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订购数量: ENN8148
ECH8402
N沟道MOSFET硅
ECH8402
特点
通用开关设备
应用
低导通电阻。
4V的驱动器。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
安装在陶瓷板( 900毫米
2
!0.8mm)
条件
评级
30
±20
10
40
1.6
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
条件
ID = 1mA时, VGS = 0
VDS = 30V , VGS = 0
VGS = ± 16V , VDS = 0
VDS = 10V ,ID = 1毫安
VDS = 10V ,ID = 5A
ID = 5A , VGS = 10V
ID = 2.5A , VGS = 4V
VDS = 10V , F = 1MHz的
VDS = 10V , F = 1MHz的
VDS = 10V , F = 1MHz的
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
评级
30
1
±10
1.0
5.6
9.4
11
23
1400
270
190
17
82
96
53
15
32
2.4
典型值
最大
单位
V
µ
A
µ
A
V
S
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
标记: KB
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子,能够处理
适用于要求极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前,用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数)和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1​​丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
11205PE TS IM TA- 100740 No.8148-1 / 4
ECH8402
从接下页。
参数
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
VDS = 10V ,V GS = 10V ,ID = 5A
VDS = 10V ,V GS = 10V ,ID = 5A
VDS = 10V ,V GS = 10V ,ID = 5A
IS = 10A , VGS = 0
评级
典型值
28
4.8
7.3
0.81
1.2
最大
单位
nC
nC
nC
V
包装尺寸
单位:mm
2222A
0.25
电气连接
8
7
6
5
0.3
8
5
0.15
0.65
2.9
0.25
1
4
1 :源
2 :源
3 :源
4 :门
5 :排水
6 :排水
7 :漏
8 :排水
1
2
3
4
2.3
2.8
1 :源
2 :源
3 :源
4 :门
5 :排水
6 :排水
7 :漏
8 :排水
三洋: ECH8
顶视图
开关时间测试电路
VIN
10V
0V
VIN
VDD=15V
ID=5A
RL=3Ω
0.07
0.9
D
PW=10µs
D.C.≤1%
VOUT
G
ECH8402
P.G
50Ω
S
8.0V
10
ID - VDS
6.0V
16
ID - VGS
VDS=10V
4.0
V
8
10.0V
14
漏极电流ID -
漏极电流ID -
3.5V
12
10
8
6
4
2
6
4
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
TA 〜
7
2
VGS=3.0V
25
°
C
--25
°
C
3.5
4.0
5
°
C
4.5
5.0
漏极至源极电压VDS - V
IT08482
栅极 - 源极电压VGS - V
IT08483
No.8148-2/4
ECH8402
50
RDS ( ON) - VGS
Ta=25
°
C
40
RDS ( ON) - TA
静态漏 - 源
通态电阻, RDS ( ON) - 毫欧
静态漏 - 源
通态电阻, RDS ( ON) - 毫欧
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
ID=2.5A
5.0A
35
30
25
20
15
10
5
0
--50
.5A,
V G
I D = 2
4V
S=
0V
,V S = 1时
I D = 5.0A摹
--25
0
25
50
75
100
125
150
栅极 - 源极电压VGS - V
3
y
fs - ID
IT08484
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
环境温度,钽 -
°C
IT08485
IF - 室间隔缺损
VGS=0
正向转移导纳,
y
fs - S
2
VDS=10V
7
5
3
2
°
C
25
1.0
7
5
3
0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7
2
3
10
0.01
7
5
3
2
0.001
0.2
0.3
0.4
TA 〜
75
°
C
25
°
C
--2
5
°
C
0.5
0.6
0.7
0.8
=
Ta
--2
5
°
C
°
C
75
正向电流IF - 一个
10
0.9
1.0
1.1
漏极电流ID -
7
5
IT08486
5
3
2
SW时间 - ID
西塞,科斯,的Crss - VDS
f=1MHz
二极管的正向电压, VSD - V
IT08487
VDD=15V
VGS=10V
切换时间, SW时间 - NS
3
2
西塞,科斯,的Crss - pF的
西塞
1000
7
5
3
2
TD (关闭)
100
7
5
3
2
tf
tr
TD (上)
科斯
CRSS
10
7
0.1
100
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
2
3
0
5
10
15
20
25
30
IT08489
漏极电流ID -
10
9
IT08488
100
7
5
3
2
漏极至源极电压VDS - V
VGS - 的Qg
VDS=10V
ID=5A
ASO
IDP=40A
ID=10A
<10µs
栅极 - 源极电压VGS - V
8
1m
10
漏极电流ID -
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
IT08490
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
s
DC
10
ms
op
e
0m
s
RAT
离子
操作在此
区域由的RDS(on )的限制。
(T
a=
25
°
C
)
0.01
0.01
Ta=25°C
单脉冲
安装在陶瓷板( 900毫米
2
!0.8mm)
2 3
5 7 0.1
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
2 3
5
总栅极电荷QG - 数控
漏极至源极电压VDS - V
IT08491
No.8148-3/4
ECH8402
1.8
PD - TA
允许功耗, PD - 含
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
M
ou
n
摊晒
on
ac
er
am
ic
bo
ar
d
(9
00
m
m
2
!
0.
8m
m
)
环境温度,钽 -
°C
IT08492
注意使用情况:由于ECH8402是MOSFET产品,请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能,
特点,以及在独立国家所描述的产品功能,并且不保证
的性能,特点,以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态,不能在一个独立的装置来评估,
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而,任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的,这些概率的故障可能
事故或事件,危及人的生命,这可能导致冒烟或起火引起,
或可能造成损害的其他财产。在设计设备,采用安全的措施,
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路,电路错误预防安全设计,多余的设计和结构设计。
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PS No.8148-4 / 4
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