电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
IDT74FST3257  IDT74FST1632861PA  IDT74FST3257SO  IDT74FST1632861PFG  IDT74FST1632861PAG  IDT74FST1632861  IDT74FST1632861PV  IDT74FST1632861PF  IDT74FST3257Q  
KK55GB 晶闸管模块 (THYRISTOR MODULE)
.型号:   KK55GB
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: 晶闸管模块
THYRISTOR MODULE
文件大小 :   119 K    
页数 : 2 页
Logo:   
品牌   SANREX [ SANREX CORPORATION ]
购买 :   
  浏览型号KK55GB的Datasheet PDF文件第2页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
晶闸管模块
PK
( PD , PE , KK )
55GB
UL ; E76102 M)
大功率晶闸管/二极管模块
PK55GB
系列设计用于各种整流电路
和电源控制。为您的应用电路。下面的内部连接和宽
额定电压高达800V可用。和电绝缘安装底座化妆
您的机械设计简单。
26MAX
3
93.5MAX
80
2
+
1
K2
G2
2- 6.5
的di / dt
150 A / μs的
dv / dt的500V / μs的
(应用程序)
各种整流器
交流/直流马达驱动器
加热器控制
调光器
静态开关
内部配置
K2
G2
3
2
16.5
23
23
K1
G1
I
T( AV )
55A ,我
T( RMS )
86A ,我
TSM
1100A
13
~
3-M5
A1K2
(K2)
K1
(A2)
30MAX
A1K2
(K2)
K1
(A2)中的G1
1
K2
G2
3
2
1
110TAB
PK
K2
3
2
2
PE
K2
G2
K1
(A2)中的G1
1
A1K2
(K2)
K1
(A2)中的G1
1
1
(A1)
21
PD
KK
单位:
A
=最大
评级
评级
符号
V
RRM
V
RSM
V
DRM
符号
*重复
峰值反向电压
*不重复
峰值反向电压
重复峰值断态电压
PK55GB40 PD55GB40
KK55GB40 PE55GB40
400
480
400
条件
单相半波, 180 °
传导,TC : 89 ℃
单相半波, 180 °
传导,TC : 89 ℃
1
周期,
2
PK55GB80 PD55GB80
KK55GB80 PE55GB80
800
960
800
评级
55
86
1000/1100
5000
10
3
3
10
5
单位
V
V
V
单位
A
A
A
A
2
S
W
W
A
V
V
A/
μs
V
N�½��½�
(㎏f�½�B)
g
I
牛逼AV)
*平均
通态电流
I
牛逼RMS )
* R.M.S 。
通态电流
I
TSM
I
2
t
P
GM
(AV)
P
G
-Surge
通态电流
*I
2
t
栅极峰值功耗
平均门功耗
栅极峰值电流
峰值栅极电压(正向)
峰值栅极电压(反向)
通态电流临界上升率
*隔离
击穿电压(均方根)
*工作
结温
*存储
温度
MOUNTING
力矩
MOUNTING
(M6)
Terminal(M5)
为50Hz / 60Hz的,峰值,非重复性
用于浪涌电流的一个周期的值
I
FGM
V
FGM
V
RGM
的di / dt
V
ISO
Tj
TSTG
I
G
=100mA,
Tj=25℃,
D
1 2
V
DRM
G
/dt=0.1A
/
V
dI
μs
A.C.1minute
150
2500
-40到+125
-40到+125
推荐值2.5-3.9 ( 25-40 )
推荐值1.5-2.5 ( 15-25 )
4.7(48)
2.7(28)
170
ⅵELECTRICAL
特征
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
I
GT
/V
GT
V
GD
TGT
dv / dt的
I
H
I
L
重复峰值断态电流,最大。
*重复
峰值反向电流,最大。
* PEAK
导通电压,最大
门极触发电流/电压,最大。
非触发门电压。分钟。
开启时间,最大
断态电压,最小的临界上升率。
保持电流,典型值。
Lutching电流,典型值。
条件
在V
DRM
,单相半波, TJ = 125 ℃
在V
DRM
,单相半波, TJ = 125 ℃
通态电流165A , TJ = 125 ℃研究所。测量
Tj=25℃,I
T
=1A,V
D
=6V
Tj=125℃,V
D
1 2
V
DRM
I
T
=55A,
G
=100mA,
I
Tj=25℃,
D
1 2
V
DRM
G
/
dt=0.1A
/
V
dI
μs
TJ = 125 ℃ ,V
D
2 3
V
DRM
,指数波。
Tj=25℃
Tj=25℃
结到外壳
评级
10
10
1.35
100
/
3
0.25
10
500
50
100
0.50
单位
mA
mA
V
mA
/
V
V
μs
V/
μs
mA
mA
/
W
RTH J- C) *热阻抗,最大。
*标记:晶闸管
和二极管组成部分。无标记:晶闸管组成部分
三社电机50海景大道。纽约州华盛顿港11050-4618 PH ( 516 ) 625-1313传真( 516 ) 625-8845电邮: semi@sanrex.com
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7