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6000-0FA1-13002  6000-0FA1-12003  6000-0FA1-22003  6000-0DC3-23002  6000-0FA1-23003  6000-0DC3-21003  6000-0FA1-31011  6000-0FA1-32002  6000-0DC3-21001  6000-0FA1-13001  
ECH8615 P沟道MOSFET硅通用开关设备 (P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device)
.型号:   ECH8615
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描述: P沟道MOSFET硅通用开关设备
P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
文件大小 :   40 K    
页数 : 4 页
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品牌   SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
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100%
订购数量: ENA0301
ECH8615
三洋半导体
数据表
P沟道MOSFET硅
ECH8615
特点
通用开关设备
应用
4V的驱动器。
复合型,促进高密度安装。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
总功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
PT
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
安装在陶瓷板( 900毫米
2
!0.8mm)
1unit
安装在陶瓷板( 900毫米
2
!0.8mm)
条件
评级
--60
±20
--2
--20
1.3
1.5
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
条件
ID = - 1mA时, VGS = 0V
VDS = -
-60V , VGS = 0V
VGS = ± 16V , VDS = 0V
VDS = -
-10V , ID = - 1毫安
VDS = -
-10V , ID = - 1A
ID = - 1A , VGS = -
-10V
ID = - 0.5A , VGS = -
-4V
VDS = -
-20V , F = 1MHz的
VDS = -
-20V , F = 1MHz的
VDS = -
-20V , F = 1MHz的
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
评级
--60
--1
±10
--1.2
2.1
3.5
160
210
660
54
42
10.5
7.0
93
30
210
295
--2.6
典型值
最大
单位
V
µ
A
µ
A
V
S
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
标记: FH
接下页。
描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品
能够处理要求极高水平的可靠性,如生命支持系统的应用,
该机的控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致
严重的身体和/或财产损失。请咨询您的三洋半导体的代表
最近你在这样的描述或包含usingany三洋半导体的产品在此之前,
应用程序。
三洋半导体不对而导致的产品使用的设备故障不承担任何责任
AT值超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作条件
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数)
本文描述或包含的产品。
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1​​丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
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