2SK3830 [SANYO]
N CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR; N沟道MOS硅晶体管
| 型号： | 2SK3830 |
| 厂家： | 
SANYO SEMICON DEVICE |
| 描述： | N CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR |
| 文件： | 总4页 (文件大小：59K) |
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注文コードNo.N 8 0 3 2
N チャネルM OS 形シリコン電界効果トランジスタ
2SK3830
汎用スイッチングデバイス
特長
・低オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・4V 駆動。
・モータドライブ,DC /DC コンバータ用等。
・アバランシェ保証。
絶対最大定格AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃
項目
記号
条件
定格値
unit
V
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流（DC）
ドレイン電流（パルス）
V
V
60
DSS
GSS
±20
V
I
D
72
A
I
PW ≦10µs,dutycycle≦1%
288
A
DP
2.5
W
許容損失
P
D
Tc=25℃
85
W
チャネル温度
Tch
150
℃
℃
m J
A
保存周囲温度
Tstg
－55～＋150
アバランシェエネルギー(単発)*1
アバランシェ電流*2
E
205
74
AS
I
AV
*1.V
=20V、L=50µH、I =74A
AV
DD
*2.L≦50µH、1パルス
電気的特性ElectricalCharacteristics/Ta=25℃
定格値
項目
記号
条件
unit
m in
typ
m ax
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
V
I =1m A,V =0
GS
60
V
(BR)DSS
D
I
DSS
V
=60V,V =0
GS
1
µA
DS
GS
DS
DS
I
GSS
V
V
V
=±16V,V =0
DS
±10 µA
V
(off)
=10V,I =1m A
D
1.2
18
2.6
V
S
GS
yfs
=10V,I =36A
D
45
R
R
(on)1 I =36A,V =10V
GS
12.5
21
16 m Ω
27 m Ω
pF
DS
DS
D
ドレイン・ソース間オン抵抗
(on)2 I =36A,V =4V
GS
D
入力容量
出力容量
帰還容量
Ciss
Coss
Crss
V
=20V,f=1M Hz
=20V,f=1M Hz
3500
500
350
DS
DS
DS
V
V
pF
=20V,f=1M Hz
pF
単体品名表示：K3830
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本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等)を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
D2404QA TS IM ◎川浦TB-00000313 No.8032-1/4
2SK3830
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項目
定格値
typ
記号
t (on)
条件
unit
m in
m ax
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
指定回路において
指定回路において
指定回路において
指定回路において
26
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
d
t
r
270
250
250
67
ターンオフ遅延時間
下降時間
t (off)
d
t
f
総ゲート電荷量
Qg
V
V
V
=30V,V =10V,I =72A
GS
DS
DS
DS
D
ゲート・ソース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
Qgs
Qgd
=30V,V =10V,I =72A
GS
10.6
10
D
=30V,V =10V,I =72A
GS
D
V
I =72A,V =0
S GS
1.1
1.5
SD
外形図
unit:m m
2056A
スイッチングタイム測定回路図
V
=30V
V
DD
IN
10V
0V
15.6
14.0
3.2
4.8
2.0
I
=36A
D
V
IN
R =0.83Ω
L
D
V
OUT
PW=10µs
D.C.≦1%
G
1.6
1.0
2.0
3
0.6
2SK3830
P.G
50Ω
S
1 : Gate
2
1
2 : Drain
3 : Source
0.6
5.45
5.45
SANYO : TO-3PB
アバランシェ測定回路図
L
≥50Ω
RG
DUT
15V
0V
V
50Ω
DD
I
D
-- V
I
D
-- V
DS
GS
100
90
80
70
60
50
40
30
20
100
90
80
70
60
50
40
30
20
V
=10V
Tc=25°C
DS
6V
4V
V
=3V
GS
10
0
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
1
2
3
4
5
6
ドレイン・ソース電圧, V
-- V
ゲート・ソース電圧, V
-- V
GS
IT07962
IT07961
DS
No.8032-2/4
2SK3830
R
(on) -- V
R
(on) -- Tc
DS
DS
GS
35
30
25
20
15
10
40
35
30
25
20
15
10
I =36A
D
5
0
5
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
IT07963
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
ゲート・ソース電圧, V
-- V
ケース温度, Tc -- °C
IT07964
GS
yfs -- I
D
I -- V
F
SD
100
100
7
V
=10V
V
=0
DS
GS
7
5
5
3
2
3
2
10
7
5
3
2
10
7
5
1.0
7
5
3
2
3
2
0.1
7
1.0
7
5
3
2
5
3
0.01
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
IT07966
0.1
1.0
10
100
IT07965
ドレイン電流, I -- A
D
ダイオード順電圧, V
-- V
SD
Ciss, Coss, Crss -- V
SW Tim e -- I
D
DS
7
5
1000
f=1M Hz
V
V
=30V
=10V
DD
GS
7
5
3
2
3
2
100
1000
7
5
7
5
t (on)
d
3
2
3
2
10
0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
0
5
10
15
20
25
30
IT07968
1.0
10
100
IT07967
ドレイン・ソース電圧, V
-- V
ドレイン電流, I -- A
DS
D
V
-- Qg
A S O
GS
7
5
10
9
V
=30V
I
=288A
＜10µs
DS
DP
3
2
I =72A
D
8
100 I =72A
D
7
5
7
3
2
6
10
7
5
5
Operation in
thisareais
lim ited byR (on).
DS
4
3
2
3
1.0
7
5
2
3
2
1
0
Tc=25°C
1パルス
0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
100
0
10
20
30
40
50
60
70
IT07969
0.1
1.0
10
総ゲート電荷量, Qg -- nC
ドレイン・ソース電圧, V
-- V
IT07970
DS
No.8032-3/4
2SK3830
P
-- Ta
P
-- Tc
D
D
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
100
90
85
80
70
60
50
40
30
20
0.5
0
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
20
40
60
80
100
120
140
160
周囲温度, Ta -- °C
IT07959
ケース温度, Tc -- °C
IT07971
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