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L104M2A  
ECH8411 N沟道MOSFET硅通用开关设备 (N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device)
.型号:   ECH8411
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描述: N沟道MOSFET硅通用开关设备
N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
文件大小 :   37 K    
页数 : 4 页
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品牌   SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
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100%
ECH8411
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
VGS - 的Qg
VDS=10V
ID=9A
漏极电流ID -
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
ASO
IDP=36A
≤10µs
栅极 - 源极电压VGS - V
1m
ID=9A
10
10
ms
s
DC
操作在此
区域由的RDS(on )的限制。
0m
s
op
ERA
TIO
n
0.01
0.01
Ta=25°C
单脉冲
安装在陶瓷板( 900毫米
2
!0.8mm)
2 3
5 7 0.1
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
2 3
5
总栅极电荷QG - 数控
1.6
IT10039
PD - TA
漏极至源极电压VDS - V
IT10111
允许功耗, PD - 含
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
M
ou
nt
ed
on
ac
er
am
ic
bo
ar
d
(9
00
m
m
2
!
0.
8m
m
)
环境温度,钽 -
°C
IT10112
注意使用情况:由于ECH8411是MOSFET产品,请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能,
特点,以及在独立国家所描述的产品功能,并且不保证
的性能,特点,以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态,不能在一个独立的装置来评估,
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而,任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的,这些概率的故障可能
事故或事件,危及人的生命,这可能导致冒烟或起火引起,
或可能造成损害的其他财产。在设计设备,采用安全的措施,
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路,电路错误预防安全设计,多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品(包括技术参数和服务)的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制,
这样的产品在没有从当局取得出口许可证出口
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段,电子或
机械,包括影印和记录,或任何信息存储或检索系统,
或以其他方式,而不三洋电机有限公司的事先书面许可,
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高,等等。当设计产品时,请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品,你打算使用。
本文信息(包括电路图和电路参数)例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠,但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
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更改,恕不另行通知。
PS第A0073-4 / 4
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