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HLMP-CW39-SY1DD  MSB51WA-4  KT931W51  HLMP-CW18-UY1DD  HLMP-CW29-UY1DD  LY1N-D2  HLMP-CW18-SY1DD  HLMP-CW39-TY1DD  MSB51WA-X  S1WB60  
ECH8617 P沟道MOSFET硅通用开关设备 (P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device)
.型号:   ECH8617
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描述: P沟道MOSFET硅通用开关设备
P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
文件大小 :   40 K    
页数 : 4 页
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品牌   SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
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100%
ECH8617
从接下页。
参数
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
VDS = - 50V , VGS = -
-10V ,ID = -
-1.5A
VDS = - 50V , VGS = -
-10V ,ID = -
-1.5A
VDS = - 50V , VGS = -
-10V ,ID = -
-1.5A
IS = - 1.5A , VGS = 0V
评级
典型值
14.7
1.6
2.8
--0.80
--1.2
最大
单位
nC
nC
nC
V
包装尺寸
单位:mm
7011A-001
顶视图
0.25
电气连接
8
7
6
5
2.9
0.15
8
5
0至0.02
1 :源1
2 : GATE1
3 :源2
4 : GATE2
5 : Drain2
6 : Drain2
7 : Drain1
8 : Drain1
1
2
3
4
2.8
2.3
0.25
1
0.65
4
0.3
顶视图
0.9
1 :源1
2 : GATE1
3 :源2
4 : GATE2
5 : Drain2
6 : Drain2
7 : Drain1
8 : Drain1
底部视图
0.07
三洋: ECH8
开关时间测试电路
VIN
0V
--10V
VIN
VDD = --50V
ID = --1A
RL=50Ω
D
PW=10µs
D.C.≤1%
VOUT
G
ECH8617
P.G
50Ω
S
第A0297-2 / 4
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