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KK55GB80 晶闸管模块 (THYRISTOR MODULE)
.型号:   KK55GB80
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描述: 晶闸管模块
THYRISTOR MODULE
文件大小 :   119 K    
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品牌   SANREX [ SANREX CORPORATION ]
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100%
浪涌通态电流
(A)
10
20
10
00
80
60
40
20
浪涌通态电流额定值
(不重复)
每一个元素
T = 5开始
�½�2 ℃
瞬态热阻抗
θ
(℃/W)
J- ç
;;
PK(PD,PE,KK)55GB
GATE特性
导通电压最大值
峰值正向栅极电压
(10V)
通态电流
(A)
栅极电压
(V)
Av
er
ag
e
Pe
宝AK摹
我们一
( TE
r
10
W
Po
we
r
栅极峰值电流
(3A)
Ga
te
Tj=125℃
3W
125℃
25℃
−30℃
最大栅极电压将不会触发任何单位
(0.25V)
05
10
15
20
25
30
栅电流
(MA )
通态电压
(V)
允许外壳温度
(℃)
10
通态平均电流与功率耗散
(单相半波)
每一个元素
平均通态电流与最大允许
外壳温度
(单相半波)
10
每一个元素
功耗
(W)
10
特区
10
10
2
360
:导通角
θ
θ
=120゜ =180゜
θ
=90゜
θ
=60゜
θ
=30゜
2
θ
=30゜
θ
=90゜
θ
=180゜
特区
360
θ
=60゜
θ
=120゜
:导通角
0 3
10
0 3
0 5
0 10
平均通态电流
(A)
平均通态电流
(A)
瞬态热阻抗
5 1
结到外壳
06
05
04
03
每一个元素
60Hz
50Hz
02
01
10
-3
5 1
-2
5 1
-1
5 1
时间
(周期)
时间
t
秒)
允许外壳温度
(℃)
总功耗
(W)
导通角180 °
W3
总功耗
(W)
ID Ar.m.s. )
40
B6
RTH : 0.8 ℃ / W
RTH : 0.6 ℃ / W
RTH : 0.4 ℃ / W
RTH : 0.2 ℃ / W
RTH : 0.1 ℃ / W
40
RTH : 0.8 ℃ / W
RTH : 0.6 ℃ / W
RTH : 0.4 ℃ / W
RTH : 0.2 ℃ / W
RTH : 0.1 ℃ / W
ID AAV )。
RTH : 0.8 ℃ / W
RTH : 0.6 ℃ / W
RTH : 0.4 ℃ / W
RTH : 0.2 ℃ / W
RTH : 0.1 ℃ / W
30
B2
30
20
10
10
10
10
10
ID AAV )。
20
W1
10
10
10
10
10
10
15
0 2 5 7 10 15
5 0 5 0 2
10
ID Ar.m.s. )
10
15
0 2 5 7 10 15
5 0 5 0 2
10
15
2 5 7 10 15
5 0 5 0 2
输出电流
(A)
环境温度
(℃)
环境温度
( ℃ )环境温度
(℃)
允许外壳温度
(℃)
50
输出电流
W1双向连接
50
B2
;两个时脉桥连接
B6六脉冲桥连接
W3三相
bidiretional连接
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