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IDT74FST3257SO  IDT74FST1632861PV  IDT74FST1632861PAG  IDT74FST1632861PA  IDT74FST3257  IDT74FST1632861PFG  IDT74FST1632861PF  IDT74FST1632861  IDT74FST3257Q  
ECH8411 N沟道MOSFET硅通用开关设备 (N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device)
.型号:   ECH8411
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描述: N沟道MOSFET硅通用开关设备
N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
文件大小 :   37 K    
页数 : 4 页
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品牌   SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
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100%
ECH8411
5.0V
9
8
7
ID - VDS
3.0V
4.0V
1.5V
V GS =
漏极电流ID -
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
3
2
1
0
ID - VGS
VDS=10V
漏极电流ID -
7.0V
6
5
4
3
2
1
0
0
1 .8 V
2.5V
Ta=7
5
0
0.5
1.0
°
C
25
°
1.5
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
C
4
--25
°
C
2.0
2.5
IT10032
漏极至源极电压VDS - V
50
IT10031
40
RDS ( ON) - VGS
栅极 - 源极电压VGS - V
RDS ( ON) - TA
Ta=25°C
静态漏 - 源
通态电阻, RDS ( ON) - 毫欧
静态漏 - 源
通态电阻, RDS ( ON) - 毫欧
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
IT10033
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
35
30
25
20
15
10
5
0
--60
ID=2A
4A
A
I =2
1.8V ,D
V GS =
2A
, I D =
=2.5V
V GS
4A
.0V , I D =
V GS = 4
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
栅极 - 源极电压VGS - V
3
y
fs - ID
环境温度,钽 -
°C
IT10034
IS - VSD
VGS=0V
正向转移导纳,
y
fs - S
2
10
5
3
2
1.0
7
5
3
2
VDS=10V
C
5
°
--2
=
Ta
°
C
25
源出电流,是 - 个
7
TA 〜
7
0.1
0.01
0.01
7
5
3
2
0.001
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
漏极电流ID -
7
5
5 7 10
IT10035
7
0
0.2
0.4
0.6
--25
°
0.8
75
C
°
C
5
°
C
25
°
C
1.0
1.2
IT10036
SW时间 - ID
西塞,科斯,的Crss - VDS
f=1MHz
二极管的正向电压, VSD - V
VDD=10V
VGS=4V
西塞,科斯,的Crss - pF的
5
3
切换时间, SW时间 - NS
3
2
TD (关闭)
2
西塞
tf
100
7
5
1000
7
5
3
2
tr
科斯
CRSS
3
2
0.1
TD (上)
100
2
3
5
7
1.0
2
3
5
漏极电流ID -
10
IT10037
7
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
漏极至源极电压VDS - V
IT10038
第A0073-3 / 4
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