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![]() 晶闸管模块 PK ( PD , PE , KK ) 55GB UL ; E76102 M) ( 大功率晶闸管/二极管模块 PK55GB 系列设计用于各种整流电路 和电源控制。为您的应用电路。下面的内部连接和宽 额定电压高达800V可用。和电绝缘安装底座化妆 您的机械设计简单。 26MAX 3 93.5MAX 80 2 + – 1 K2 G2 2- 6.5 ● 的di / dt 150 A / μs的 ● dv / dt的500V / μs的 (应用程序) 各种整流器 交流/直流马达驱动器 加热器控制 调光器 静态开关 内部配置 K2 G2 3 2 16.5 23 23 K1 G1 ● I T( AV ) 55A ,我 T( RMS ) 86A ,我 TSM 1100A 13 ~ 3-M5 A1K2 (K2) K1 (A2) 30MAX A1K2 (K2) K1 (A2)中的G1 1 K2 G2 3 2 1 110TAB PK K2 3 2 2 PE K2 G2 K1 (A2)中的G1 1 A1K2 (K2) K1 (A2)中的G1 1 1 (A1) 21 PD KK 单位: A =最大 评级 评级 符号 V RRM V RSM V DRM 符号 项 *重复 峰值反向电压 *不重复 峰值反向电压 重复峰值断态电压 项 PK55GB40 PD55GB40 KK55GB40 PE55GB40 400 480 400 条件 单相半波, 180 ° 传导,TC : 89 ℃ 单相半波, 180 ° 传导,TC : 89 ℃ 1 周期, / 2 PK55GB80 PD55GB80 KK55GB80 PE55GB80 800 960 800 评级 55 86 1000/1100 5000 10 3 3 10 5 单位 V V V 单位 A A A A 2 S W W A V V A/ μs V ℃ ℃ N�½��½� (㎏f�½�B) g ( I 牛逼AV) *平均 通态电流 ( I 牛逼RMS ) * R.M.S 。 通态电流 I TSM I 2 t P GM (AV) P G -Surge 通态电流 *I 2 t 栅极峰值功耗 平均门功耗 栅极峰值电流 峰值栅极电压(正向) 峰值栅极电压(反向) 通态电流临界上升率 *隔离 击穿电压(均方根) *工作 结温 *存储 温度 MOUNTING 力矩 块 MOUNTING (M6) Terminal(M5) 为50Hz / 60Hz的,峰值,非重复性 用于浪涌电流的一个周期的值 I FGM V FGM V RGM 的di / dt V ISO Tj TSTG I G =100mA, Tj=25℃, D = 1 2 V DRM , G /dt=0.1A / V / dI μs A.C.1minute 150 2500 -40到+125 -40到+125 推荐值2.5-3.9 ( 25-40 ) 推荐值1.5-2.5 ( 15-25 ) 4.7(48) 2.7(28) 170 ⅵELECTRICAL 特征 符号 I DRM I RRM V TM I GT /V GT V GD TGT dv / dt的 I H I L 项 重复峰值断态电流,最大。 *重复 峰值反向电流,最大。 * PEAK 导通电压,最大 门极触发电流/电压,最大。 非触发门电压。分钟。 开启时间,最大 断态电压,最小的临界上升率。 保持电流,典型值。 Lutching电流,典型值。 条件 在V DRM ,单相半波, TJ = 125 ℃ 在V DRM ,单相半波, TJ = 125 ℃ 通态电流165A , TJ = 125 ℃研究所。测量 Tj=25℃,I T =1A,V D =6V Tj=125℃,V D = 1 2 V DRM / I T =55A, G =100mA, I Tj=25℃, D = 1 2 V DRM , G / dt=0.1A / V / dI μs TJ = 125 ℃ ,V D = 2 3 V DRM ,指数波。 / Tj=25℃ Tj=25℃ 结到外壳 评级 10 10 1.35 100 / 3 0.25 10 500 50 100 0.50 单位 mA mA V mA / V V μs V/ μs mA mA ℃ / W RTH J- C) *热阻抗,最大。 ( *标记:晶闸管 和二极管组成部分。无标记:晶闸管组成部分 三社电机50海景大道。纽约州华盛顿港11050-4618 PH ( 516 ) 625-1313传真( 516 ) 625-8845电邮: semi@sanrex.com
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