FX513 [SANYO]
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR; PNP外延平面硅晶体管
| 型号： | FX513 |
| 厂家： | 
SANYO SEMICON DEVICE |
| 描述： | PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR |
| 文件： | 总4页 (文件大小：48K) |
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注文コードNo. N 7 3 3 5
No. N 7335
O1002
新
PNP エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ
FX513
用途 ・リレードライブ,ランプドライブ,モータドライブ。
DC /DC コンバータ用
特長 ・PNP トランジスタを1パッケージに2素子内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。
・FX513は、2SA2013相当のチップを同一ケース内に収容したものである。
・内蔵素子のペア性に優れている。
絶対最大定格AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃
unit
V
コレクタ・ベース電圧
コレクタ・エミッタ電圧
コレクタ・エミッタ電圧
エミッタ・ベース電圧
コレクタ電流
V
V
V
V
－50
CBO
CES
CEO
EBO
－50
V
－50
V
－6
V
I
C
－4
A
コレクタ電流（パルス）
ベース電流
I
－7
A
CP
I
B
－600
m A
W
コレクタ損失
P
P
セラミック基板(750m m 2 ×0.8m m )装着時1unit
セラミック基板(750m m 2 ×0.8m m )装着時
1.5
1.8
C
T
全損失
W
接合部温度
Tj
150
℃
℃
保存周囲温度
Tstg
－55～＋150
電気的特性ElectricalCharacteristics/Ta=25℃
m in
typ
m ax unit
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
直流電流増幅率比
利得帯域幅積
I
V
V
V
V
V
V
=－40V,I =0
E
－1
µA
µA
CBO
CB
EB
CE
CE
CE
CB
I
EBO
=－4V,I =0
C
－1
560
h
h
=－2V,I =－500m A
C
200
0.8
FE
FE
(小/大)
=－2V,I =－500m A
C
f
T
=－10V,I =－500m A
C
360
24
M Hz
pF
出力容量
Cob
=－10V,f=1M Hz
次ページへ続く。
単体品名表示：513
外形図ꢀ2118
(unit:m m )
5.0
1.5
0.5
1.5
5
6
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を
要する用途（生命維持装置、航空機のコント
ロールシステム等、多大な人的・物的損害
を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様に
はなっておりません。そのような場合には、
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下
さい。
1:Base1
3
2
1
4
0.4
1.8
0.4
2:Em itter1
3:Em itter2
4:Base2
0.8
2.4
(Bottom view)
0.8
2.4
5:Collector2
6:Collector1
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲
等)を瞬時たりとも越えて使用し、その結果
発生した機器の欠陥について、弊社は責任
を負いません。
6.2
1.2D 0.15max
SANYO :XP6
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
O1002TS IM ◎佐藤TA-100064 No.7335-1/4
FX513
前ページより続く。
m in
typ
－105
－200
－0.89
m ax unit
－180 m V
－340 m V
コレクタ・エミッタ飽和電圧
V
V
V
V
V
V
V
(sat)1 I =－1A,I =－50m A
C B
CE
CE
BE
(sat)2 I =－2A,I =－100m A
B
C
ベース・エミッタ飽和電圧
コレクタ・ベース降伏電圧
コレクタ・エミッタ降伏電圧
コレクタ・エミッタ降伏電圧
エミッタ・ベース降伏電圧
ターンオン時間
(sat)
I =－2A,I =－100m A
C B
－1.2
V
V
I =－10µA,I =0
－50
－50
－50
－6
(BR)CBO
(BR)CES
(BR)CEO
(BR)EBO
C
E
I =－100µA,R =0
C BE
V
I =－1m A,R =∞
C BE
V
I =－10µA,I =0
V
E
C
t
on
指定回路において
30
230
15
ns
ns
ns
蓄積時間
t
〃
〃
stg
下降時間
t
f
注）各規格は個々のトランジスタに対しての特性を表している。
電気的接続図
スイッチングタイム測定回路図
I
6
5
B1
PW=20µs
OUTPUT
D.C.≦1%
I
1:Base1
B2
2:Em itter1
3:Em itter2
4:Base2
INPUT
R
B
V
R
R
25Ω
L
5:Collector2
6:Collector1
50Ω
(Top view)
+
+
100µF
470µF
1
2
3
4
V
=5V
V
= --25V
CC
BE
I =--10I =10I =--1A
C B1 B2
I
C
-- V
I
-- V
CE
C BE
--4
--3
--2
--1
--4.0
V
=--2V
CE
--90m A
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--80m A
--70m A
--60m A
--50m A
--0.5
0
I =0
B
0
0
--0.4
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
IT00152
ベース・エミッタ電圧, V
-- V
V
IT00154
コレクタ・エミッタ電圧, V
-- V
BE
CE
h
-- I
f
-- I
FE
C
T C
1000
1000
V
=--2V
=--10V
CE
CE
7
5
7
5
3
2
3
2
--25°C
100
100
7
7
5
5
3
2
3
2
10
10
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5 7
--0.01
--0.1
--1.0
--10
IT00156
--0.01
--0.1
--1.0
--10
コレクタ電流, I -- A
コレクタ電流, I -- A
IT00166
C
C
No.7335-2/4
FX513
V
(sat) -- I
C
Cob -- V
CE
CB
--1000
5
I
/I =20
B
f=1M Hz
7
5
C
3
2
3
2
100
--100
7
5
7
5
C
°
Ta=75
3
2
3
2
C
°
25
--10
7
10
7
5
5
3
2
3
2
--1.0
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5 7
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--0.1
--1.0
--10
--100
--0.01
--0.1
--1.0
--10
IT00158
コレクタ・ベース電圧, V
-- V
IT00164
コレクタ電流, I -- A
C
CB
V
(sat) -- I
V
(sat) -- I
CE
C
BE
C
--10
--10000
I
/I =50
B
I /I =50
C B
C
7
5
7
5
3
2
25°C
3
2
--1000
7
5
--1.0
3
2
7
5
--100
7
5
3
2
3
2
--10
--0.1
--0.01
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--10
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--0.01
--0.1
--1.0
--0.1
--1.0
--10
IT00162
コレクタ電流, I -- A
コレクタ電流, I -- A
C
IT00159
C
A S O
P (TR2) -- P (TR1)
C C
2
1.6
セラミック基板(750m m 2×0.8m m )装着時
1.5
1.4
--10
7
5
I
=--7A
≦10µs
CP
5
0
0
µ
s
3
2
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
I =--4A
C
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
Ta=25°C
1パルス
3
2
0.2
0
セラミック基板(750m m 2×0.8m m )装着時1unit
--0.01
--0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4 1.5 1.6
--1.0
--10
コレクタ・エミッタ電圧, V
-- V
コレクタ損失, P (TR1) -- W
C
IT04815
IT04816
CE
P
-- Ta
C
2.0
セラミック基板(750m m 2×0.8m m )装着時
1.8
1.6
1.5
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
1
u
n
it
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
周囲温度, Ta -- °C
IT04817
No.7335-3/4
FX513
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ
り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。
弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、
保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
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この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す
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PS No.7335-4/4
相关型号：
FX532A-10.000MHZ-BBD10010
Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 10MHz Nom, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, SMD, 2 PIN
FOX
FX532A-14.000MHZ-BBD00010
Series - Fundamental Quartz Crystal, 14MHz Nom, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, SMD, 2 PIN
FOX
FX532A-16.000MHZ-BBD10010
Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 16MHz Nom, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, SMD, 2 PIN
FOX
FX532A-40.000MHZ-AAD10010
Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 40MHz Nom, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, SMD, 2 PIN
FOX
FX532A-40.000MHZ-BBD10010
Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 40MHz Nom, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, SMD, 2 PIN
FOX
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