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XC4013E-5VQ240C  XC4013XL-2BG256C  XC4013E-6TQ240M  XC4013XL-09PQ240C  XC4013XL-4BG256C  XC4013E-4CB240I  XC4013E-3PQ240C  XC4013E-6HQ240M  XC4013E-6TQ240C  XC4013E-4BG240C  
ECH8411 N沟道MOSFET硅通用开关设备 (N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device)
.型号:   ECH8411
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描述: N沟道MOSFET硅通用开关设备
N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
文件大小 :   37 K    
页数 : 4 页
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品牌   SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
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100%
订购数量: ENA0073
ECH8411
N沟道MOSFET硅
ECH8411
特点
通用开关设备
应用
超高速开关。
1.8V驱动器。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
安装在陶瓷板( 900毫米
2
!0.8mm)
条件
评级
20
±12
9
36
1.4
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
条件
ID = 1mA时, VGS = 0V
VDS = 20V , VGS = 0V
VGS = ± 8V , VDS = 0V
VDS = 10V ,ID = 1毫安
VDS = 10V ,ID = 4A
ID = 4A , VGS = 4V
ID = 2A , VGS = 2.5V
ID = 2A , VGS = 1.8V
VDS = 10V , F = 1MHz的
VDS = 10V , F = 1MHz的
VDS = 10V , F = 1MHz的
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
评级
20
1
±10
0.5
7
12
12
16
25
1740
310
290
30
170
240
210
16
23
36
1.3
典型值
最大
单位
V
µ
A
µ
A
V
S
mΩ
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
标记: KR
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子,能够处理
适用于要求极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前,用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数)和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1​​丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
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