄层兰格电容型10 ％最大。
超过10,000MΩor 500Ω
F（无论
是较小的）
照薄层兰格电容式50Ω最小。
F
>2.5×RVDC
1 ± 0.2Vrms （ ≤10㎌ ， 10V分钟）
0.5 ± 0.1Vrms （ ≤10㎌ ， 6.3V最大值）。
0.5±0.1Vrms(>10㎌)
1 ± 0.1k㎐ （ ≤10㎌ ， 10V分钟）
1 ± 0.1k㎐ （ ≤10㎌ ， 6.3V最大值）。
120±24㎐(>10㎌)
厚度（mm）
L
0.30
0.50
0.60
0.80
0.85
1.00
1.10
1.15
1.25
尺寸
容差（±）
0.03
0.05
0.10
0.10
0.15
0.15
0.15
0.15
0.15
CODE
E
H
I
J
K
L
M
N
O
厚度（mm）
W
1.30
1.35
1.60
1.80
2.00
2.50
2.80
3.20
5.00
尺寸
容差（±）
0.20
0.20
0.20
0.20
0.25
0.25
0.30
0.30
0.40
绝缘电阻
介电强度
测试电压
测试频率
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SMD型
多层陶瓷电容器
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X5R
应用
稳定类
■介质
性能，适合于通过通和耦合而言，滤波，鉴频，直流
堵塞，并作为电压的瞬态抑制的元素。
附录
Ⅰ
C0G ，温度补偿型（ 0603 〜 3216 ）
TYPE
尺寸（英寸）
伏特（V）的
0603(0201)
25
1005(0402)
25
50
C0G
1608(0603)
25
50
2012(0805)
25
50
3216(1206)
25
50
介电特性
温度特性
工作温度
电容容差
耗散因数& Q
±15%
-55~85℃
±10%, ±20%,
(±5%,
+80~-20%)
50V最小。 ： 2.5 ％最大。 25V最小。 ： 3.0 ％最大。
16V最小。 ： 3.5 ％最大。 10V最小。 ： 5.0 ％最大。
6.3V最小。 ：5.0 ％ MAX（ \u003c 3.3㎌ ） ， 10 ％最大（ ≥3.3㎌ ）
照薄层兰格电容型10 ％最大。
大于10,000MΩ或500Ω （以较小者为准）
F
照薄层兰格电容式50Ω最小。
F
>2.5×RVDC
1 ± 0.2Vrms （ ≤10㎌ ， 10V分钟）
0.5 ± 0.1Vrms （ ≤10㎌ ， 6.3V最大值）。
0.5±0.1Vrms(>10㎌)
1 ± 0.1k㎐ （ ≤10㎌ ， 10V分钟）
1 ± 0.1k㎐ （ ≤10㎌ ， 6.3V最大） ， 120 ±24㎐ （ >10㎌ ）
帽。
0.5㎊(0R5)
1㎊(010)
2㎊(020)
3㎊(030)
4㎊(040)
5㎊(050)
6㎊(060)
7㎊(070)
8㎊(080)
9㎊(090)
10㎊(100)
12㎊(120)
15㎊(150)
18㎊(180)
22㎊(220)
27㎊(270)
33㎊(330)
39㎊(390)
47㎊(470)
56㎊(560)
68㎊(680)
82㎊(820)
100㎊(101)
120㎊(121)
150㎊(151)
180㎊(181)
220㎊(221)
270㎊(271)
330㎊(331)
390㎊(391)
470㎊(471)
560㎊(561)
680㎊(681)
820㎊(821)
1000㎊(102)
1200㎊(122)
1500㎊(152)
1800㎊(182)
2200㎊(222)
2700㎊(272)
3300㎊(332)
3900㎊(392)
4700㎊(472)
5600㎊(562)
6800㎊(682)
8200㎊(822)
10000㎊(103)
12000㎊(123)
15000㎊(153)
18000㎊(183)
22000㎊(223)
27000㎊(273)
33000㎊(333)
47000㎊(473)
56000㎊(563)
68000㎊(683)
82000㎊(823)
0.1㎌(104)
绝缘电阻
介电强度
测试电压
测试频率
Y5V
应用
喜-K （ Y5V ）电介质提供高电容密度，非常适合应用在空间处于
溢价，或作为替代钽电容。典型的应用包括用作旁路或去耦元件。
在或接近室温下获得最好的性能，具有低的直流偏压。
介电特性
温度特性
工作温度
电容容差
耗散因数& Q
+22%~-82%
-30~85℃
-20~+80%(±20%)
50V最小。 ： 5 ％最大。 25V最小。 ： 7 ％最大。
16V最小。 ： 9 ％最大。 10V最小。 ： 12.5 ％最大。
6.3V最小。 ： 15 ％最大。
照薄层兰格电容型20 ％最大。
超过10,000MΩor 500Ω
F（无论
是较小的）
照薄层兰格电容式50Ω最小。
F
>2.5×RVDC
1 ± 0.2Vrms （ ≤10㎌ ， 10V分钟）
0.5 ± 0.1Vrms （ ≤10㎌ ， 6.3V最大值）。
0.5±0.1Vrms(>10㎌)
1 ± 0.1k㎐ （ ≤10㎌ ， 10V分钟）
1 ± 0.1k㎐ （ ≤10㎌ ， 6.3V最大） ， 120 ±24㎐ （ >10㎌ ）
绝缘电阻
介电强度
测试电压
测试频率
温度补偿型：损耗因数第22页（第5号）
8
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SMD型
多层陶瓷电容器
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10
附录
Ⅱ
X7R ，高介电常数型（ 0603 〜 3225 ） &薄层大容量型
TYPE
尺寸（英寸）
伏特（V）的
帽。
100㎊(101)
470㎊(471)
1000㎊(102)
2200㎊(222)
4700㎊(472)
10000㎊(103)
15000㎊(153)
22000㎊(223)
33000㎊(333)
47000㎊(473)
68000㎊(683)
0.1㎌(104)
0.15㎌(154)
0.22㎌(224)
0.33㎌(334)
0.47㎌(474)
0.68㎌(684)
1.0㎌(105)
1.5㎌(155)
2.2㎌(225)
4.7㎌(475)
6.8㎌(685)
10㎌(106)
22㎌(226)
47㎌(476)
100㎌(107)
普通型：损耗因数第22页（第5号）
普通型：损耗因数第22页（第5号）
薄层大容量类型：耗散因数第22页（第5号）
0603(0201)
1005(0402)
1608(0603)
X7R
2012(0805)
3216(1206)
3225(1210)
X5R -高介电常数型（ 0603 〜 3225 ） &薄层大容量型
TYPE
尺寸（英寸）
伏特（V）的
帽。
100㎊(101)
470㎊(471)
1000㎊(102)
2200㎊(222)
4700㎊(472)
10000㎊(103)
15000㎊(153)
22000㎊(223)
33000㎊(333)
47000㎊(473)
68000㎊(683)
0.1㎌(104)
0.15㎌(154)
0.22㎌(224)
0.33㎌(334)
0.47㎌(474)
0.68㎌(684)
1.0㎌(105)
1.5㎌(155)
2.2㎌(225)
4.7㎌(475)
6.8㎌(685)
10㎌(106)
22㎌(226)
47㎌(476)
100㎌(107)
普通型：损耗因数第22页（第5号）
普通型：损耗因数第22页（第5号）
薄层大容量类型：耗散因数第22页（第5号）
0603(0201)
1005(0402)
1608(0603)
X5R
2012(0805)
32169(1206)
3225(1210)
6.3 10 16 25 6.3 10 16 25 50 6.3 10 16 25 50 6.3 10 16 25 50 6.3 10 16 25 50 6.3 10 16 25 50
6.3 10 16 25 6.3 10 16 25 50 6.3 10 16 25 50 6.3 10 16 25 50 6.3 10 16 25 50 6.3 10 16 25 50
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SMD型高压
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SMD型高压
Y5V -高介电常数型（ 0603 〜 3225 ） &薄层大容量型
TYPE
尺寸（英寸）
伏特（V）的
帽。
1000㎊(102)
2200㎊(222)
4700㎊(472)
10000㎊(103)
15000㎊(153)
22000㎊(223)
33000㎊(333)
47000㎊(473)
68000㎊(683)
0.1㎌(104)
0.15㎌(154)
0.22㎌(224)
0.33㎌(334)
0.47㎌(474)
0.68㎌(684)
1.0㎌(105)
1.5㎌(155)
2.2㎌(225)
3.3㎌(335)
4.7㎌(475)
6.8㎌(685)
10㎌(106)
22㎌(226)
47㎌(476)
100㎌(107)
普通型：损耗因数第22页（第5号）
普通型：损耗因数第22页（第5号）
薄层大容量类型：耗散因数第22页（第5号）
6.3 10 16 25 50 6.3 10 16 25 50 6.3 10 16 25 50 6.3 10 16 25 50 6.3 10 16 25 50
1005(0402)
1608(0603)
Y5V
2012(0805)
3216(1206)
3225(1210)
产品供应
SAMWHA高压MLCC产品， COG （ NPO ）和X7R温度特性的设计
对于商业和工业应用。
该产品有各种尺寸与工作电源和电压倍增器电路的应用
电压高达DC 3.0千伏。
这些高电压电容器具有一种特殊的内电极设计，降低电压
浓度通过在整个电容器散发电压梯度。
这种独特的设计也让该电容值在给定的情况下，尺寸和额定电压升高。
特点
高可靠性
高电压等级
宽电压等级： 100V ，从到3000V
表面贴装适用于波峰焊，回流焊
磁带&卷轴表面贴装
适用于背光逆变器， DC -DC转换器，镇流器，调制解调器&电源， LAN / WLAN
接口...等。
如何订购（产品
Identi科幻阳离子）
CS 4520 COG 150焦302 n个R é
TYPE
CS ： SMD
尺寸代码
尺寸（mm ）
1608
2012
3216
3225
4520
4532
电介质（温度系数）
COG ， X7R
电容
第一两位数值，第三个数字表示零的个数;
331 = 330pF的， 104 = 100000pF ， 8R2C = 8.2pF
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