SSA500AA120 [SANREX]
Trigger Device;
| 型号： | SSA500AA120 |
| 厂家： | 
SANREX CORPORATION |
| 描述： | Trigger Device |
| 文件： | 总2页 (文件大小：505K) |
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THYRISTOR MODULE
SSA500AA
SSA500AA
78 max
60±0.2
K1
《Feature & Advantages》
《特長》
4-M4
A
depth 8㎜
A
• Isolated mounting base
• It(AV) 500A
• di/dt 200A/µs
• 絶縁型㴹㴏㴼㱟㵂
• 定格平均㴁㵊電流 500A
• 定格臨界㴁㵊電流上昇率 200A/µs
• 最小臨界㴁㴬電圧上昇率 500V/µs
《用途》
• 各種整流回路
• AC.DC.㴹㱟㴖制御
• 㴩㱟㴖㱟制御
4
2
K1
• dv/dt 500V/µs
1
《Applications》
• Various rectifiers
• AC/DC motor drives
• Heater controls
• Light dimmers
3
G1
A1
2（K1）
4（K1）
28±1
4-M8
depth 15㎜
3（G1）
• 調光装置
NAME PLATE
• Static switches
• 静止㴐㳻㴚㴘
1（A1）
Tc POINT（depth 5mm
）
Unit 単位：mm
■Maximum Ratingsꢀ最大定格
（Unless otherwise Tj=25℃ / 指定なき場合は Tj=25℃ とする）
Ratingsꢀ定格値
SSA500AA40 SSA500AA80
Symbol
Item
Unit
記号
項ꢀ目
単位
SSA500AA120
SSA500AA160
1600
VRRM
VRSM
VDRM
Repetitive Peak Reverse Voltage 定格ピーク繰返し逆電圧
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage 定格ピーク非繰返し逆電圧
Repetitive Peak off-state Voltage 定格ピーク繰返しオフ電圧
400
480
400
800
960
800
1200
1350
1200
V
V
V
1700
1600
Symbol 記号
IT（AV）
Itemꢀ項ꢀ目
Average On-state Current 定格平均オン電流
Conditionsꢀ条ꢀ件
Ratings 定格値
Unit 単位
Single phase，hulf wave，180°condution，Tc=66℃
500
785
A
A
単相半波平均値 ,180°導 通 角 ,ケース温度66℃
Single phase，hulf wave，180°condution，Tc=66℃
単相半波実効値 ,180°導 通 角 ,ケース温度66℃
IT（RMS） R.M.S. On-state Current 定格実効オン電流
½cycle，50/60Hz，Peak value，non-repetitive
ITSM
I2t
Surge On-state Current 定格サージオン電流
I2t 電流二乗時間積
9100/10000
416000
15
A
A2S
50/60Hz ½サイクル正弦波，波高値 ，非繰返し
Value for One cycle surge current
1サイクルサージオン電流に対する値
PGM
PG（AV）
IFGM
VFGM
VRGM
di/dt
VISO
Tj
Peak Gate Power Dissipation 定格ピークゲート損失
Average Gate Power Dissipation 定格平均ゲート損失
Peak Gate Current 定格ピークゲート順 電流
Peak Gate Voltage（Forward）定格ピークゲート順 電圧
Peak Gate Voltage（Reverse）定格ピークゲート逆電圧
Critical Rate of Rise of On-state Current 定格臨界オン電流上昇率
W
5
W
5
A
10
V
5
V
I
G＝200mA，V
D
＝½VDRM，di
G
/dt＝0.2A/μs
200
A/μs
V
Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.）絶縁耐圧（実効値
Operating Junction Temperature 定格接合部温度
Storage Temperature 保存温度
）
A.C. 1minute
2500
－40～＋125
－40～＋125
2.7（28）
11 （115）
1.5（15）
1100
℃
℃
Vstg
Recommended Value
Mounting（M5）取付
1.5～2.5（15～25）
8.8～10 （90～105）
1.0～1.4（10～14）
推奨値
Mounting torque
Terminal（M8）端子
締付トルク
N･m
Recommended Value
推奨値
（kgf･cm）
Recommended Value
Terminal（M4）端子
Mass 質量
推奨値
g
■Electrical Characteristicsꢀ電気的特性
（Unless otherwise Tj=25℃ / 指定なき場合は Tj=25℃ とする）
Symbol 記号
IDRM
IRRM
VTM
Itemꢀ項ꢀ目
Conditionsꢀ条ꢀ件
Ratings 定格値
150
Unit 単位
mA
mA
V
at VDRM，Single phase，half wave，Tj＝125℃
Repetitive Peak off-state Current,max 最大オフ電流
Repetitive Peak Reverse Current,max 最大逆電流
On-state Voltage,max 最大オン電圧
定格ピーク繰返しオフ電圧に於て,単相半波 Tj=125℃
at VRRM，Single phase，half wave，Tj＝125℃
定格ピーク繰返し逆電圧に於て,単相半波 Tj=125℃
150
On-State Current 1500A，Inst. measurement
1.45
200
オン電流波高値 1500A,瞬時測定
IGT
Gate Trigger Current,max 最大ゲートトリガ電流
Gate Trigger Voltage,max 最大ゲートトリガ電圧
Gate Non-Trigger Voltage,min 最小ゲート非トリガ電圧
Critical Rate of Rise of off-state Voltage,min 最小臨界オフ電圧上昇率
Thermal Impedance,max 最大熱抵抗
IT＝1A，VD＝6V
IT＝1A，VD＝6V
mA
V
VGT
3
VGD
Tj＝125℃，VD＝½VDRM
Tj＝125℃，VD＝⅔VDRM，
0.25
500
V
Exponential wave
dv/dt
Rth
V/μs
℃/W
指数関数波形
junction to caseꢀ接合部ーケース間ꢀ
0.085
SSA500AA
Gate Characteristics
ゲートトリガ特性
On-State Characteristics
最大オン状態特性
１００
１００００
Peak Gate PowerꢀPGM（15W）
定格ピークゲート損失
オ
Peak Forward Gate VoltagꢀVFGM（10V）
定格ピークゲート順 電圧
ン
電
流
ゲ
１０
１
ꢁ
ト
電
圧
Ｔｊ=２５℃
ꢂ
１０００
波
高
25℃ －40℃
VG
（V）
Average Gate Powerꢀ
PG（AV（）5W）
値
定格平均ゲート損失
ꢃ
Maximum
最大値
125℃
IT
（A）
Maximum Gate Non-Trigger VoltageꢀVG
（
D
0.25V）
最小ゲート非トリガ電圧ꢀVG
（D 0.25V）
０．１
１０
１００
０．５
１００
１０００
１００００
１
１．５
２
２．５
Gate CurrentꢀIG（mA）
ゲート電流 ꢀIG（mA）
On-state VoltageꢀVT（V）
オン電圧（V）
Transient Thermal Impedance
過渡熱インピーダンス特性
Surge On-State Current Rating〈Non-Repetitive〉
サージオン電流耐量 〈非繰返し〉
0.1
１0000
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
Per one element
単位エレメント当り
per one Module
単位エレメント当たり
サ
ꢁ
ジ8000
オ
過
渡
熱
抵
ン6000
電
６０H z
抗
ꢀ
流
ꢂ
0.04
0.03
波4000
高
θj-c
Junction to Case
接合部─ケース間
５０H z
Ｔｊ=２５℃ start
（℃/W）
値
0.02
ꢃ2000
IFSM
0.01
0
（A）
０
0.001
0.01
0.1
1
10
100
１
１０
１００
Time
時ꢀ間ꢀt（sec）
Times（cycles）
通電時間（サイクル数）
Average On-State Current vs. Power Dissipation〈Single Phase Half Wave〉
最大電力損失特性〈単相半波〉
Average On-State Current vs. Maximum Allowable Case Temperature〈Single Phase Half Wave〉
平均電流対最大許容ケース温度〈単相半波〉
１２００
１０００
１３０
最
Per one element
１２０
単位エレメント当たり
大
360゜
180゜
0
許
２π
π
１１０
θ
容
D.C.
ケ１００
ꢁ
８００
６００
電
力
損
θ：Conduction Angle
360゜
θ=１
８
０゜
180゜
0
２π
π
９０
ス
12０゜
θ
９
０゜
温
失
ꢀ
θ：Conduction Angle
８０
度
ꢀ
６
０゜
P
３
０゜
（W）
４００
７０
TC
（℃）
Per one element
単位エレメント当たり
６０
５０
４０
２００
０
D.C.
１２０゜θ=１
８０゜
３０゜
６０゜ ９０゜
０
１００ ２００ ３００ ４００ ５００ ６００ ７００ ８００
Average On-State CurrentꢀI（T AV）（A）
平均オン電流ꢀI（T AV）（A）
０
１００ ２００ ３００ ４００ ５００ ６００ ７００ ８００ ９００
Average On-state CurrentꢀIT（AV）（A）
平均オン電流ꢀIT（AV）（A）
相关型号：
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