TMG5C60H [SANREX]
TRIAC(Surface Mount Device/Non-isolated); TRIAC （表面贴装器件/非隔离）
| 型号： | TMG5C60H |
| 厂家： | 
SANREX CORPORATION |
| 描述： | TRIAC(Surface Mount Device/Non-isolated) |
| 文件： | 总2页 (文件大小：475K) |
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(
)
TRIAC Surface Mount Device / Non-isolated
TMG5C60H
Triac TMG5C60H is designed for full wave AC control applications.
TO-263
（7.0）
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.
（4.0）
Typical Applications
●
Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro
Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications
10ꢀ±0.3
4.5ꢀ±0.2
（6.91）
1.3ꢀ±0.2
●
Industrial Use
: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,
Heater Controls, Vending Machines, other control
applications
2
2
1
2
2
1
3
2.4ꢀ±0.2
3
1.27ꢀ±0.2
Features
IT(RMS)=5A
0.8ꢀ
±
0.15
●
0.5ꢀ
±
0.15
2.54ꢀ
±
0.25
2.5ꢀ
±0.2
5.08ꢀ±0.5
1
2
3
T1
T2
Gate
●
●
●
High Surge Current
Low Voltage Drop
Lead-Free Package
Unit：mm
Identifying Code：T5C6H
■Maximum Ratings
（Tj=25℃ unless otherwise specified）
Symbol
Item
Reference
Ratings
600
Unit
V
VDRM
IT（RMS）
ITSM
Repetitive Peak Off-State Voltage
R.M.S. On-State Current
Surge On-State Current
5
A
Tc＝107℃
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive
A
50 55
/
2
2
2
I t
12.6
A S
I t（for fusing）
GM
P
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
3
W
W
A
G（AV）
P
0.3
IGM
VGM
Tj
2
Peak Gate Voltage
10
V
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Mass
℃
℃
g
－40～＋125
－40～＋150
1.2
Tstg
■Electrical Characteristics
Ratings
Symbol
Item
Reference
Unit
Min. Typ. Max.
DRM
I
Repetitive Peak Off-State Current
Peak On-State Voltage
D
DRM
1
mA
V
V =V
, Single phase, half wave, Tj＝125℃
TM
V
T
1.4
20
20
I ＝7A, Inst. measurement
＋
IGT1
1
－
IGT1
2
3
4
1
2
3
4
Gate Trigger Current
Gate Trigger Voltage
mA
＋
IGT3
－
IGT3
20
1.5
1.5
D
L
V ＝6V，R ＝10Ω
＋
VGT1
－
VGT1
V
V
＋
VGT3
－
VGT3
1.5
1
GD
V
Non-Trigger Gate Voltage
D
DRM
0.2
Tj＝125℃，V ＝／V
2
Critical Rate of Rise of Off-State
Voltage at Commutation
2
D
DRM
5
〔dv dt〕c
Tj＝125℃，〔di dt〕c＝
－
2.5A ms，V ＝／V
V μs
/
/
/
/
3
H
I
Holding Current
10
mA
Thermal Resistance
Junction to case
3.0
Rth（j-c）
℃ W
/
＋
－
）
1（
）
2（
3（ III＋）
4（ III－）
SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com
TMG5C60H
１００ On-State Characteristics（MAX）
Gate Characteristics
１００
５０
２０
１０
５
VGM（10V）
１０
PGM（3W）
PG（AV（） 0.3W）
２
１
25℃
１
1＋GT１
1－GT１
1－GT３
Ｔｊ=２５℃
Ｔｊ=１２５℃
０．５
VG（D 0.2V）
０．１
１０
０．２
０．５
１．０
１．５
２．０
２．５
３．０
３．５
１００
１０００
１００００
On-State Voltage（V）
Gate Curren（t mA）
RMS On-State Current vs
７ Maximum Power Dissipation
RMS On-State vs
Allowable Case Temperature
１２５
１２０
１１５
θ
θ
＝
１８０゜
６
π
０
2π
θ
＝
１５０゜
θ
θ
＝
１２０゜
５
４
３
３
６
０゜
θ
＝
９０゜
θ
：Conduction Angle
θ
＝
６０゜
θ＝ 3 0 ゜
θ
＝
３０゜
θ＝ 6 0 ゜
θ＝ 9 0 ゜
θ＝ 120゜
θ
π
２
１
０
０
2π
１１０
１０５
θ
３
６０゜
θ＝ 150゜
θ＝ 180゜
θ
：Conduction Angle
０
１
２
３
４
５
６
０
１
２
３
４
５
RMS On-State Curren（t A）
RMS On-State Curren（t A）
Surge On-State Current Rating
（Non-Repetitive）
Transient Thermal Impedance
１０
６０
５０
４０
３０
２０
６０H Z
５０H Z
１０
０
１
０.０１
１
２
５
１０
２０
５０
１００
０.１
１
１０
１００
Time（Cycles）
Time（Sec.）
IGT －T（j Typical）
１０００ VGT －T（j Typical）
１０００
５００
５００
２００
２００
１００
５０
V－GT３（3－）
１００
V＋GT１（1＋）
I＋GT１（1＋）
I－GT１（1－）
V－GT１（1－）
５０
I－GT３（3－）
２０
１０
２０
１０
－５０
０
５０
１００
１５０
－５０
０
５０
１００
１５０
Junction Temp. T（j ℃）
Junction Temp. T（j ℃）
SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com
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