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订购数量: ENN8283
2SK3746
2SK3746
特点
N沟道MOSFET硅
高电压,高速开关
应用
低导通电阻,低输入电容,超高速开关。
可靠性高(采用HVP过程) 。
雪崩性的保证。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
通道温度
储存温度
雪崩能量(单脉冲) * 1
雪崩电流* 2
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
EAS
IAV
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
Tc=25°C
条件
评级
1500
±20
2
4
2.5
110
150
--55到150
42
2
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
mJ
A
*1
VDD = 99V , L = 20mH , IAV = 2A
*2
L≤20mH ,单脉冲
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
YFS
RDS ( ON)
条件
ID = 1mA时, VGS = 0V
VDS = 1200V , VGS = 0V
VGS =
±16V,
VDS=0V
VDS = 10V ,ID = 1毫安
VDS = 20V , ID = 1A
ID = 1A , VGS = 10V
评级
1500
100
±10
2.5
0.7
1.4
10
13
3.5
典型值
最大
单位
V
µ
A
µ
A
V
S
标记: K3746
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子,能够处理
适用于要求极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前,用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数)和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1​​丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
62005QB MS IM TB- 00001345 No.8283-1 / 4
2SK3746
从接下页。
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
VDS = 30V , F = 1MHz的
VDS = 30V , F = 1MHz的
VDS = 30V , F = 1MHz的
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
VDS = 200V ,V GS = 10V ,ID = 2A
VDS = 200V ,V GS = 10V ,ID = 2A
VDS = 200V ,V GS = 10V ,ID = 2A
IS = 2A , VGS = 0V
评级
典型值
380
70
40
12
37
152
59
37.5
2.7
20
0.88
1.2
最大
单位
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
注)虽然保护二极管包含栅极和源极之间,要小心处理就好了。
包装尺寸
单位:mm
7503-004
15.6
14.0
2.6
3.5
4.8
3.2
2.0
1.6
2.0
20.0
1.3
15.0
20.0
1.2
1.0
0.6
1
2 3
0.6
1.4
1 :门
2 :排水
3 :源
三洋: TO- 3PB
5.45
5.45
开关时间测试电路
VIN
10V
0V
VIN
ID=1A
RL=200Ω
VDD=200V
雪崩电阻测试电路
≥50Ω
RG
L
D
PW=10µs
D.C.≤0.5%
VOUT
2SK3746
10V
0V
50Ω
VDD
G
2SK3746
P.G
RGS=50Ω
S
No.8283-2/4
2SK3746
4.0
3.5
3.0
2.5
Tc=25
°
C
脉冲
ID - VDS
8V
3.0
ID - VGS
VDS=20V
脉冲
2.5
TC = --25 ℃,
漏极电流ID -
漏极电流ID -
10V
2.0
6V
2.0
1.5
1.0
0.5
25
°
C
75
°
C
1.5
1.0
5V
VGS=4V
0.5
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
漏极至源极电压VDS - V
30
IT09031
30
RDS ( ON) - VGS
栅极 - 源极电压VGS - V
IT09032
RDS ( ON) - 锝
ID=1A
ID=1A
VGS=10V
静态漏 - 源
通态电阻, RDS ( ON) -
25
静态漏 - 源
通态电阻, RDS ( ON) -
18
20
25
20
20
15
Tc=75°C
25
°
C
--25
°
C
15
10
10
5
5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
栅极 - 源极电压VGS - V
5
y
fs - ID
IT09033
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
外壳温度,TC -
°C
IT09034
IS - VSD
VGS=0V
正向转移导纳,
y
fs - S
VDS=20V
3
2
25
1.0
7
5
3
2
°
C
5
°
C
--2
=
°
C
Tc
75
源出电流,是 - 个
0.1
3
5
7
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
0.01
0.2
0.4
TC =
75
°
C
25
°
C
--25
°
C
0.6
0.8
1.0
1.2
IT09036
漏极电流ID -
5
3
IT09035
5
SW时间 - ID
西塞,科斯,的Crss - VDS
f=1MHz
二极管的正向电压, VSD - V
VDD=200V
VGS=10V
TD (关闭)
3
2
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
切换时间, SW时间 - NS
2
西塞,科斯,的Crss - pF的
100
7
5
3
2
西塞
tf
Co
ss
CRSS
tr
TD (上)
10
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
2
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
漏极电流ID -
IT09037
漏极至源极电压VDS - V
IT09038
No.8283-3/4
2SK3746
10
9
VGS - 的Qg
VDS=200V
ID=2A
漏极电流ID -
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
ASO
IDP=4A
ID=2A
1m
<10µs
栅极 - 源极电压VGS - V
10
s
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
IT09039
0
µ
s
10
10
m
0m
s
D
C
s
n
io
at
er
op
在这一领域
由RDS ( ON)的限制。
0.01
1.0
Tc=25
°
C
单脉冲
2 3
5 7 10
2 3
5 7 100
2 3
总栅极电荷QG - 数控
3.0
PD - TA
允许功耗, PD - 含
漏极至源极电压VDS - V
120
110
100
5 71000 2 3
IT09040
PD - 锝
允许功耗, PD - 含
2.5
2.0
80
1.5
60
1.0
40
0.5
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度,钽 -
°C
IT09041
外壳温度,TC -
°C
IT09042
注意使用情况:由于2SK3746是MOSFET产品,请避免在附近使用本设备
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三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而,任何和所有
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