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448XA3501CDN  448XE2501ADN  448XE2501BAN  448XB2501CAN  448XB3501AAN  448XB2501AAC  448XB2501BDN  448XE2102ADN  448XE3501BDC  448XB3102BAC  
2SK3748 高压,高速开关应用 (High-Voltage, High-Speed Switching Applications)
.型号:   2SK3748
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描述: 高压,高速开关应用
High-Voltage, High-Speed Switching Applications
文件大小 :   53 K    
页数 : 4 页
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品牌   SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
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订购数量: ENN8250A
2SK3748
2SK3748
特点
N沟道MOSFET硅
高电压,高速开关
应用
低导通电阻,低输入电容,超高速开关。
可靠性高(采用HVP过程) 。
附件操作性是由云母少包好。
雪崩性的保证。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
通道温度
储存温度
雪崩能量(单脉冲) * 1
雪崩电流* 2
符号
VDSS
VGSS
ID *
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
EAS
IAV
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
Tc=25°C
条件
评级
1500
±20
4
8
3.0
65
150
--55到150
170
4
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
mJ
A
*节目
芯片功能
*1
VDD = 99V , L = 20mH , IAV = 4A
*2
L≤20mH ,单脉冲
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
YFS
RDS ( ON)
条件
ID = 1mA时, VGS = 0V
VDS = 1200V , VGS = 0V
VGS =
±16V,
VDS=0V
VDS = 10V ,ID = 1毫安
VDS = 20V ,ID = 2A
ID = 2A , VGS = 10V
评级
1500
100
±10
2.5
1.7
2.8
5
7
3.5
典型值
最大
单位
V
µ
A
µ
A
V
S
标记: K3748
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子,能够处理
适用于要求极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前,用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数)和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1​​丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
72905 MS IM TB- 00001688 / 31005QB TS IM TB- 00001272 No.8250-1 / 4
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