2SK3098 [SANYO]
N CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR; N沟道MOS硅晶体管
| 型号： | 2SK3098 |
| 厂家： | 
SANYO SEMICON DEVICE |
| 描述： | N CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR |
| 文件： | 总1页 (文件大小：14K) |
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No.
三洋半導体開発速報ꢀ
NチャネルM OS形シリコン電界効果トランジスタ
超高速スイッチング用
暫定規格
2 S K 3 0 9 8
特長
・低オン抵抗。
・低Qg化。
絶対最大定格AbsoluteM aximum Ratings／Ta=25℃
unit
V
ドレイン・ソース耐圧
ゲート・ソース耐圧
ドレイン電流（DC）
ドレイン電流（パルス）
許容損失
VDSS
VGSS
ID
400
±30
V
12
A
IDP
PD
48
85
A
(TC＝25℃)
W
チャネル温度
Tch
Tstg
150
℃
℃
保存周囲温度ꢀ ꢀ
－55～＋150
minꢀ typ ꢀ max
unit
電気的特性ElectricalCharacteristics／Ta=25℃
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
ゲート・ソースもれ電流
カットオフ電圧
順伝達アドミタンス
飽和抵抗
V(BR)DSS
IDSS
ID＝1mA
, VGS＝0
400
V
mA
nA
V
VDS＝320V , VGS＝0
VGS＝±30V, VDS＝0
VDS＝10V , ID＝1mA
VDS＝10V , ID＝6A
1.0
±100
4
IGSS
VGS(off)
│yfs│
RDS(on)
Ciss
3
2.9
5.8
0.43
1150
350
150
40
S
Ω
pF
pF
pF
nC
ID＝6A
, VGS＝15V
0.55
入力容量
VDS＝20V , f＝1M Hz
出力容量
Coss
VDS＝20V , f＝1M Hz
帰還容量
Crss
VDS＝20V , f＝1M Hz
ゲ－ト入力電荷量
Qg
VDS＝200V , ID＝12A
VGS＝10V
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
下降時間ꢀ
td(on)
tr
下図指定回路において
20
35
85
45
ns
ns
ns
ns
V
〃
〃
〃
td(off)
tf
ダイオード順電圧
VSD
IS＝12A
, VGS＝0
1.2
（注）ゲート・ソース間には保護ダイオードは入っていないので取り扱いには充分注意すること。
外形図
TO-220(unit:mm)
スイッチングタイム測定回路図
VDD＝200V
10.2
4.5
5.1
φ3.6
1.3
PW ＝1μS
D.C.≦0.5%
ID＝6A
RL＝33.3Ω
VGS=15V
D
VOUT
G
1.2
2SK3098
RGS
50Ω
0.8
P.G
0.4
S
1 2
3
1：Base
2：Collector
3：Emitter
2.55
2.55
※これらの仕様は、改良などのため変更することがあります。
〒370-05 群馬県大泉町坂田一丁目1番1号
三洋電機株式会社半導体事業本部
971217TM 2fXHD
相关型号：
2SK30ATM
N CHANNEL JUNCTION TYPE (LOW NOISE PRE-AMPLIFIER, TONE CONTROL AMPLIFIER AND DC-AC HIGH INPUT IMPEDANCE AMPLIFIER CIRCUIT APPLICATIONS)
TOSHIBA
2SK30ATM-R
TRANSISTOR 0.75 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92, 2-5F1C, SC-43, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal
TOSHIBA
2SK30ATM-Y
TRANSISTOR 3 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92, 2-5F1C, SC-43, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal
TOSHIBA
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