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订购数量: ENN5507B
2SA1875 / 2SC4976
PNP / NPN外延平面硅晶体管
2SA1875 / 2SC4976
高清晰度CRT显示器
视频输出的应用
特点
包装尺寸
单位:mm
2045B
[ 2SA1875 / 2SC4976 ]
6.5
5.0
4
1.5
高的fT : FT = 400MHz的(典型值) 。
高击穿电压VCEO
≥200V(min).
大电流电容。
小的反向传输电容和优异的
- 频率特性:
CRE = 3.4pF ( NPN ) , 4.2pF ( PNP ) 。
采用FBET过程。
2.3
0.5
0.85
0.7
0.8
1.6
5.5
7.0
1.2
7.5
0.6
0.5
1
2
3
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
4 :收藏家
2.3
2.3
三洋: TP
单位:mm
2044B
[ 2SA1875 / 2SC4976 ]
6.5
5.0
4
2.3
1.5
0.5
5.5
7.0
0.85
0.5
0.8
1
0.6
2
3
2.5
1.2
1.2
0 〜0.2
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
4 :收藏家
三洋: TP -FA
2.3
2.3
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子,能够处理
适用于要求极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前,用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数)和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1​​丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
52101 TS IM TA- 9766 No.5507-1 / 5
2SA1875 / 2SC4976
特定网络阳离子
(): 2SA1875
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
Tc=25°C
条件
评级
(-
-)200
(-
-)200
(-
-)3
(-
-)300
(-
-)600
(--)30
0.8
12
150
--55到150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
W
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
反向传输电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
符号
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
fT
COB
CRE
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
V( BR ) CBO
V( BR ) CEO
V( BR ) EBO
条件
VCB = ( - ) 150V , IE = 0
VEB = ( - ) 2V , IC = 0
VCE = ( - ) 10V , IC = ( - ) 50毫安
VCE = ( - ) 10V, IC = ( - ) 250毫安
VCE = ( - ) 10V , IC = ( - ) 100毫安
VCB = ( - ) 30V , F = 1MHz的
VCB = ( - ) 30V , F = 1MHz的
IC = ( - ) 50毫安, IB = ( - ) 5毫安
IC = ( - ) 50毫安, IB = ( - ) 5毫安
IC = ( - ) 10μA , IE = 0
IC = ( - ) 1mA时, RBE = ∞
IE = ( - ) 100μA , IC = 0
(--)200
(--)200
(--)3
评级
典型值
最大
(--)0.1
(--)1.0
60*
20
400
(5.0)4.2
(4.2)3.4
(--)1.0
(--)1.0
兆赫
pF
pF
V
V
V
V
V
320*
单位
µA
µA
* :本2SA1875 / 2SC4976被50毫安的hFE如下分类
的hFE
D
60至120
E
F
100〜200 160 〜320
--350
IC - VBE
2SA1875
VCE = --10V
350
IC - VBE
2SC4976
VCE=10V
--300
300
集电极电流, IC - 毫安
--250
集电极电流, IC - 毫安
250
--200
200
Ta=75
°
C
0
0.2
0.4
0.6
Ta=75
°
C
--100
25
°
C
--25°C
--150
150
100
--50
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
IT03431
50
0
0.8
1.0
1.2
IT03432
基极发射极电压VBE - V
基极发射极电压VBE - V
25
°
C
--25°C
No.5507-2/5
2SA1875 / 2SC4976
5
3
2
的hFE - IC
2SA1875
VCE = --10V
5
3
2
的hFE - IC
2SC4976
VCE=10V
直流电流增益, hFE参数
直流电流增益, hFE参数
Ta=75
°C
100
7
5
3
2
25°C
--25°C
100
7
5
3
2
Ta=75°C
25°C
--25°C
10
3
5
7
--10
2
3
5
7 --100
2
3
5
10
3
5
7
10
2
3
5
7
100
2
3
5
集电极电流, IC - 毫安
2
IT03433
3
VCE (SAT) - IC
集电极电流, IC - 毫安
IT03434
VCE (SAT) - IC
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) - V
--1.0
7
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) - V
2SA1875
IC / IB = 10
2
2SC4976
IC / IB = 10
1.0
7
5
3
2
5
25
°
TA 〜
--
3
2
75
°
C
25
°
C
C
--0.1
7
5
3
5
7
--10
5
°
C
Ta=7
C
--25
°
25
°
C
2
3
5
7
--100
2
3
75
°
C
TA 〜
°
C
--25
25
°
C
0.1
7
5
3
5
7
10
2
3
5
7
100
2
3
5
集电极电流, IC - 毫安
5
IT03435
5
VBE (星期六) - IC
集电极电流, IC - 毫安
IT03436
VBE (星期六) - IC
基极 - 发射极
饱和电压VBE (星期六) - V
3
2
基极 - 发射极
饱和电压VBE (星期六) - V
2SA1875
IC / IB = 10
3
2
2SC4976
IC / IB = 10
25°C
--1.0
7
5
3
2
TA = --25 ℃,
1.0
7
5
3
2
25°C
TA = --25 ℃,
75
°
C
75
°C
--0.1
3
5
7
--10
2
3
5
7 --100
2
3
5
0.1
3
5
7
10
2
3
5
7
100
2
3
5
集电极电流, IC - 毫安
3
2
IT03437
3
2
COB - VCB
集电极电流, IC - 毫安
IT03438
COB - VCB
2SA1875
f=1MHz
2SC4976
f=1MHz
输出电容,科夫 - pF的
10
7
5
输出电容,科夫 - pF的
7 --1.0
2
3
5
7 --10
2
3
5
7 --100
2
V
ITR04480
10
7
5
3
2
3
2
1.0
1.0
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
集电极 - 基极电压VCB -
集电极 - 基极电压VCB -
7 100
2
V
ITR04481
No.5507-3/5
2SA1875 / 2SC4976
3
CRE - VCB
反向传输电容, Cre重组酶 - pF的
反向传输电容, Cre重组酶 - pF的
2
2SA1875
f=1MHz
3
2
CRE - VCB
2SC4976
f=1MHz
10
7
5
10
7
5
3
2
3
2
1.0
7 --1.0
2
3
5
7 --10
2
3
5
1.0
集电极 - 基极电压VCB -
2
7 --100
2
V
ITR04482
2
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
F T - IC
集电极 - 基极电压VCB -
7 100
2
V
ITR04483
F T - IC
增益Brandwidth产品, F T - 兆赫
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
7 --1.0
2
3
5
7 --10
2
3
5
增益Brandwidth产品, F T - 兆赫
2SA1875
VCE = --10V
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
2SC4976
VCE=10V
7 --100
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
7 100
2
3
5
集电极电流, IC - 毫安
1000
7
5
ITR04484
1.0
ASO
集电极电流, IC - 毫安
ITR04485
PC - TA
ICP=600mA
集电极耗散,电脑 - 含
集电极电流, IC - 毫安
3
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
3
IC=300mA
s
1m
s
m
10
DC
DC
0.8
op
ERA
0.6
TIO
nT
a=
25
No
op
er
ATI
on
he
°
C
at
P
C =0
.8W
0.4
k
Tc=25°C
单脉冲
为PNP型,省略了负号
5
7
10
2
3
5
7 100
2
3
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
ITR08231
集电极 - 发射极电压VCE - V
14
环境温度,钽 -
°C
ITR08232
PC - 锝
12
集电极耗散,电脑 - 含
10
8
6
4
2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
外壳温度,TC -
°C
ITR08233
No.5507-4/5
2SA1875 / 2SC4976
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特点,以及在独立国家所描述的产品功能,并且不保证
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半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的,这些概率的故障可能
事故或事件,危及人的生命,这可能导致冒烟或起火引起,
或可能造成损害的其他财产。在设计设备,采用安全的措施,
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路,电路错误预防安全设计,多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品(包括技术参数和服务)的事件或描述
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这样的产品不能鞋子箱包的出口泰德不受当局获得的鞋子箱包的出口吨执照
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PS No.5507-5 / 5
相关元器件产品Datasheet PDF文档

2SA1875D

TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-252
19 icpdf_datashe

2SA1875E

TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-252
11 icpdf_datashe

2SA1875F

TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-252
11 icpdf_datashe

2SA1876

Switching Power Transistor(-3A PNP)
44 SHINDENGEN

2SA1877

Switching Power Transistor(-5A PNP)
45 SHINDENGEN

2SA1878

Switching Power Transistor(-5A PNP)
49 SHINDENGEN